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公开(公告)号：CN115910115A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202210065035.8
申请日：2022-01-18
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 提供能够提高记录密度的磁头以及磁记录装置。根据实施方式，磁头包括磁极、屏蔽件以及非磁性层。所述非磁性层设置在所述磁极与所述屏蔽件之间。所述非磁性层与所述磁极以及所述屏蔽件相接。所述非磁性层包含选自Cu、Au、Cr、V、Al以及Ag中的至少一种第1元素。
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公开(公告)号：CN114512149A
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN202110973274.9
申请日：2021-08-24
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: G11B5/31
Abstract: 本发明提供能够提高记录能力的磁记录装置以及磁记录方法。根据实施方式，磁记录装置包括磁头、第1电路、第2电路、第3电路以及控制部。所述磁头包括第1磁极、第2磁极、磁元件以及线圈。所述磁元件设置在所述第1磁极与所述第2磁极之间。所述磁元件包括第1磁性层。所述第1电路能够向所述线圈供给线圈电流。所述第2电路能够向所述磁元件供给元件电流。所述第3电路能够检测所述磁元件的电阻。所述控制部能够基于由所述第3电路检测到的所述电阻对所述第2电路进行控制，从而对所述元件电流进行控制。
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公开(公告)号：CN114387998A
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202110838075.7
申请日：2021-07-23
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: G11B5/31
Abstract: 提供能够评价磁头的特性的磁头的评价方法及磁头的评价装置。根据实施方式，磁头的评价方法包括取得在向包括第1磁极、第2磁极、磁元件及线圈的磁头的所述线圈供给了第1交流电流且向所述磁元件供给了第2电流时从所述磁元件得到的电信号。所述磁元件设置于所述第1磁极与所述第2磁极之间，包括第1磁性层。所述评价方法包括基于所述电信号来检测以所述第1交流电流的极性反转的时刻为基准的所述磁元件的电阻的变化所需的时间。
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公开(公告)号：CN113409829A
公开(公告)日：2021-09-17
申请号：CN202010951377.0
申请日：2020-09-11
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 提供能够提高记录密度的磁头。根据实施方式，磁头包括第1屏蔽件、第2屏蔽件、磁极、第1磁性层以及第1非磁性部件。第1屏蔽件包括第1部分区域～第3部分区域。从第2部分区域朝向第3部分区域的方向沿着第1方向。第1部分区域的位置处于第2部分区域与第3部分区域的位置之间。从第1屏蔽件朝向第2屏蔽件的第2方向与第1方向交叉。磁极设置在第1部分区域与第2屏蔽件之间。磁极处于第2部分区域与第3部分区域之间。第1磁性层处于磁极与第2屏蔽件之间。第1非磁性部件包括第1部分、第2部分。第1部分处于磁极与第1磁性层之间。第2部分在第2方向上处于第2部分区域与第2屏蔽件之间。第2部分与第2部分区域电连接。
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公开(公告)号：CN113393868A
公开(公告)日：2021-09-14
申请号：CN202010945118.7
申请日：2020-09-10
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 提供能提高记录密度的磁记录装置。根据实施方式，磁记录装置包括磁头、磁记录介质以及电气电路。所述磁头包括磁极、第1屏蔽件以及设置在所述磁极与所述第1屏蔽件之间的层叠体。所述层叠体包括：第1磁性层、设置在所述磁极与所述第1磁性层之间的第2磁性层、设置在所述第2磁性层与所述第1磁性层之间的第1非磁性层、设置在所述第1磁性层与所述第1屏蔽件之间的第2非磁性层以及设置在所述磁极与所述第2磁性层之间的第3非磁性层。
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公开(公告)号：CN110910908B
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN201910187027.9
申请日：2019-03-13
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: G11B5/11
Abstract: 本发明提供能够提高记录密度的磁记录装置。根据实施方式，磁记录装置包括磁头、第1电路以及第2电路。磁头包括磁极、第1屏蔽件、设置于磁极与第1屏蔽件之间并将磁极与第1屏蔽件电连接的导电部件、以及线圈。第1电路能够向磁极、导电部件以及第1屏蔽件供给第1电流。第2电路能够向线圈供给记录电流。从磁极产生与记录电流相应的记录磁场。记录电流的上升时间是最短位长的65％以上。
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公开(公告)号：CN112466341A
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN202010170190.7
申请日：2020-03-12
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: G11B11/105
Abstract: 提供能提高记录密度的磁头及磁记录装置。磁头包括磁极、第1屏蔽件、第1磁性层～第3磁性层及第1中间层～第4中间层。第1磁性层～第3磁性层分别设置在磁极与第1屏蔽件之间、第1磁性层与第1屏蔽件之间、第2磁性层与第1屏蔽件之间。第1中间层设置在磁极与第1磁性层之间，包含选自由Au、Cu、Ag、Al以及Ti构成的第1组的至少一种。第2中间层设置在第1磁性层与第2磁性层之间，包含选自由Ta、Ir、W、Mo、Cr、Tb、Rh以及Pd构成的第2组的至少一种。第3中间层设置在第2磁性层与第3磁性层之间，包含选自第1组的至少一种。第4中间层设置在第3磁性层与第1屏蔽件之间，包含选自第2组的至少一种。
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公开(公告)号：CN112466340A
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN202010168901.7
申请日：2020-03-12
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 提供能够实现记录密度的提高的磁头及磁记录装置。根据实施方式，磁头包括磁极、第1屏蔽件、设置于所述磁极与所述第1屏蔽件之间的第1磁性层、设置于所述第1磁性层与所述第1屏蔽件之间的第2磁性层和设置于所述第1磁性层与所述第2磁性层之间的非磁性的中间层。所述磁极与所述第1磁性层之间的沿着从所述第1磁性层向所述第2磁性层的第1方向的第1距离，为所述磁极与所述第1屏蔽件之间的沿着所述第1方向的第2距离的1％以上且10％以下。
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公开(公告)号：CN101339775A
公开(公告)日：2009-01-07
申请号：CN200810131980.3
申请日：2008-07-04
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B5/732 , G11B5/66 , G11B5/667 , Y10T428/115
Abstract: 本发明涉及一种垂直磁记录介质以及磁记录装置。根据一个实施例，一种垂直磁记录介质包括：基底(1)；以及形成在所述基底(1)上的第一磁性层(5)和第二磁性层(7)，其中假定对于所述第一和第二磁性层(5，7)，单轴磁各向异性常数分别是Ku1和Ku2，饱和磁化分别是Ms1和Ms2，各向异性磁场分别是Hk1和Hk2，以及厚度分别是t1和t2，则满足以下条件：Ku1和Ku2为3×106erg/cc以上，Ms1小于Ms2，Hk1大于Hk2，并且t1大于t2。
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公开(公告)号：CN100347756C
公开(公告)日：2007-11-07
申请号：CN200510059290.8
申请日：2005-03-25
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B5/667 , G11B5/65 , G11B5/7325
Abstract: 本发明涉及磁记录介质和磁记录设备。在衬底上形成一个大粒径底层，其包括选自Cu、Ni或者Rh中的至少一种，具有大于或等于50nm的较大的平均直径的晶粒，(100)晶面的取向平行于衬底表面。然后，在该底层上淀积磁记录层。带有这种结构的磁记录介质在磁性层中表现出了非常小的磁性晶粒，在高纪录密度下具有优良的重写性能和信噪比。
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