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公开(公告)号：CN107112074A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201580071521.9
申请日：2015-10-30
Applicant: 日东电工株式会社
Abstract: [课题]实现以高水平维持光学特性(透过率、透明导电层的图案视觉识别性等)、并且即使在高温高湿环境下基材薄膜与透明导电层等的密合性也高的透明导电性薄膜。[解决方案]透明导电性薄膜(10)具备：透明的基材薄膜(11)、基材薄膜(11)的一个主面上的厚度1.5nm～8nm的防剥离层(12)、防剥离层(12)上的厚度10nm～25nm的光学调整层(13)、以及光学调整层(13)上的具有图案的透明导电层(14)。从透明导电层(14)侧测定的透过Y值为88.0以上，图案部(15)与非图案部(16)的反射色差ΔE为7.0以下。
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公开(公告)号：CN103578608A
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201310311541.1
申请日：2013-07-23
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: H01B1/00 , G06F3/044 , G06F2203/04103
Abstract: 本发明提供一种导电性薄膜卷的制造方法，解决以往的具备薄膜基材、透明导电体层、金属层的导电性薄膜卷的邻接的金属层容易压接的问题。所述方法包含接下来的工序：（a）准备薄膜基材卷绕而成的第一卷的工序；（b）自第一卷退卷薄膜基材，在薄膜基材的第一面成膜第一透明导电体层的工序；（c）在第一透明导电体层上成膜第一金属层的工序；（d）在第一金属层的表面形成金属氧化膜层的工序；（e）在薄膜基材的第二面成膜第二透明导电体层的工序；（f）在第二透明导电体层上成膜第二金属层的工序；（g）将全部成膜工序结束了的薄膜基材卷绕成卷状的工序；上述全部工序在成膜装置内连续地进行。
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公开(公告)号：CN103310906A
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN201310073333.2
申请日：2013-03-07
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: C23C14/14 , C23C14/562
Abstract: 本发明提供一种导电性膜卷的制造方法，邻接的膜彼此不压接而能够维持高品质。本发明的制造方法边使长条状的膜基材接触第1成膜辊边进行搬运，在膜基材的不接触该第1成膜辊的第1面侧通过溅射法顺次层叠第1透明导电体层、第1金属层和氧化金属被膜层，形成第1层叠体。然后，将形成了第1层叠体的膜基材不卷成卷状而供给到第2成膜辊，边使第1层叠体的上述氧化金属被膜层接触第2成膜辊边进行搬运，在该膜基材的没有形成上述第1层叠体的第2面侧通过溅射法顺次层叠第2透明导电体层和第2金属层，形成第2层叠体。然后将形成了第1以及第2层叠体的膜基材卷成卷状。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103177801A
公开(公告)日：2013-06-26
申请号：CN201210541208.5
申请日：2012-12-13
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: H01B7/04 , C23C14/024 , C23C14/025 , C23C14/0641 , C23C28/322 , C23C28/34 , C23C28/345
Abstract: 本发明提供导电性薄膜和导电性薄膜卷。已知具备薄膜基材、形成于其两面上的透明导电体层、和形成于透明导电体层的表面上的金属层的导电性薄膜。卷取这种导电性薄膜形成导电性薄膜卷时，存在邻接的导电性薄膜的金属层之间相互压接的问题。本发明的导电性薄膜（10）具有薄膜基材（11）、层叠于薄膜基材（11）的一个面上的第一透明导电体层（12）、第一金属层（13）、氮化覆膜层（14）、层叠于薄膜基材（11）的另一个面上的第二透明导电体层（15）、第二金属层（16）。氮化覆膜层（14）防止邻接的导电性薄膜（10）的压接。
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公开(公告)号：CN204706006U
公开(公告)日：2015-10-14
申请号：CN201520382370.6
申请日：2015-06-04
Applicant: 日东电工株式会社
Abstract: 本实用新型提供透明导电性薄膜，其透明性和处理性良好、且电阻率更小。透明导电性薄膜(1)至少依次具有聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜(2)、固化层(3)、无机硅氧化物层(4)及铟-锡氧化物层(5)。聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜(2)的厚度为40μm～130μm。并且固化层(3)在该固化层内具备多个无机颗粒(3b)。固化层(3)的厚度(dA)与无机硅氧化物层(4)的厚度(dB)的总和为300nm以上并且不足3000nm。无机硅氧化物层(4)的厚度超过15nm，铟-锡氧化物层(5)的厚度为15nm以上并且50nm以下，且其表面的中心线平均粗糙度Ra为0.1nm以上并且不足2nm。
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公开(公告)号：CN119964877A
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202411566468.7
申请日：2024-11-05
Applicant: 日东电工株式会社
Abstract: 本发明涉及透光性导电层和透光性导电膜。透光性导电层(10)具有第一主面(21)和配置于在厚度方向与第一主面(21)相反的一侧的第二主面(22)，在与厚度方向正交的面方向上延伸。此外，透光性导电层(10)具备多个第一透光性导电层(11)，第一透光性导电层(11)含有导电性氧化物和原子序数大于氩的稀有气体。进而，多个第一透光性导电层(11)中最厚的第一透光性导电层(11)的厚度相对于多个第一透光性导电层(11)的总厚度的比率小于50％。
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公开(公告)号：CN119724692A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202411332341.9
申请日：2024-09-24
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: H01B5/14
Abstract: 本发明涉及一种透明导电性膜。透明导电性膜(1)在与厚度方向正交的面方向上，具有基于如下加热处理的热收缩率最大的第一方向，所述加热处理是在140℃下30分钟的加热条件下进行的加热处理。此外，透明导电性膜(1)具备透明基材(10)和配置于透明基材(10)的厚度方向一个面的透明导电层(20)，透明导电层(20)是非晶质，透明导电层(20)的厚度为100nm以上。而且，对透明导电性膜(1)在上述加热条件下进行了加热处理后的透明导电层(20)是非晶质，而且，对透明导电性膜(1)在上述加热条件下进行了加热处理后的第一方向的热收缩率为0.40％以上且小于1.50％。
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公开(公告)号：CN119541928A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202411879277.6
申请日：2021-03-18
Applicant: 日东电工株式会社
Abstract: 本发明涉及透光性导电层和透光性导电薄膜。透光性导电层(1)具有第一主面(2)、以及在第一主面(2)的厚度方向的一面侧隔着间隔相对配置的第二主面(3)。透光性导电层(1)具有在面方向上延伸的单一层。透光性导电层(1)包含导电性氧化物。导电性氧化物含有氩和原子序数比氩大的稀有气体。
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