公开(公告)号：CN108682952A

公开(公告)日：2018-10-19

申请号：CN201810215006.9

申请日：2018-03-15

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 俞伟良 ,  罗国清 ,  俞钰峰 ,  廖臻 ,  代喜望

IPC: H01Q1/42 ,  H01Q15/00 ,  H01Q15/24 ,  H01Q17/00

CPC classification number: H01Q15/0026 ,  H01Q1/422 ,  H01Q15/24 ,  H01Q17/008

Abstract: 本发明涉及双层级联双极化宽带带吸型频率选择表面。传统的吸波性频率选择结构都设计为带通型频率选择结构，此类结构通带带宽有限，并且很难覆盖低频。本发明采用双环反射平面，并且在反射平面另一表面设计吸波环，结合单环电路模拟吸收器，搭建出双层级联双极化宽带带吸型频率选择表面，能够实现低频通带内低插入损耗，并在临近高频处产生一个极宽的吸波带。

公开(公告)号：CN207818905U

公开(公告)日：2018-09-04

申请号：CN201721313121.7

申请日：2017-10-12

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 俞伟良 ,  俞钰峰 ,  罗国清

IPC: H01Q15/00 ,  H01Q17/00

Abstract: 本实用新型涉及三维新型带吸型宽带频率选择结构。传统的吸波性频率选择结构基于两个或多个二维阵列平面级联的方式，通带窄并且插入损耗大，吸波性能不够优异。本实用新型采用带阻通道结合吸波通道结构的方式，搭建出三维宽带吸波性频率选择结构，能够实现低频通带内低插入损耗，高频宽吸波带。此结构吸波效率高，并且有着极高的角度稳定性。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

公开(公告)号：CN207098023U

公开(公告)日：2018-03-13

申请号：CN201720996473.0

申请日：2017-08-10

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 俞伟良 ,  罗国清 ,  俞钰峰

IPC: H01P1/20 ,  H01Q1/42

Abstract: 本实用新型涉及一种带吸型宽带频率选择结构。传统的吸波性频率选择结构基于两个或多个二维阵列平面级联的方式，通带窄并且插入损耗大，吸波性能不够优异。本实用新型采用单金属环吸波周期平面与三维带阻周期结构相结合的方式，搭建出三维宽带吸波性频率选择结构，能够实现通带内低插入损耗，低频宽通带，高频宽吸波带。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利