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公开(公告)号：CN111835303A
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN202010735178.6
申请日：2020-07-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明涉及放大电路技术领域，提供一种微弱脉冲信号放大电路和微尘探测器，包括输入电容、冲击传感器、电荷灵敏前置放大子电路和电荷灵敏后置放大子电路，输入电容和冲击传感器各自与电荷灵敏前置放大子电路的输入端电连接，电荷灵敏后置放大子电路与电荷灵敏前置放大子电路级联组成电荷灵敏放大子电路，成倍提高了电荷灵敏放大子电路的放大倍率，提升了电荷灵敏放大子电路的信号放大能力，在冲击传感器处于空闲状态下，利用输入电容，测试电荷灵敏放大子电路与冲击传感器适配，在冲击传感器处于探测状态下，输入电容防止输出微弱电荷脉冲信号至电荷灵敏放大子电路的性能，以免输入电容对冲击传感器产生信号干扰。
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公开(公告)号：CN111766438A
公开(公告)日：2020-10-13
申请号：CN202010735256.2
申请日：2020-07-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01R19/25
Abstract: 本发明提供了一种瞬态电流测试系统及其测试方法，涉及电路测试领域。本发明所述的瞬态电流测试系统，包括能量注入模块、SET感应模块和采样模块，所述能量注入模块与所述SET感应模块连接，所述采样模块与所述SET感应模块连接；所述能量注入模块用于将被测电流导入所述SET感应模块；所述SET感应模块用于基于所述被测电流产生SET波形；所述采样模块用于对所述SET波形采样。本发明所述的技术方案，通过将具有危害性的SET信号应用在波形展宽，捕获皮秒级信号，从而实现皮秒级脉冲测试。
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公开(公告)号：CN108335770B
公开(公告)日：2019-08-02
申请号：CN201810130004.X
申请日：2018-02-08
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G21F1/02 , G21F1/08 , G21F1/10 , G21F1/12 , G21F3/00 , H01B1/02 , H01B1/04 , H01L23/373 , H01L23/48 , B82Y30/00
Abstract: 一种多功能的梯度结构柔性防护薄膜，它涉及空间环境中电子器件防护领域，特别是一种抗空间带电粒子辐射以及具有优异导电导热性能的纳米薄膜防护金属膜柔性聚合物多层梯度结构功能防护材料。本发明是要解决现有抗空间辐射防护材料存在质量重、非柔性、成本高及易于产生二次粒子的问题。多功能的梯度结构柔性防护薄膜为三层结构，所述三层结构分别为纳米管薄膜、微纳米单质层和柔性聚合物；所述纳米管薄膜为石墨烯薄膜、氮化硼纳米管或碳纳米管薄膜；微纳米单质层中所述单质为铝、镍、钛、铜或银；所述柔性聚合物为低密度聚乙烯、高密度聚乙烯、超高分子量聚乙烯或微纳米粒子掺杂聚合物。本发明用于电子器件防护。
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公开(公告)号：CN108345023A
公开(公告)日：2018-07-31
申请号：CN201810135793.6
申请日：2018-02-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01T1/02
CPC classification number: G01T1/02
Abstract: 本发明提供基于吸收剂量深度分布计算辐射敏感部位电离吸收剂量的方法，属于空间环境效应、核科学与应用技术领域。本发明首先选取一种已知一维电离吸收剂量深度分布的材料，并将其吸收剂量深度分布转化为吸收剂量随等效厚度的分布；对辐射敏感部位所处的结构进行区域划分，确定各区域材料种类、材料厚度以及辐射敏感部位与区域连线的最大角度；然后将各个区域的材料的厚度转化为等效厚度，确定各个等效厚度的吸收剂量和单向吸收剂量，最终计算得到结构中敏感部位的电离吸收剂量。本发明解决了现有技术辐射敏感部位电离吸收剂量计算复杂、耗时长的问题。本发明可用于快速评估航天器等复杂结构的电离吸收剂量。
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公开(公告)号：CN115203920B
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202210768380.8
申请日：2022-06-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/20
Abstract: 本发明提供一种空间环境模型的表征方法，包括：接收任务开始时间、任务结束时间和仿真步长；分别对飞行器模型中的多个轨道计算模型以及多个空间环境模型的参数进行初始化；根据任务开始时间、任务结束时间以及仿真步长，获取仿真时刻，再通过仿真时刻，分别获取每个仿真时刻中飞行器的空间位置数据及每个飞行器在每个空间环境模型下的空间环境量化表征数据；对飞行器在不同所述空间环境模型下的空间环境量化表征数据进行对比分析。本发明提供的空间环境模型的表征方法能够对不同空间环境模型的优劣进行对比，并得到空间环境模型的准确性、适用性和覆盖性等信息，为空间环境模型的工程应用提供重要依据。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115203919B
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202210768336.7
申请日：2022-06-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/20
Abstract: 本发明提供了一种航天器在轨运行状态的显示方法，涉及航天器仿真计算技术领域，所述方法包括：解析环境文件，将解析后的数据信息存入内存结构中，所述数据信息包括航天器四元数、轨道六根数、原子氧密度、来流方向、光照方向以及经纬高中的一种或几种；创建播放控制组件，利用所述播放控制组件实现航天器在轨运行中迎风面、受晒面和/或运行轨道的显示，其中，所述播放控制组件根据所述内存结构中原始数据的时间设置所述播放控制组件的起止时间范围以实现对显示影像画面的播放控制。与现有技术比较，本发明可达到直观显示航天器在轨运行过程中迎风面、受晒面以及运行轨道的目的，且方法简单，显示准确。
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公开(公告)号：CN115186535B
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202210759740.8
申请日：2022-06-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/23 , G06F30/25 , G06F9/50 , G06F111/08 , G06F113/28
Abstract: 本发明提供了一种航天器表面原子氧或紫外通量的蒙特卡罗模拟方法，涉及航天器仿真计算技术领域，所述方法包括：创建主线程和子线程，主线程将航天器各运动轨迹点上的随机实验参数统一到本体坐标系后，按照航天器组件结构关系将航天器表面剖分的多个多边形网格单元分成第一结构单元和第二结构单元，并为各个子线程分配模拟任务；每个子线程根据所述模拟任务，得到模拟粒子的位置坐标和相对运动方向，并通过第一结构单元和所述第二结构单元计算每个模拟粒子碰触的多边形网格单元；主线程根据各个子线程的计算结果，得到航天器表面原子氧通量或紫外通量。本发明能够减少蒙特卡罗模拟的时间，提高计算精度和效率。
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公开(公告)号：CN111863941B
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202010735219.1
申请日：2020-07-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L29/06 , H01L23/552 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供了一种抗辐射VDMOS器件及其制备方法。所述抗辐射VDMOS器件的制备方法包括：在完成VDMOS器件的源极接触孔刻蚀后，向肼区内多次注入或扩散重金属离子，在所述肼区内形成重金属离子注入或扩散区，且所述重金属离子注入或扩散区的掺杂浓度自远离衬底一侧向靠近所述衬底一侧递减。本发明通过对外延层进行多次重金属离子注入或扩散，增加外延层辐射诱导电子空穴对的复合率，减少在高电场下电荷的收集效率，提升功率器件的抗单粒子烧毁能力，同时还能够保证VDMOS器件本身的高性能指标。另外，本发明与常规的功率VDMOS器件的制备方法工艺上兼容，步骤简单，易于操作。
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公开(公告)号：CN115064229B
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202210762584.0
申请日：2022-06-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明提供了一种基于杂化密度泛函的SiC单晶缺陷性质的计算方法，涉及计算机模拟材料计算相关技术领域，包括如下步骤：步骤S1：将SiC原胞的晶格常数调整为实验值后，利用vasp软件对SiC原胞进行结构优化和弛豫，得到稳定态的SiC原胞；步骤S2：选取K点进行能带计算，基于杂化密度泛函测试不同混合参数下SiC原胞的禁带宽度，选择禁带宽度与实验值相匹配的混合参数；杂化密度泛函包括HSE泛函和PBE泛函；步骤S3：将SiC原胞扩大成超胞，在超胞中构建缺陷模型，对缺陷模型进行结构优化后，利用混合参数对优化后的缺陷模型进行自洽计算；步骤S4：获取计算数据，建立SiC缺陷性质数据库。本发明实现了对碳化硅单晶缺陷性质的精确计算。
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公开(公告)号：CN111855704B
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN202010735183.7
申请日：2020-07-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01N23/02
Abstract: 本发明提供了一种双极晶体管电离损伤敏感部位的检测方法，包括以下步骤：选择辐照源，针对待测双极晶体管开展辐照试验；将辐照后的双极晶体管安装到深能级瞬态谱仪的测试台上，设置测试参数；选择至少2个不同的偏置电压，测试双极晶体管获取深能级瞬态谱；根据深能级瞬态谱中的信号峰位置，判定缺陷是否为电离缺陷；根据深能级瞬态谱中的缺陷信号能级，判定缺陷类型为氧化俘获电荷或界面态；根据缺陷信号类型的判断结果，判定双极晶体管的电离损伤敏感区。本发明检测方法基于深能级瞬态谱分析，能够快速判断和评估双极晶体管辐射损伤的敏感区，有利于推进辐射环境下双极器件性能退化等效性问题和抗辐射加固技术的研究。(56)对比文件CN 109061430 A,2018.12.21CN 106571300 A,2017.04.19肖化宇;杨潇;唐义强;曾慧中;张万里.HfO2/SrTiO3氧化物场效应晶体管的深能级瞬态谱测试方法研究.电子测量技术.2020,第43卷(第09期),全文.李兴冀;兰慕杰;刘超铭;杨剑群;孙中亮;肖立伊;何世禹.偏置条件对NPN及PNP双极晶体管电离辐射损伤的影响研究.物理学报.2013,第62卷(第09期),全文.Li, Xingji;Liu, Chaoming;Yang,Jianqun;Ma, Guoliang.Research on theCombined Effects of Ionization andDisplacement Defects in NPN TransistorsBased on Deep Level TransientSpectroscopy.IEEE Transactions on NuclearScience.2015,第62卷(第02期),全文.董磊;杨剑群;甄兆丰;李兴冀.预加温处理对双极晶体管过剩基极电流理想因子的影响机制.物理学报.2020,(第01期),全文.李兴冀;陈朝基;杨剑群;刘超铭;马国亮.氢气气氛下横向PNP晶体管电离损伤行为.太赫兹科学与电子信息学报.2017,(第04期),全文.杨晨;刘轮才;龚敏;蒲林;程兴华;谭开州;王健安;石瑞英.γ辐照对SiGe HBT特性的影响.四川大学学报(自然科学版).2007,(第03期),全文.杨剑群等.Si_3N_4钝化层对横向PNP双极晶体管电离辐射损伤的影响机理《.物理学报》.2018,(第16期),陈蒲生等.快速热氮化的SiO_xN_Y膜界面特性的DLTS研究《.固体电子学研究与进展》.1993,(第02期),王德君等.SiC MOS界面氮等离子体改性及电学特性评价《.固体电子学研究与进展》.2009,(第02期),柳兆洪等.掺铒硫化锌薄膜电致发光的动态特性《.物理学报》.1999,(第09期),
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