公开(公告)号：CN101589335A

公开(公告)日：2009-11-25

申请号：CN200880003167.6

申请日：2008-01-22

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 今井元 ,  菊池哲郎 ,  北川英树 ,  原义仁 ,  嶋田纯也 ,  今出光则

IPC: G02F1/1337 ,  G02F1/1333 ,  G02F1/1343 ,  G02F1/1368

CPC classification number: G02F1/1393 ,  G02F1/133707 ,  G02F2001/134345

Abstract: 本发明提供一种液晶显示装置，其具有垂直取向型的液晶层(32)，像素电极(12)具有多个单位电极部(12a)，多个单位电极部(12a)分别具有导电膜、和形成在导电膜上的多个狭缝(13)。在像素电极与相对电极之间施加规定的电压时，形成与多个单位电极部的各个对应的液晶畴，液晶畴内的液晶分子为大致放射状倾斜的取向状态。由此，为宽视角且响应特性优良。

公开(公告)号：CN101529318A

公开(公告)日：2009-09-09

申请号：CN200780038900.3

申请日：2007-09-07

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 原义仁 ,  菊池哲郎 ,  北川英树 ,  今井元 ,  今出光则 ,  嶋田纯也

IPC: G02F1/1335 ,  G02F1/1343

CPC classification number: G02F1/133553

Abstract: 本发明提供反射效率高的高画质的半透过型和反射型的液晶显示装置和液晶显示装置的制造方法。本发明的液晶显示装置包括使入射光向显示面反射的反射区域，上述反射区域包括金属层、在上述金属层上形成的绝缘层、在上述绝缘层上形成的半导体层、和在上述半导体层上形成的反射层，在上述金属层、上述绝缘层和上述半导体层中至少1个中形成有多个凹部，在上述反射区域的上述反射层中形成有与上述多个凹部相应的多个凹陷，上述多个凹部中的至少2个凹部的端部间的最短距离(a)为4μm以下。

公开(公告)号：CN101432655A

公开(公告)日：2009-05-13

申请号：CN200780015614.5

申请日：2007-04-05

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 菊池哲郎 ,  今井元 ,  北川英树 ,  今出光则 ,  原义仁 ,  岛田纯也 ,  松本隆夫

IPC: G02F1/1335 ,  G02F1/1368

CPC classification number: G02F1/133553 ,  G02F1/133555 ,  G02F1/1362

Abstract: 本发明的目的在于提供低成本的、高画质的半透射型或反射型的液晶显示器。本发明的液晶显示器为具备使入射光朝向显示面进行反射的反射区域的液晶显示器，反射区域具有形成于衬底上的金属层、形成于上述金属层上的半导体层、形成于上述半导体层上的反射层，反射区域具有形成于反射层的表面上的第1凹部、形成于第1凹部中的反射层的表面上的第2凹部、形成于第2凹部中的反射层(63)的表面上的第3凹部。

公开(公告)号：CN109698205B

公开(公告)日：2023-07-04

申请号：CN201811238583.6

申请日：2018-10-23

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 原义仁 ,  北川英树 ,  大东彻 ,  今井元 ,  前田昌纪 ,  川崎达也 ,  伊藤俊克

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/77 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/1368

Abstract: 本发明的课题在于提供一种也可适用于大型液晶面板的有源矩阵基板。有源矩阵基板(100)具备源极总线及栅极总线、分别配置于各像素区域P的薄膜晶体管(10)及像素电极PE、隔着介电层配置于像素电极上的共用电极CE、以及在显示区域内配置于栅极金属层与源极金属层之间的旋涂玻璃层(23)，像素电极是由与薄膜晶体管的氧化物半导体层(7)相同的金属氧化物膜形成，旋涂玻璃层在各像素区域内的形成有薄膜晶体管的部分具有开口部(23p)，旋涂玻璃层位于源极总线SL与栅极总线GL交叉的交叉部Dsg的源极总线与栅极总线之间、且位于各像素区域内的像素电极PE的至少一部分与基板(1)之间。

公开(公告)号：CN109791949B

公开(公告)日：2022-02-25

申请号：CN201780059506.1

申请日：2017-09-21

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 铃木正彦 ,  今井元 ,  北川英树 ,  菊池哲郎 ,  西宫节治 ,  上田辉幸 ,  原健吾 ,  大东彻 ,  伊藤俊克

IPC: H01L29/786 ,  C23C14/08 ,  C23C14/58 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L21/363

公开(公告)号：CN113257835A

公开(公告)日：2021-08-13

申请号：CN202110096761.1

申请日：2021-01-25

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 铃木正彦 ,  菊池哲郎 ,  北川英树 ,  西宫节治 ,  原健吾 ,  高畑仁志 ,  大东彻

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/77

Abstract: 一种有源矩阵基板，具备多个栅极总线、多个源极总线、下部绝缘层、层间绝缘层、多个氧化物半导体TFT、像素电极以及多个源极接触部，各氧化物半导体TFT具有：氧化物半导体层，其配置在下部绝缘层上；栅极电极，其隔着栅极绝缘层配置在氧化物半导体层的一部分上；以及源极电极，其形成在基板与下部绝缘层之间，与源极总线由相同的导电膜形成，各源极接触部具有：源极接触孔，其形成于下部绝缘层和层间绝缘层，并且使1个氧化物半导体TFT中的氧化物半导体层的第1区域的一部分和源极电极的一部分露出；以及连接电极，其配置在层间绝缘层上和源极接触孔内，在源极接触孔内连接到第1区域的一部分和源极电极的一部分。

公开(公告)号：CN107004603B

公开(公告)日：2021-03-09

申请号：CN201580064209.7

申请日：2015-11-19

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 菊池哲郞 ,  今井元 ,  越智久雄 ,  藤田哲生 ,  北川英树 ,  铃木正彦 ,  川岛慎吾 ,  大东彻

IPC: H01L21/336 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/28 ,  H01L29/417 ,  H01L29/786

Abstract: 半导体装置包括基板以及支撑于基板的薄膜晶体管。薄膜晶体管具有氧化物半导体层、形成于栅极及氧化物半导体层之间的栅极绝缘层、以及电性连接于氧化物半导体层的源极以及漏极。栅极绝缘层包含由氧化物半导体层覆盖的第一部分、以及与第一部分邻接且未由氧化物半导体层、源极以及漏极的任一者覆盖的第二部分。第二部分较第一部分薄，第二部分与第一部分的厚度的差超过0nm且为50nm以下。

公开(公告)号：CN110494798A

公开(公告)日：2019-11-22

申请号：CN201880022067.1

申请日：2018-03-26

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 北川英树 ,  今井元 ,  伊藤俊克 ,  菊池哲郎 ,  铃木正彦 ,  上田辉幸 ,  原健吾 ,  西宫节治 ,  大东彻

IPC: G02F1/1368 ,  G09F9/30

Abstract: 提供一种既抑制像素缺陷的产生又高清晰的有源矩阵基板。其具备：第1半导体膜，其与在行方向上相邻的2个子像素中的一个子像素对应；第2半导体膜，其与在行方向上相邻的2个子像素中的另一个子像素对应；晶体管，其将上述第1半导体膜的一部分作为行方向上的沟道；以及像素电极，其经由接触孔连接到上述晶体管的漏极电极，在俯视时，从上述沟道的漏极电极侧边缘到上述接触孔的底面为止的行方向上的距离(dc)为行方向上的子像素间距(dp)的0.15倍以上。

公开(公告)号：CN109891483A

公开(公告)日：2019-06-14

申请号：CN201780064648.7

申请日：2017-10-12

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 上田辉幸 ,  北川英树 ,  大东彻 ,  今井元 ,  铃木正彦 ,  西宫节治 ,  菊池哲郎 ,  伊藤俊克 ,  原健吾

IPC: G09F9/30 ,  G02F1/1333 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/00 ,  H01L29/786

Abstract: 有源矩阵基板(100A)具有：栅极金属层(15)，其具有Cu层(15b)/Ti层(15a)的2层结构；栅极金属层(15)上的第1绝缘层(16)；第1绝缘层(16)上的具有Cu层(18b)/Ti层(18a)的2层结构的源极金属层(18)；源极金属层(18)上的第2绝缘层(19)；导电层(25)，其形成在第2绝缘层(19)上，在第1绝缘层(16)的第1开口部(16a1)内与栅极金属层(15)接触，并且在第2绝缘层(19)的第2开口部(19a2)内与源极金属层(18)接触；以及第1透明导电层(21)，其形成在导电层(25)上，包含像素电极、共用电极以及辅助电容电极之中的任意一者，导电层(25)不包含像素电极、共用电极、辅助电容电极之中的任何一者，且不具有与栅极金属层(15)的Cu层(15b)接触的Ti层。

公开(公告)号：CN109791949A

公开(公告)日：2019-05-21

申请号：CN201780059506.1

申请日：2017-09-21

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 铃木正彦 ,  今井元 ,  北川英树 ,  菊池哲郎 ,  西宫节治 ,  上田辉幸 ,  原健吾 ,  大东彻 ,  伊藤俊克

IPC: H01L29/786 ,  C23C14/08 ,  C23C14/58 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L21/363

Abstract: 半导体装置具备包含半导体层(7)、栅极电极(3)、栅极绝缘层(5)、源极电极(8)以及漏极电极(9)的薄膜晶体管(101)，半导体层(7)具有层叠结构，该层叠结构包含：第1氧化物半导体层(71)，其包含In和Zn，第1氧化物半导体层所包含的In相对于全部金属元素的原子数比大于第1氧化物半导体层所包含的Zn相对于全部金属元素的原子数比；第2氧化物半导体层(72)，其包含In和Zn，第2氧化物半导体层所包含的Zn相对于全部金属元素的原子数比大于第2氧化物半导体层所包含的In相对于全部金属元素的原子数比；以及中间氧化物半导体层(70)，其配置在第1氧化物半导体层与第2氧化物半导体层之间，第1氧化物半导体层和第2氧化物半导体层是结晶质氧化物半导体层，中间氧化物半导体层是非晶质氧化物半导体层，第1氧化物半导体层(71)配置在比第2氧化物半导体层(72)靠栅极绝缘层(5)侧。