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公开(公告)号：CN106019470A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201610415510.4
申请日：2016-06-14
Applicant: 长飞光纤光缆股份有限公司
IPC: G02B6/036
CPC classification number: G02B6/036
Abstract: 本发明涉及一种超低衰减单模光纤，包括有芯层和包绕芯层的包层，其特征在于所述的芯层半径r1为3.5～4.5μm，相对折射率Δn1为0.02～0.14％，所述的芯层为掺氯的二氧化硅玻璃层，芯层中氯的含量为0.4‑2wt％，所述的包层为由内向外依次包绕芯层的内包层、下陷内包层、辅助外包层和外包层，所述的内包层半径r2为8～10μm，相对折射率Δn2小于或等于‑0.23％，所述的下陷内包层半径r3为10.5～17μm，相对折射率Δn3小于或等于‑0.40％，所述的辅助外包包层半径r4为35～50μm，相对折射率Δn4小于或等于‑0.23％，所述的外包层为纯二氧化硅玻璃外包层。本发明不仅衰减低，而且芯包层设置合理，粘度匹配优，制作工艺简便。
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公开(公告)号：CN105911639A
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201610347146.2
申请日：2016-05-24
Applicant: 长飞光纤光缆股份有限公司
IPC: G02B6/02
CPC classification number: G02B6/02295
Abstract: 本发明涉及一种用于光通信传输系统的低衰减单模光纤，包括有芯层和包层，其特征在于所述的芯层半径R1为4.0μm～7.0μm，相对折射率差Δ1为0.15％～0.35％，所述的包层包括下陷内包层和下陷外包层，所述的下陷内包层半径R2为7.0μm～12.0μm，下陷内包层相对折射率差Δ2为?0.33％～?0.05％，所述的下陷外包层相对折射率差Δ3为?0.29％～?0.05％。本发明在普通阶跃型剖面的基础上减少芯层掺锗量、增加包层掺氟量，在满足单模传输波导所需的芯包折射率差的基础上，将芯层和包层折射率同时下移，这样可以大大降低芯层掺杂剂浓度波动引起的瑞利散射损耗，而且，掺杂剂的改变使芯层粘度增加、包层粘度下降，芯包层粘度匹配得到进一步改善，这样可以减小拉丝过程产生的内应力，从而也可进一步降低衰减。
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公开(公告)号：CN105334570A
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：CN201510833247.6
申请日：2015-11-26
Applicant: 长飞光纤光缆股份有限公司
CPC classification number: G02B6/0285 , G02B6/0365
Abstract: 本发明涉及一种用于光通信传输系统的低衰减弯曲不敏感单模光纤，包括有芯层和包层，其特征在于所述的芯层折射率按α次抛物线形分布，分布指数α为1.5～9.0，所述的包层从内到外依次为内包层、中间包层和外包层，所述的抛物线形芯层最大相对折射率差Δ1为0.25％～0.45％，芯层半径R1为5.0μm～7.0μm；所述的内包层相对折射率差Δ2为-0.20％～0％，内包层半径R2为7.0μm～10.0μm；所述的中间包层相对折射率差Δ3为-0.20％～0％，中间包层半径R3为10.0μm～20.0μm；所述的外包层为纯石英玻璃层。本发明不仅折射率剖面设计合理，掺杂量低，而且具有优良的抗衰减和抗弯曲性能。
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公开(公告)号：CN104360434A
公开(公告)日：2015-02-18
申请号：CN201410633787.5
申请日：2014-11-12
Applicant: 长飞光纤光缆股份有限公司
CPC classification number: G02B6/03683 , G02B6/02014 , G02B6/02019 , G02B6/02266 , G02B6/036
Abstract: 本发明涉及一种超低衰减大有效面积的单模光纤，包括有芯层和包层，所述的芯层半径r1为4.8~6.5μm，芯层相对折射率差Δn1为-0.06%~0.10%；芯层外从内向外依次包覆内包层，下陷内包层，辅助外包层和外包层，所述的光纤的内包层半径r2为9~15μm，相对折射率差Δn2为-0.40%~-0.15%；所述的下陷内包层半径r3为12~17μm，相对折射率差Δn3为-0.8%~-0.3；所述的辅助外包层半径r4为37~50μm，相对折射率差Δn4范围为-0.6%~-0.25%；所述外包层为纯二氧化硅玻璃层。本发明的截止波长、弯曲损耗、色散等综合性能参数在应用波段良好，足够小的的成缆截止波长，以保证该类光纤在C波段传输应用中光信号的单模状态，光纤剖面采用多层阶梯状下陷包层结构，具有较宽的下陷包层结构用于限制基模泄露，对光纤的弯曲损耗具有较好的改进作用。
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公开(公告)号：CN116253504A
公开(公告)日：2023-06-13
申请号：CN202310142624.6
申请日：2023-02-17
Applicant: 长飞光纤光缆股份有限公司
IPC: C03B37/018
Abstract: 本发明涉及一种OVD工艺沉积装置，包括有沉积腔体，沉积腔体中安设有上、下旋转夹盘，对应于上、下旋转夹盘安设有上下间隔的喷灯，上、下旋转夹盘或喷灯与上下移动装置相连，沉积腔体的一侧与进风腔相连通，沉积腔体的另一侧与抽风腔相连通，上、下旋转夹盘装夹沉积靶棒，其特征在于所述的上、下旋转夹盘或沉积靶棒上对应安设上、下旋转挡盘。本发明设置上、下旋转挡盘相当于在沉积粉棒的上下端安设隔热保温挡板，将因对流上涌的热量反弹回粉棒处，减小整根粉棒上下部的温度差异，保持沉积加热区域较低的温度差异，使得沉积粉棒温度分布上下趋于均匀，从而提升沉积效率和沉积质量。本发明结构设置简单，但效果明显，不仅可以保温节能，而且操作简便，降低了生产成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115682962A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202211255841.8
申请日：2022-10-13
Applicant: 长飞光纤光缆股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种光掩模基板外形尺寸测量系统及方法，属于半导体和显示面板光掩模基板制造领域，该系统包括：样品转移单元、样品运动单元及光学测量系统；样品转移单元，用于将被测光掩模基板在待检区域和测试区域间进行转移；样品运动单元，用于配合光学测量系统调整被测光掩模基板的俯仰角度、旋转角度和高度；光学测量系统，用于测量被测光掩模基板的外形尺寸。通过本发明提供一种精度高、重复性高、无损伤、性价比高的光掩模基板外形尺寸测量系统及方法。
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公开(公告)号：CN114993925A
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202210693019.3
申请日：2022-06-17
Applicant: 长飞光纤光缆股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种测试光掩膜基板耐辐照性能的系统及方法，属于半导体光掩膜基板生产制造技术领域，激光辐照单元，用于对通过样品运送单元运送的待测试光掩膜基板样品进行预设次数的激光辐照；透过率测试单元，用于在激光辐照单元对待测试光掩膜基板样品进行辐照前，对通过样品运送单元运送的待测试光掩膜基板样品进行辐照前透过率测试，并在激光辐照单元对待测试光掩膜基板样品进行预设次数的辐照后，进行辐照后透过率测试，根据辐照前后待测试光掩模基板样品的透过率变化情况衡量待测试光掩膜基板的耐辐照性能。通过本发明可以解决光掩膜基板的耐辐照性能测试问题。
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公开(公告)号：CN114325928A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111662461.1
申请日：2021-12-31
Applicant: 长飞光纤光缆股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种低损耗抗弯曲单模光纤，包括芯层和包层，其特征在于所述的芯层半径R1为3～5μm，相对折射率差Δn1为‑0.1％～0.15％，所述的包层由内向外依次分为内包层和外包层，所述的内包层半径R2为20～35μm，相对折射率差Δn2为‑0.42％～‑0.2％，所述的外包层半径R为62.5μm，相对折射率差Δn3＝‑0.37％～‑0.15％。本发明设置合理的芯层波导结构和掺杂，降低芯层的浓度因子和瑞利散射系数，使得光纤的衰减更低。本发明芯包层剖面和掺杂设置合理，进一步改善了光纤的粘度匹配，使光纤既能满足低衰减的要求，又能抗弯，并与常规G.652.D光纤兼容，本发明能采用高速拉丝，提高生产效率，从而降低光纤制造的成本。
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公开(公告)号：CN114212978A
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN202111655488.8
申请日：2021-12-31
Applicant: 长飞光纤光缆股份有限公司
IPC: C03B20/00 , C03B37/014 , C03B37/07
Abstract: 本发明公开了一种石英玻璃棒温度和功率联合控制真空烧结方法，升温至烧结温度前，加热电源采用温度PID控制模式，达到烧结温度10min后，程序自动切换至功率控制模式，以避免因红外测温不准，而造成石英玻璃棒因实际温度过高造成的玻璃棒拉长报废的问题，烧结阶段Phase结束后，程序再自动切换至温度PID控制模式；根据上一炉烧结运行数据，各段红外测温温度和加热电源功率输出，对下一炉烧结配方recipe数据进行修正；本发明采用温度和功率联合控制控制，可实现真空烧结多段红外温度与实际温度相差较大时，仍可烧结出均匀性较好的石英玻璃棒，以提高真空烧结设备使用率和石英玻璃棒成品合格率。
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公开(公告)号：CN109020185B
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN201810876301.9
申请日：2018-08-03
Applicant: 长飞光纤光缆股份有限公司
IPC: C03B37/018
Abstract: 本发明涉及一种微结构光纤预制棒的制备方法，采用管内等离子体化学气相沉积工艺,混合气体从衬管的一端进入管内，衬管另一端为气体排出端，衬管另一端连接真空泵，控制衬管内压力10~50mBar，沉积玻璃态二氧化硅时，谐振腔功率为4000W或4000W以上，衬管内压力为10~20mBar，此沉积成非多孔微结构层，沉积多孔粉末状态二氧化硅时，谐振腔功率为4000W以下，衬管内压力为15~40mBar，此沉积成多孔微结构层，沉积完毕后，将以沉积衬管加温熔缩成实芯光纤预制棒，所述的光纤预制棒包括多孔微结构层和玻璃态二氧化硅层。本发明可根据设计要求调控不同谐振腔功率和衬管内压力，得到满足要求的多孔尺寸和分布。该方法工艺简便，适于工业化生产。
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