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公开(公告)号：CN113943920B
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202110887924.8
申请日：2021-08-03
Applicant: 国家电投集团科学技术研究院有限公司 , 国家电投集团新能源科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种硅异质结太阳电池中TCO薄膜和Cu种子层的制备方法，包括：a、在PVD设备内对形成有非晶硅薄膜的硅异质结电池正背表面进行TCO1薄膜沉积；b、将所述沉积TCO1薄膜后的硅异质结电池在所述PVD设备内进行铜种子层沉积；c、将所述沉积铜种子层后的硅异质结电池在所述PVD设备内进行TCO2薄膜沉积。本发明的方法通过PVD技术形成TCO1/铜种子层/TCO2结构，并且采用真空退火处理，沉积形成的TCO2薄膜保证了真空退火无论在PVD腔室内或者设备外均可进行，有效改善了TCO薄膜与铜的界面质量，从而提高了电池性能。
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公开(公告)号：CN117750851A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202211109869.0
申请日：2022-09-13
Applicant: 国家电投集团科学技术研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种3D/2D钙钛矿太阳能电池和制备方法，3D/2D钙钛矿太阳能电池的制备方法包括以下步骤：在衬底上制备第一功能层，第一功能层为空穴传输层和电子传输层中的一者；固定所述衬底，采用涂布工艺在所述第一功能层上从所述衬底的一端开始制备钙钛矿薄膜；使用脉冲光对所述钙钛矿薄膜进行退火，同时在所述钙钛矿薄膜上涂布有机离子卤化物溶液以形成2D钙钛矿层，带有所述2D钙钛矿层的所述钙钛矿薄膜构成钙钛矿吸光层；在所述钙钛矿吸光层上制备第二功能层，所述第二功能层为所述空穴传输层和所述电子传输层中的另一者；在所述第二功能层上制备电极层。本发明提供的3D/2D钙钛矿太阳能电池的制备方法具有能够辅助晶粒生长，实现可调控结晶的优点。
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公开(公告)号：CN117737665A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202211109890.0
申请日：2022-09-13
Applicant: 国家电投集团科学技术研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种金属氧化物掺杂方法，所述金属氧化物掺杂方法包括：提供一真空电镀设备，在真空电镀设备内放置镀膜靶材和掺杂靶材，将样品放置在真空电镀设备的样品台上；使用镀膜靶材对样品进行真空电镀，沉积至预设厚度后停止电镀，使样品上形成镀膜金属薄膜；使用掺杂靶材对样品进行真空电镀，沉积至预设厚度后停止电镀，使样品上形成镀膜金属和掺杂金属的复合薄膜；利用脉冲光对复合薄膜进行加热；重复使用镀膜靶材和掺杂靶材对样品进行真空电镀并对复合薄膜进行脉冲光加热，直至镀膜厚度达到所需制备的厚度。本发明使用真空电镀对样品依次进行不同的靶材镀膜，并利用脉冲光对样品进行单层加热，使不同的金属掺杂的同时不会损伤样品。
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公开(公告)号：CN117677253A
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202210957883.X
申请日：2022-08-10
Applicant: 国家电投集团科学技术研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种钙钛矿薄膜及其制备方法与一种叠层太阳电池。钙钛矿薄膜的制备方法，包括：(1)将PbBr2、PbI2、CsI加入溶剂中，得到前驱体溶液；将所述前驱体溶液涂覆在基底上得到湿膜；(2)将FAI的粉体放置于所述湿膜旁；抽真空，停止抽真空后，加热，使所述FAI的粉体气化，与所述湿膜反应，得到钙钛矿薄膜。本发明的方法制备得到的钙钛矿薄膜晶体均匀，成膜质量高，适用于粗糙基底，可以制备大面积的太阳电池，设备成本低、操作方便。
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公开(公告)号：CN115274767B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202210347717.8
申请日：2022-04-01
Applicant: 国家电投集团科学技术研究院有限公司 , 国家电投集团新能源科技有限公司
IPC: H10K39/15 , H01L31/0224 , H01L31/032 , H01L31/0725 , H10K30/40
Abstract: 本发明公开了一种叠层太阳能电池，包括第一电极层、第二电极层和透明电池，所述第一电极层和所述第二电极层为可透光材质，所述第一电极层和所述第二电极层平行间隔布置；所述透明电池连接在所述第一电极层和所述第二电极层之间且可透光，所述透明电池包括多个子电池和至少一个隧穿层，多个所述子电池和至少一个隧穿层一一交替布置，相邻两个所述子电池之间通过对应的所述隧穿层相连，所述子电池适于吸收阳光并将阳光中的部分太阳能转化为电能，多个所述子电池的带隙不同以适于吸收不同波长的阳光。本发明实施例的叠层太阳能电池具有透光性好、发电效率高的优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114005899A
公开(公告)日：2022-02-01
申请号：CN202111237278.7
申请日：2021-10-21
Applicant: 国家电投集团科学技术研究院有限公司
IPC: H01L31/05 , H01L31/0224 , H01L31/0747 , H01L31/18 , H01L31/20
Abstract: 本发明公开了一种具有电极贯穿孔的硅异质结电池组及其制备方法，硅异质结电池组包括多个串联的硅异质结电池，硅异质结电池包括硅异质结主体、设置于硅异质结主体上表面和设置于硅异质结主体下表面的导电图形，硅异质结主体上沿其厚度方向设有电极贯穿孔，电极贯穿孔内填充有导电材料，电极贯穿孔的上端与硅异质结主体上表面的栅线相连，电极贯穿孔的下端与导电图形相连，导电图形与相邻的硅异质结电池下表面的栅线相连。本方发明实施例的硅异质结电池组可提高组件良率，还最大限度地提高了焊接性和导电性，有利于保证组件长期可靠性。
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公开(公告)号：CN113035995A
公开(公告)日：2021-06-25
申请号：CN201911350645.7
申请日：2019-12-24
Applicant: 国家电投集团科学技术研究院有限公司 , 国家电投集团新能源科技有限公司
IPC: H01L31/18 , H01L31/0224 , H01L31/0747
Abstract: 本发明提供了用于硅异质结太阳电池的ITO薄膜的制备方法。用于硅异质结太阳电池的ITO薄膜的制备方法包括：提供基底，基底包括晶硅衬底和形成在晶硅衬底两个相对设置的表面上的非晶硅薄膜；在第一特定环境中，在非晶硅薄膜的表面上沉积形成第一ITO薄膜，第一特定环境中包括水汽。由此，非晶硅薄膜与第一ITO薄膜之间的界面以及第一ITO薄膜内部形成大量的氢原子，氢原子的还原能力能够阻止非晶硅薄膜与第一ITO薄膜之间的界面形成氧化硅，进而提高非晶硅薄膜与第一ITO薄膜之间的界面质量和界面性能，提高界面之间的载流子的输运。
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公开(公告)号：CN110634990A
公开(公告)日：2019-12-31
申请号：CN201910807485.8
申请日：2019-08-29
Applicant: 国家电投集团科学技术研究院有限公司 , 国家电投集团新能源科技有限公司
IPC: H01L31/18 , H01L31/0224 , H01L31/04
Abstract: 本发明提供了硅异质结太阳电池的ITO薄膜的制备方法。硅异质结太阳电池的ITO薄膜的制备方法包括：提供基底，所述基底包括晶硅衬底和形成在晶硅衬底两个相对的表面上的非晶硅薄膜；在基底远离晶硅衬底的至少一个表面上溅射沉积缓冲ITO薄膜；在缓冲ITO薄膜远离晶硅衬底的表面上溅射沉积导电ITO薄膜；沉积导电ITO薄膜的功率密度和靶电压两参数中至少一个高于沉积缓冲ITO薄膜的对应参数。由此，上述方法可以制备性能良好的硅异质结太阳电池的ITO薄膜。
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公开(公告)号：CN108987488A
公开(公告)日：2018-12-11
申请号：CN201710457372.0
申请日：2017-06-16
Applicant: 国家电投集团科学技术研究院有限公司
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0747 , H01L31/20
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 本发明公开了硅异质结太阳电池及其制备方法。其中，该硅异质结太阳电池包括：n型晶硅衬底；第一轻掺杂n型氢化非晶硅层；重掺杂p型氢化非晶硅发射极层；第一透明导电氧化物层；第二轻掺杂n型氢化非晶硅层；重掺杂n型氢化非晶硅背场层；第二透明导电氧化物层；以及多个金属栅线电极层。该硅异质结太阳电池采用轻掺杂的氢化非晶硅替代本征非晶硅作为钝化层，可以在保证良好的界面钝化作用的前提下，显著改善串联电阻，提高电池性能。
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公开(公告)号：CN218656060U
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202221915667.0
申请日：2022-07-21
Applicant: 国家电投集团科学技术研究院有限公司 , 国家电投集团新能源科技有限公司
Abstract: 本实用新型涉及光伏组件回收技术领域，具体涉及一种光伏组件回收系统,所述光伏组件回收系统包括移动单元、回收单元和供电单元，移动单元内具有腔室。回收单元位于腔室内，且回收单元与移动单元相连，回收单元用以对光伏组件进行预处理。供电单元与回收单元相连，用以对回收单元提供电能，本实用新型提出的一种光伏组件回收系统，利用绿电对退役光伏组件进行就地拆解，将其中重量占比最大的玻璃从组件上完整剥离下来，降低回收成本。
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