公开(公告)号：CN101666977B

公开(公告)日：2013-05-01

申请号：CN200810215302.5

申请日：2008-09-01

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 野崎耕司 ,  小泽美和

IPC: G03F7/075 ,  G03F7/004 ,  G03F7/00 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/0758 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/2041

Abstract: 本发明涉及一种用于液浸曝光的抗蚀剂组合物，该抗蚀剂组合物包括基体树脂，该基体树脂通过酸转化为碱溶性，根据发明实施例的一个方面。抗蚀剂组合物进一步包含具有含硅侧链树脂，该树脂能通过酸转化为碱溶性的，其中硅含量与基体树脂与该树脂的总量相比，为1wt％或更低。

公开(公告)号：CN1802606B

公开(公告)日：2012-12-05

申请号：CN02802632.2

申请日：2002-08-12

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 野崎耕司 ,  小泽美和 ,  并木崇久 ,  今纯一 ,  矢野映

IPC: G03F7/00 ,  G03F7/40 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L27/11526 ,  G03F7/0048 ,  G03F7/095 ,  G03F7/40 ,  H01L21/31138 ,  H01L27/105 ,  H01L27/11543

Abstract: 本发明提供了一种利用真空紫外光的光蚀刻法实施构图的技术来形成显微图形的方法，抗蚀图形膨胀用材料是由混合包含树脂、交联剂和任何一种非离子表面活性剂及有机溶剂的水溶性或碱溶性组合物所构成的，其中有机溶剂选自醇、直链酯或环酯、酮、直链醚或环醚。

公开(公告)号：CN1442752B

公开(公告)日：2012-10-03

申请号：CN03101768.1

申请日：2003-01-22

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 野崎耕司 ,  小澤美和

IPC: G03F7/038 ,  G03F7/16 ,  G03F7/20 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/0035 ,  G03F7/40 ,  H01L21/0275 ,  Y02E50/343 ,  Y02W30/47

Abstract: 本发明提出在形成精小图形时减小边缘粗糙度的改进。该目的的取得在构图刻蚀膜之后，在刻蚀膜上形成涂覆膜，以便将刻蚀膜材料和涂覆膜材料在交界面上混合来减小边缘粗糙度。提供一种抗蚀图形改进材料，包括：(a)一种水溶性或者碱溶性的成分，包含：(i)一种树脂，和(ii)一种交联剂。根据本发明，提供一种制备图形的方法，包括：形成抗蚀图形；和在抗蚀图的表面上涂覆根据本发明的抗蚀图形改进材料，其中，抗蚀图形改进材料与抗蚀图形在它们之间的界面上混合。

公开(公告)号：CN101497599B

公开(公告)日：2012-09-05

申请号：CN200910005998.3

申请日：2009-01-24

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 野崎耕司

IPC: C07D335/02 ,  C08F20/38 ,  G03F7/004 ,  G03F7/20 ,  H01L21/027

CPC classification number: C07D335/02 ,  Y10S430/111

Abstract: 本发明涉及通式I表示的单体：通式I其中，R1和R3各自为-H基或-CH3基，且R1和R3相同或不同；R2为苯基或金刚烷基；Q1为C1-4全氟烷基。本发明还涉及包括该单体作为结构单元的含锍盐侧链的树脂，使用该树脂的抗蚀剂组合物及生产半导体器件的方法。

公开(公告)号：CN102540710A

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN201110314398.2

申请日：2011-10-17

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 小泽美和 ,  野崎耕司

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/16 ,  H01L21/312

CPC classification number: H01L21/0273 ,  G03F7/40 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/76802

Abstract: 本发明涉及抗蚀图改善材料、抗蚀图形成方法和半导体装置制造方法。本发明提供一种抗蚀图改善材料，所述材料包含：由以下通式(1)表示的化合物、或由以下通式(2)表示的化合物、或上述两种化合物；和水，在通式(1)中，R1和R2各自独立地为氢原子或C1～C3烷基；m是1～3的整数；n是3～30的整数；在通式(2)中，p是8～20的整数；q是3～30的整数；r是1～8的整数。通式(1)通式(2)

公开(公告)号：CN100568094C

公开(公告)日：2009-12-09

申请号：CN200410092179.4

申请日：2004-08-04

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 野崎耕司 ,  小泽美和

IPC: G03F7/00 ,  G03F7/40 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L27/11526 ,  G03F7/0035 ,  G03F7/40 ,  G11B5/17 ,  G11B5/313 ,  G11B5/3163 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32139 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11543 ,  Y10S430/106 ,  Y10S430/114

Abstract: 本发明提供一种抗蚀剂图案增厚材料，其能够增厚抗蚀剂图案并形成微细的间隔图案，并超越构图期间使用的曝光的曝光限度。抗蚀剂图案增厚材料包括树脂和相转移催化剂。本发明也提供了形成抗蚀剂图案的工艺和制造半导体器件的工艺，其中适合地利用了本发明的抗蚀剂图案增厚材料。

公开(公告)号：CN101226335A

公开(公告)日：2008-07-23

申请号：CN200710002394.4

申请日：2007-01-15

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 小泽美和 ,  野崎耕司

IPC: G03F7/16 ,  G03F7/26 ,  G03F7/004 ,  H01L21/027 ,  H01L21/00

CPC classification number: G03F7/40 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/31144

Abstract: 本发明的目的是提供一种形成抗蚀图案的方法，其中ArF准分子激光可用作图案化的曝光光源，抗蚀图案可不依赖于抗蚀图案尺寸稳定地增厚到预定厚度，且微小空间图案的精细度可超过曝光设备的曝光或分辨率的极限。本发明的形成抗蚀图案的方法至少包括：形成抗蚀图案，涂覆抗蚀图案增厚材料以覆盖该抗蚀图案的表面，焙烘该抗蚀图案增厚材料，显影和分离该抗蚀图案增厚材料，其中涂覆、焙烘和显影步骤中的至少一个步骤被执行多次。

公开(公告)号：CN101135849A

公开(公告)日：2008-03-05

申请号：CN200710146875.2

申请日：2007-08-24

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 小泽美和 ,  野崎耕司 ,  并木崇久

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/11 ,  G03F7/20 ,  H01L21/027

CPC classification number: C08G77/14 ,  C09D183/06 ,  G03F7/0752 ,  G03F7/11 ,  G03F7/2041 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/3122 ,  Y10T428/24802

Abstract: 本发明提供了一种材料，其包括：由通式(1)表示的具有至少一个碱溶性基团的含硅聚合物；和可以溶解所述含硅聚合物的有机溶剂，(SiO4/2)a(R1tSiO(4－t)/2)b(O1/2R2)c通式(1)其中R1代表单价有机基团，氢原子和羟基中的至少一个，R2代表单价有机基团和氢原子中的至少一个(其中R1和R2可以各自出现两次或以上，且R1和R2中至少一个含有碱溶性基团)，“t”代表1～3的整数，“a”、“b”和“c”代表其单元的相对比例(其中a≥0、b≥0、c≥0，且“a”、“b”和“c”不同时为0)，且(R1tSiO(4－t)/2)b可以出现两次或以上。

公开(公告)号：CN101126895A

公开(公告)日：2008-02-20

申请号：CN200710008179.5

申请日：2007-01-26

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 野崎耕司 ,  小泽美和

IPC: G03F7/00 ,  G03F7/16 ,  G03F7/20 ,  G03F7/26 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/40

Abstract: 本发明提供一种抗蚀图案形成工艺，其在图案化步骤中甚至能采用ArF准分子激光作曝光光源，能够增厚抗蚀图案(例如孔图案)而与其尺寸无关，并能高度精确地减小抗蚀空间图案的尺寸，同时避免改变抗蚀图案的形状，由此使这种工艺简单、廉价和有效，同时突破曝光设备的光源的曝光(分辨率)极限。本发明的抗蚀图案形成工艺包括：形成抗蚀图案；在抗蚀图案表面涂覆抗蚀图案增厚材料；加热抗蚀图案增厚材料以增厚抗蚀图案，随后显影；和加热已增厚的抗蚀图案。

公开(公告)号：CN101042531A

公开(公告)日：2007-09-26

申请号：CN200610107443.6

申请日：2006-07-26

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 野崎耕司 ,  小泽美和

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/027 ,  G03F7/20 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L21/0273 ,  G03F7/40 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32139 ,  Y10S430/106 ,  Y10S430/114

Abstract: 本发明提供一种抗蚀剂组合物，该抗蚀剂组合物能够通过抗蚀剂图案增厚材料使抗蚀剂图案均匀地增厚，而与抗蚀剂图案的方向、间隔变化以及抗蚀剂图案增厚材料的成分无关；并且能够以低成本、容易并有效地形成精细的抗蚀剂空间图案，突破曝光设备的光源的曝光极限。该抗蚀剂组合物包含脂环化合物(熔点：90℃－150℃)和树脂。制造半导体器件的方法包括如下步骤：使用抗蚀剂组合物在待处理的工件表面上形成抗蚀剂图案，并在该工件表面上涂覆抗蚀剂图案增厚材料，使其覆盖该抗蚀剂图案的表面，由此使该抗蚀剂图案增厚；以及通过使用增厚的抗蚀剂图案作为掩模蚀刻该工件表面而对该工件表面进行图案化。