公开(公告)号：CN101140944A

公开(公告)日：2008-03-12

申请号：CN200710153622.8

申请日：2007-09-07

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 井口智明 ,  齐藤好昭 ,  杉山英行

IPC: H01L27/22 ,  H01L29/66 ,  H01L29/772 ,  G11C11/15 ,  G11C11/16

CPC classification number: G01R33/093 ,  B82Y25/00 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1673 ,  G11C11/1675 ,  H01L27/228 ,  H01L29/66984

Abstract: 一种自旋存储器，包括：磁阻元件(17)，其具有磁化方向被固定的第一铁磁层、磁化方向变化的第二铁磁层、以及在第一铁磁层和第二铁磁层之间的第一非磁性层；下电极(16)和上电极(18)，其延展方向相对第二铁磁层的难磁化轴的夹角在45度到90度之间，并且两者在长度方向上的一个端部之间夹着磁阻元件；被连接到下电极在长度方向上的另一个端部的开关元件(14)；以及被连接到上电极在长度方向上的另一个端部的位线(20)，其中，通过将自旋极化电子供给到第二铁磁层并将磁场从下电极和上电极施加到第二铁磁层上来进行写入。

公开(公告)号：CN101030443A

公开(公告)日：2007-09-05

申请号：CN200710006985.9

申请日：2007-01-31

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 杉山英行 ,  齐藤好昭 ,  井口智明

IPC: G11C11/16 ,  H01L43/08 ,  H01F10/32

CPC classification number: G11C11/16 ,  Y10S977/933 ,  Y10S977/935

Abstract: 可以在低电流密度下引起自旋反转，这样不会造成元件损坏，还可以用小电流进行写操作。一种磁阻效应元件包括：磁化钉扎层，其中磁化方向被钉扎；磁记录层，其中磁化方向可变，所述磁化钉扎层中的磁化方向与所述磁记录层中的磁化方向之间形成一个大于0度小于180度的角，并且通过注入自旋极化电子到所述磁记录层中，所述磁记录层中的磁化方向实现反转；以及一个非磁性金属层，介于所述磁化钉扎层和磁记录层之间。

公开(公告)号：CN1956207A

公开(公告)日：2007-05-02

申请号：CN200610135539.3

申请日：2006-10-18

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 井口智明 ,  齐藤好昭 ,  杉山英行

IPC: H01L27/22 ,  H01L43/08 ,  G11C11/16

CPC classification number: G11C11/16

Abstract: 根据本发明一个方面的一种自旋注入磁随机存取存储器包括磁阻元件、写入单元，其使用由自旋注入电流所产生的自旋极化电子来将数据写入磁阻元件，并且在写入期间将磁阻元件的不易磁化方向的磁场施加到磁阻元件。