公开(公告)号：CN112955811B

公开(公告)日：2022-05-24

申请号：CN201980061122.2

申请日：2019-07-11

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 鹈野雄大 ,  多井知义 ,  近藤顺悟

IPC: G02F1/03 ,  G02B6/12 ,  G02F1/035

Abstract: 本发明公开一种电光元件用的复合基板。复合基板具备：电光结晶基板，其具有电光效应；低折射率层，其与电光结晶基板接触，且折射率比电光结晶基板的折射率低；以及支撑基板，其至少经由接合层而接合于低折射率层。该复合基板中，在低折射率层与支撑基板之间所存在的多个界面中的至少一个为粗糙度比电光结晶基板与低折射率层之间的界面的粗糙度大的界面。

公开(公告)号：CN112154368B

公开(公告)日：2022-05-13

申请号：CN201880093270.8

申请日：2018-05-22

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 多井知义 ,  近藤顺悟

IPC: G02F1/03

Abstract: 本发明公开了一种电光元件用的复合基板。复合基板具备：电光结晶基板，其具有电光效应；支承基板，其至少隔着非晶质层而与电光结晶基板接合；以及低折射率层，其位于电光结晶基板与非晶质层之间，并且，其折射率比电光结晶基板的折射率低。非晶质层由构成从一侧与非晶质层接触的层或基板的元素、以及构成从另一侧与非晶质层接触的层或基板的元素构成。

公开(公告)号：CN112243568B

公开(公告)日：2021-12-28

申请号：CN201980036450.7

申请日：2019-04-23

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 鹈野雄大 ,  后藤万佐司 ,  多井知义

IPC: H03H9/25

Abstract: 在包含铌酸锂等的压电性单晶基板4、4A与支撑基板1的接合体5、5A中，抑制加热时的接合体翘曲。接合体5、5A具备：压电性单晶基板4、4A；支撑基板1，其由多晶陶瓷材料或单晶材料形成；接合层2A，其设置于压电性单晶基板4、4A上，且组成为Si(1－x)Ox(0.008≤x≤0.408)；以及非晶质层8，其设置于支撑基板1与接合层2A之间，且含有氧原子及氩原子。非晶质层8的中央部中的氧原子的浓度高于非晶质层8的周缘部中的氧原子的浓度。

公开(公告)号：CN112088149B

公开(公告)日：2021-08-27

申请号：CN201980026646.8

申请日：2019-02-13

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 多井知义 ,  服部良祐

IPC: H01L41/187 ,  H01L41/337 ,  H03H9/25 ,  C04B37/00

Abstract: 本发明在由铌酸锂等形成的压电性单晶基板1(1A)与支撑基板3的接合体8(8A)中，抑制加热时的接合体的翘曲。接合体8(8A)具备：支撑基板3；压电性单晶基板1(1A)，所述压电性单晶基板1(1A)由选自由铌酸锂、钽酸锂以及铌酸锂－钽酸锂构成的组中的材质形成；以及非晶质层7，所述非晶质层7包含选自由铌和钽构成的组中的一种以上金属原子、构成支撑基板3的原子以及氩原子，且存在于支撑基板3与压电性单晶基板1(1A)之间。非晶质层7的中央部的氩原子的浓度高于非晶质层7的周缘部的氩原子的浓度。

公开(公告)号：CN111684717B

公开(公告)日：2021-08-27

申请号：CN201880088584.9

申请日：2018-12-27

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 多井知义 ,  服部良祐

IPC: H03H9/25

Abstract: 本发明在支撑基板与由选自由铌酸锂等构成的组中的材质形成的压电性材料基板的接合体中，使接合体的接合强度提高。接合体7、7A具备：支撑基板4；压电性材料基板1、1A，它们由选自由铌酸锂、钽酸锂以及铌酸锂－钽酸锂构成的组中的材质形成；以及非晶质层5，其存在于支撑基板4与压电性材料基板1、1A之间。非晶质层5包含选自由铌和钽构成的组中的一种以上金属原子、构成支撑基板的原子以及氧原子。非晶质层5中的所述金属原子的浓度高于氧原子的浓度，且为20～65原子％。

公开(公告)号：CN112868178A

公开(公告)日：2021-05-28

申请号：CN201980067455.6

申请日：2019-08-23

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 鹈野雄大 ,  后藤万佐司 ,  多井知义

IPC: H03H9/25

Abstract: 提供一种接合体，将压电性材料基板经由包含氧比率低的硅氧化物的接合层牢固且稳定地接合于包含金属氧化物的支撑基板上。接合体(5、5A)具备：支撑基板(1)，其包含金属氧化物；压电性材料基板(4、4A)；接合层(2B)，其设置于支撑基板与压电性材料基板之间，且组成为Si(1－x)Ox(0.008≤x≤0.408)；以及非晶质层(10)，其设置于接合层与支撑基板之间。非晶质层(10)中的氧比率比支撑基板(1)中的氧比率高。

公开(公告)号：CN108886347B

公开(公告)日：2019-10-11

申请号：CN201780017024.X

申请日：2017-02-22

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 多井知义 ,  堀裕二 ,  浅井圭一郎 ,  吉野隆史 ,  后藤万佐司 ,  滑川政彦

IPC: H03H3/08 ,  H01L41/09 ,  H01L41/187 ,  H01L41/313 ,  H01L41/337 ,  H03H9/25

Abstract: 在将压电性单晶基板与包含陶瓷的支撑基板直接键合时，可进行常温下的接合，并且使接合强度提高。在包含陶瓷的支撑基板上形成接合层，该接合层包含选自由莫来石、氧化铝、五氧化钽、氧化钛和五氧化铌构成的组中的一种以上的材质。通过对接合层的表面照射中性束，使接合层3A的表面4活化。将接合层的表面4与压电性单晶基板6直接键合。

公开(公告)号：CN109964405A

公开(公告)日：2019-07-02

申请号：CN201780070878.4

申请日：2017-10-04

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 后藤万佐司 ,  多井知义 ,  山寺乔纮 ,  堀裕二 ,  浅井圭一郎 ,  滑川政彦 ,  吉野隆史

IPC: H03H3/08 ,  C30B29/30 ,  H03H9/25

Abstract: 本发明提供一种接合体，其中，压电性单晶基板6的材质为LiAO3(A为选自由铌及钽构成的组中的一种以上的元素)，接合层3A的材质为选自由铌及钽构成的组中的一种以上的元素的氧化物，沿着压电性单晶基板6与接合层3A的边界，设置有组成为ExO(1‑x)(E为选自由铌及钽构成的组中的一种以上的元素，0.29≤x≤0.89。)的界面层12。

公开(公告)号：CN109075758A

公开(公告)日：2018-12-21

申请号：CN201780013563.6

申请日：2017-02-22

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 多井知义 ,  后藤万佐司 ,  鹈野雄大 ,  金子真也

IPC: H03H3/08 ,  H01L41/09 ,  H01L41/187 ,  H01L41/313 ,  H01L41/337 ,  H03H9/25

Abstract: 在包含陶瓷的支撑基板上设置接合层，将接合层和压电性单晶基板接合时，使压电性单晶基板与接合层之间的接合强度提高，同时防止接合层与支撑基板之间的剥离。接合体8具有：包含陶瓷的支撑基板1；在支撑基板1的表面1a设置的接合层3A，接合层3A包含选自由莫来石、氧化铝、五氧化钽、氧化钛和五氧化铌构成的组中的一种以上的材质；和与接合层3A接合的压电性单晶基板6A。支撑基板1的表面1a的算术平均粗糙度Ra为0.5nm～5.0nm。

公开(公告)号：CN108781064A

公开(公告)日：2018-11-09

申请号：CN201780017368.0

申请日：2017-02-22

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 多井知义 ,  堀裕二 ,  浅井圭一郎 ,  吉野隆史 ,  后藤万佐司 ,  滑川政彦

IPC: H03H3/08 ,  H01L41/313 ,  H01L41/337 ,  H01L41/39 ,  H03H9/25

Abstract: 在压电性材料基板1上形成接合层3，接合层3包含选自由氮化硅、氮化铝、氧化铝、五氧化钽、莫来石、五氧化铌和氧化钛构成的组中的一种以上的材质。通过对接合层的表面4和支撑基板的表面照射中性束A，将接合层的表面和支撑基板的表面活化。将接合层的表面5与支撑基板的表面直接键合。