等离子体显示面板及其制造方法

    公开(公告)号:CN1510708A

    公开(公告)日:2004-07-07

    申请号:CN200310119953.1

    申请日:1999-04-28

    CPC classification number: H01J9/02 H01J2217/49207

    Abstract: PDP制造方法,备有在前面板玻璃面上形成平行于纵向并列设置的多对显示电极的显示电极形成步骤;使形成了多对显示电极的前面板玻璃面与后面板玻璃面对齐,并粘接起来的板粘接步骤,在显示电极形成步骤中,将显示电极材料覆盖在前面板玻璃面上,用激光部分地加工显示电极材料,形成多对显示电极,由于将激光加工方法引入多对显示电极的制作工序中,能使花费在制作工序上的手续和时间特别合理。本发明的PDP使透明电极部和金属电极部导电性地接触构成一对显示电极,使沿纵向平行并列地设置了多对上述一对显示电极的前面板玻璃面与后面板玻璃面对齐并粘接起来构成PDP,在PDP中在前面板玻璃面上设有对准标记。

    发光二极管
    56.
    发明授权

    公开(公告)号:CN102473809B

    公开(公告)日:2015-08-12

    申请号:CN201180002711.7

    申请日:2011-04-15

    CPC classification number: H01L33/42 H01L33/32

    Abstract: 本发明提供发光二极管,其同时达成从窗电极层抽取光的光抽取效率的提高和与p型GaN接触的窗电极层的接触电阻的降低。n型氮化物半导体层、多重量子阱层、p型氮化物半导体层、窗电极层和p侧电极,以此顺序层叠,n侧电极与n型氮化物半导体层电连接,窗电极层具有单晶n型ITO透明电极膜和单晶n型ZnO透明电极膜,p侧氮化物半导体层与单晶n型ITO透明电极膜接触,单晶n型ITO透明电极膜与单晶n型ZnO透明电极膜接触,p侧电极与单晶n型ZnO透明电极膜电连接,单晶n型ITO透明电极膜不仅含有In还含有Ga,单晶n型ITO透明电极膜具有0.08以上0.5以下的Ga/(In+Ga)摩尔比,单晶n型ITO透明电极膜具有1.1nm以上55nm以下的厚度。

    太阳能电池及其制造方法
    59.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102326262A

    公开(公告)日:2012-01-18

    申请号:CN201080008716.6

    申请日:2010-10-20

    Abstract: 本发明提供一种太阳能电池及其制造方法。在石墨基板上设置无定形碳层,在无定形碳层上通过MOCVD法使AlN的c轴取向膜生长之后,在AlN层上形成GaN的低温生长缓冲层,在低温生长缓冲层上形成n型GaN层,在n型GaN层上形成由InxGa1-xN构成的光吸收层,在光吸收层上形成p型GaN层,在p型GaN层上形成p型GaN接触层。

Patent Agency Ranking