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公开(公告)号：CN1540817A
公开(公告)日：2004-10-27
申请号：CN200410028222.0
申请日：1996-05-30
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G02F1/37 , G02F1/3558 , G02F1/3775 , G02F2203/60 , H01S3/09415 , H01S3/109 , H01S3/23 , H01S5/0092 , H01S5/02 , H01S5/40 , H01S5/4087
Abstract: 在一个LiTaO3基底1中形成了一些畴反转层3之后，形成一个光学波导。通过对这样形成的光学波长转换元件进行低温退火，便形成一个稳定质子交换层8，其中在高温退火过程中所产生的折射率增大被减少，由此提供了一个稳定的光学波长转换元件。这样，相位匹配波长变得恒定，谐波输出的变化被消除。结果，对于利用非线性光学效应的光学波长转换元件而言，提供了高度可靠的元件。
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公开(公告)号：CN1540816A
公开(公告)日：2004-10-27
申请号：CN200410028220.1
申请日：1996-05-30
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G02F1/37 , G02F1/3558 , G02F1/3775 , G02F2203/60 , H01S3/09415 , H01S3/109 , H01S3/23 , H01S5/0092 , H01S5/02 , H01S5/40 , H01S5/4087
Abstract: 在一个LiTaO3基底1中形成了一些畴反转层3之后，形成一个光学波导。通过对这样形成的光学波长转换元件进行低温退火，便形成一个稳定质子交换层8，其中在高温退火过程中所产生的折射率增大被减少，由此提供了一个稳定的光学波长转换元件。这样，相位匹配波长变得恒定，谐波输出的变化被消除。结果，对于利用非线性光学效应的光学波长转换元件而言，提供了高度可靠的元件。
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公开(公告)号：CN1540815A
公开(公告)日：2004-10-27
申请号：CN200410028224.X
申请日：1996-05-30
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G02F1/37 , G02F1/3558 , G02F1/3775 , G02F2203/60 , H01S3/09415 , H01S3/109 , H01S3/23 , H01S5/0092 , H01S5/02 , H01S5/40 , H01S5/4087
Abstract: 在一个LiTaO3基底1中形成了一些畴反转层3之后，形成一个光学波导。通过对这样形成的光学波长转换元件进行低温退火，便形成一个稳定质子交换层8，其中在高温退火过程中所产生的折射率增大被减少，由此提供了一个稳定的光学波长转换元件。这样，相位匹配波长变得恒定，谐波输出的变化被消除。结果，对于利用非线性光学效应的光学波长转换元件而言，提供了高度可靠的元件。
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公开(公告)号：CN1190472A
公开(公告)日：1998-08-12
申请号：CN96195433.7
申请日：1996-05-30
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G02F1/37
CPC classification number: G02F1/37 , G02F1/3558 , G02F1/3775 , G02F2203/60 , H01S3/09415 , H01S3/109 , H01S3/23 , H01S5/0092 , H01S5/02 , H01S5/40 , H01S5/4087
Abstract: 在一个LiTaO3基底1中形成了一些畴反转层3之后,形成一个光学波导。通过对这样形成的光学波长转换元件进行低温退火,便形成一个稳定质子交换层8,其中在高温退火过程中所产生的折射率增大被减少,由此提供了一个稳定的光学波长转换元件。这样,相位匹配波长变得恒定,谐波输出的变化被消除。结果,对于利用非线性光学效应的光学波长转换元件而言,提供了高度可靠的元件。
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公开(公告)号：CN100489654C
公开(公告)日：2009-05-20
申请号：CN200480014966.5
申请日：2004-06-04
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G03B33/16 , G03B21/204 , G03B21/567 , H04N9/3129
Abstract: 本发明提供一种激光投射装置，是将从激光投射部(40)输出的调制过的激光投影在屏幕上的反射型激光投射装置(100)，使构成屏幕(110)的反射体(112)具有只反射入射光中从激光投射部(40)投射的红、蓝、绿三色激光及其周边波段的光，使除此以外波段的光透过的反射特性，因此，能防止由于来自室内照明装置或室外的光的影响，而难以看见屏幕(110)上的图像的现象。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100423297C
公开(公告)日：2008-10-01
申请号：CN200410002946.8
申请日：2004-01-20
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L33/00 , H01L21/205 , H01S5/223 , H01S5/343
CPC classification number: C30B25/02 , C30B9/00 , C30B29/403 , C30B29/406 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02625 , H01L21/02642 , H01L21/0265 , H01L33/007
Abstract: 本发明提供一种制造方法，可以制造只由高质量第三族氮化物晶体形成并具有较少翘曲的衬底。包括间隙的第三族氮化物层(籽晶层12和选择生长层15)形成在衬底(蓝宝石衬底11)上。在含氮气氛中，使第三族氮化物层的表面与含有碱金属和选自镓、铝和铟中的至少一种第三族元素的熔化物相接触，由此该至少一种第三族元素和氮互相反应，在第三族氮化物层上生长第三族氮化物晶体(GaN晶体16)。此后在间隙附近使包括衬底的部分和包括第三族氮化物晶体的部分相互分离。
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公开(公告)号：CN100358196C
公开(公告)日：2007-12-26
申请号：CN200380103147.3
申请日：2003-11-12
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G02B6/42 , G02B6/4239 , G02F1/3775 , H01S5/0092 , H01S5/02208 , H01S5/02252
Abstract: 一种激光器模块，包括：子支座；固定到子支座表面上的半导体激光器；以及通过粘结层连接于子支座表面的光波导，使得该光波导器件与半导体激光器光耦合。第一凹槽形成在子支座表面上对应于光波导器件入射端面的区域上，第一凹槽平行于半导体激光器的出射端面形成，并且与其具有预定间隔。形成粘结层使得光波导器件入射端面上的粘结层的末端位于从邻接第一凹槽远离半导体激光器的远边缘的位置到第一凹槽的内部的范围内，并且其不会与半导体激光器的出射端面接触。因为粘结层可以位于优选范围内，所以可以抑制由于温度变化引起的变形造成的耦合错位。
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公开(公告)号：CN1305183C
公开(公告)日：2007-03-14
申请号：CN200410028219.9
申请日：1996-05-30
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G02F1/37 , G02F1/3558 , G02F1/3775 , G02F2203/60 , H01S3/09415 , H01S3/109 , H01S3/23 , H01S5/0092 , H01S5/02 , H01S5/40 , H01S5/4087
Abstract: 在一个LiTaO3基底1中形成了一些畴反转层3之后，形成一个光学波导。通过对这样形成的光学波长转换元件进行低温退火，便形成一个稳定质子交换层8，其中在高温退火过程中所产生的折射率增大被减少，由此提供了一个稳定的光学波长转换元件。这样，相位匹配波长变得恒定，谐波输出的变化被消除。结果，对于利用非线性光学效应的光学波长转换元件而言，提供了高度可靠的元件。
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公开(公告)号：CN1304877C
公开(公告)日：2007-03-14
申请号：CN200410028221.6
申请日：1996-05-30
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G02F1/37 , G02F1/3558 , G02F1/3775 , G02F2203/60 , H01S3/09415 , H01S3/109 , H01S3/23 , H01S5/0092 , H01S5/02 , H01S5/40 , H01S5/4087
Abstract: 在一个LiTaO3基底1中形成了一些畴反转层3之后，形成一个光学波导。通过对这样形成的光学波长转换元件进行低温退火，便形成一个稳定质子交换层8，其中在高温退火过程中所产生的折射率增大被减少，由此提供了一个稳定的光学波长转换元件。这样，相位匹配波长变得恒定，谐波输出的变化被消除。结果，对于利用非线性光学效应的光学波长转换元件而言，提供了高度可靠的元件。
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公开(公告)号：CN1922345A
公开(公告)日：2007-02-28
申请号：CN200580005394.9
申请日：2005-02-18
Applicant: 松下电器产业株式会社 , 森勇介
CPC classification number: C30B29/406 , C30B9/10 , C30B19/02 , C30B19/063 , C30B19/064 , Y10T117/1016
Abstract: 本发明提供一种能够提高生长速率，在短时间内培养出晶体均匀性高的大单晶的化合物单晶的制造方法以及用于该制造方法的制造装置。在原料液中，搅拌所述原料液以产生从与原料气体相接的气液界面向着所述原料液的内部的流动，同时使化合物单晶生长。通过所述搅拌，可以容易地将原料气体溶解在原料液中，可以在短时间内实现过饱和状态，能够提高化合物单晶的生长速率，而且，通过所述搅拌，由于形成从原料气体浓度高的气液界面向着原料气体浓度低的原料液内部的流动，原料气体的溶解也变得均匀，因此可以抑制在气液界面产生不均匀的晶核，还可以提高所得到的化合物单晶的质量。
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