公开(公告)号：CN101003109A

公开(公告)日：2007-07-25

申请号：CN200610151221.4

申请日：2006-12-29

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 何鹏 ,  冯吉才 ,  谢凤春 ,  刘多

IPC: B23K35/30 ,  B23K35/40 ,  C22C1/02 ,  B22D41/00 ,  B21C31/00 ,  B21C1/02 ,  C21D9/52 ,  C21D11/00

Abstract: 一种活性中温铜基钎料及其制备方法，本发明涉及一种钎料及其制备方法。它为了解决用原有的钎料制造工艺制造的钎料里含有镉及含银量高的问题。活性中温铜基钎料按照质量百分比由2.0～4.0％的Ni、8.0～10.0％的Sn、3.0～5.0％的P、0.5～2.5％的Ag、1.0～3.0％的Mn、0.1～0.4％的Li、0.1～0.3％的La和余量的Cu制成。通过以下步骤制备：(一)准备原料；(二)熔炼；(三)浇铸；(四)挤压；(五)拉拔，得到一种活性中温铜基钎料。本发明制备的活性中温铜基钎料不含有有毒物质镉，银含量仅占质量分数的0.5～2.5％，熔化温度在600～680℃之间，塑性高，能拉拔成直径为0.5～2.0mm的细丝，制备的成品率在95～99％之间。

公开(公告)号：CN117550910A

公开(公告)日：2024-02-13

申请号：CN202311378812.5

申请日：2023-10-24

Applicant: 哈尔滨工业大学(威海)

Inventor： 宋延宇 ,  陈乃斌 ,  刘多 ,  朱海涛 ,  胡胜鹏 ,  宋晓国

IPC: C04B37/02 ,  C04B41/82 ,  H01L23/373 ,  H01L23/367

Abstract: 本发明公开了一种激光辅助制备陶瓷与金属复合基板方法，包括：将陶瓷和金属进行预处理，其中陶瓷的材质为氮化硅、氮化铝或氧化铝，金属的材质为铝或铜；将预处理后的陶瓷放置在激光加工平台上，在真空或惰性气体的保护状态下对陶瓷表面进行激光照射，以实现陶瓷表面的改性；将改性后的陶瓷和预处理后的金属层叠设置得到连接结构，并将连接结构放置于真空扩散连接装置内，其中陶瓷位于金属的上方，对连接结构进行加热加压，以实现陶瓷和金属的直接扩散连接。上述的方法能够使得陶瓷与金属的连接温度显著降低，降低了连接成本。本发明还提出了一种复合基板，采用上述的方法制备。

公开(公告)号：CN110348288B

公开(公告)日：2023-04-07

申请号：CN201910445702.3

申请日：2019-05-27

Applicant: 哈尔滨工业大学(威海)

Inventor： 赵占锋 ,  刘多 ,  周志权 ,  赵宜楠 ,  冯翔 ,  陈雄兰

IPC: G06F18/2415 ,  G06F18/10 ,  G06F18/213 ,  G06F18/214 ,  G06N3/0464 ,  G06N3/084

Abstract: 本发明提供了一种基于77GHz毫米波雷达信号的手势识别方法，包括首先通过雷达获取不同手势动作的中频信号，并创新性地利用一种改进的小波阈值函数对其低频系数进行预处理，解决了由于天线耦合现象造成的近距离手势无法识别的问题，其次，对预处理后的中频信号提取时间‑距离谱图、时间‑速度谱图以及时间‑角度谱图，创新地将三种特征谱图进行拼接得到多元化特征图，并输入到卷积神经网络进行训练，优化了传统识别算法信息表达不完备的问题，同时也有利于网络结构的简化，且最终取得较好的识别效果。

公开(公告)号：CN111341666A

公开(公告)日：2020-06-26

申请号：CN202010146105.3

申请日：2020-03-05

Applicant: 哈尔滨工业大学(威海)

Inventor： 刘多 ,  宋延宇 ,  胡胜鹏 ,  宋晓国 ,  曹健 ,  冯吉才

IPC: H01L21/48

Abstract: 本发明提供一种功率器件模块封装用高导热氮化硅陶瓷基板与铜的连接方法，包括将高导热氮化硅陶瓷封装基板和铜置于酒精中清洗，然后采用砂纸对高导热氮化硅陶瓷封装基板和铜逐级打磨，最后采用抛光液对高导热氮化硅陶瓷封装基板和铜逐级抛光，在真空状态下，对待键合的高导热氮化硅陶瓷封装基板和铜表面进行离子轰击表面活化处理，在真空状态下将高导热氮化硅陶瓷封装基板与铜活化表面相互贴合，对连接结构施压和加热，从而实现高导热氮化硅陶瓷基板与铜的连接等步骤。其解决了现有高导热氮化硅陶瓷与铜的连接方法存在的连接界面处形成微米级厚度的反应层，阻碍热量的传递的技术问题。该方法可广泛应用于高导热氮化硅陶瓷基板与铜的连接。

公开(公告)号：CN111269028A

公开(公告)日：2020-06-12

申请号：CN202010146104.9

申请日：2020-03-05

Applicant: 哈尔滨工业大学(威海)

Inventor： 刘多 ,  宋延宇 ,  胡胜鹏 ,  宋晓国 ,  曹健 ,  冯吉才

IPC: C04B41/88 ,  C23C24/10 ,  B22F1/02

Abstract: 本发明提供一种氮化硅陶瓷表面金属化方法，其解决了传统的氮化硅陶瓷表面金属化方法处理工艺复杂、对设备要求较高、成本普遍较高、陶瓷表面金属化层质量不稳定的技术问题，其包括以下步骤，将氮化硅陶瓷表面打磨、抛光，将铝粉和硅粉进行机械球磨混合，然后将上述混合粉末放入干燥箱进行烘干处理，得到金属化粉末，铝粉与硅粉的质量比为(1:4)-(9:1)，将配置好的金属化粉末均匀涂覆在氮化硅陶瓷基材的表面，金属化粉末厚度在100μm-300μm之间，在真空或氩气惰性气体保护气氛下，对氮化硅陶瓷表面进行激光熔覆处理。该发明可广泛应用于氮化硅陶瓷表面的金属化处理。

公开(公告)号：CN111192831A

公开(公告)日：2020-05-22

申请号：CN202010146121.2

申请日：2020-03-05

Applicant: 哈尔滨工业大学(威海)

Inventor： 刘多 ,  宋延宇 ,  胡胜鹏 ,  宋晓国 ,  曹健 ,  冯吉才

IPC: H01L21/48 ,  H01L23/15 ,  H01L23/373 ,  C23C14/02 ,  C23C14/18 ,  C23C14/35

Abstract: 本发明公开了一种用于高导热氮化硅陶瓷基板的表面金属化方法及其封装基板，包括下述步骤：对高导热氮化硅陶瓷封装基板和无氧铜进行离子轰击表面活化处理；采用真空磁控溅射方式，在活化的高导热氮化硅陶瓷封装基板和无氧铜的表面沉积纳米级厚度的金属层；将沉积金属层的高导热氮化硅陶瓷封装基板和无氧铜置于真空环境下相互贴合，并施加压力，实现室温直接键合。本发明方法制备得到的封装基板，其结构自上而下依次为无氧铜层、纳米金属层、高导热氮化硅陶瓷基板。本发明通过真空磁控溅射金属化技术，实现了高导热氮化硅陶瓷基板与无氧铜的室温键合，降低了高温引起的应力问题，能够有效提高功率器件的可靠性及使用寿命。

公开(公告)号：CN107363433B

公开(公告)日：2019-09-17

申请号：CN201710819990.5

申请日：2017-09-13

Applicant: 哈尔滨工业大学(威海)

Inventor： 刘多 ,  闫耀天 ,  冯吉才 ,  曹健 ,  李洪亮 ,  张洪涛

IPC: B23K35/32 ,  B23K35/368 ,  B23K35/04

Abstract: 本发明提供了一种用于钛及钛合金焊接的药芯焊丝，由外皮及内部活性药芯组成。所述外皮为钛含量质量百分比不低于98%，氢含量质量百分比不超过0.015%的钛带，内部活性药芯由金属粉、Si粉、B粉以及活性剂组成，各组成成分的质量百分比：Ti为16％～34％；B为2%～6%；Co为0.2％～0.4％；Mn为0.8%～1%；Si为0.10%～0.25%；Ni为1%～3%；Cu为1%～3%；氯化物为1％～5％；氟铝酸盐为12％～16％；MgF2为5％～15％；SrF2为20%～60%。其中氯化物、氟铝酸盐、MgF2和SrF2为药芯中的活性剂成分。焊接深宽比大，熔敷效率高，且使焊接工艺流程简化，适用于钛及钛合金的焊接。

公开(公告)号：CN107363432B

公开(公告)日：2019-07-23

申请号：CN201710767258.8

申请日：2017-08-31

Applicant: 哈尔滨工业大学(威海)

Inventor： 刘多 ,  宋延宇 ,  宋晓国 ,  牛红伟 ,  冯吉才

IPC: B23K35/30 ,  B23K35/40

Abstract: 一种用于连接镍基高温合金的复合钎料及钎焊方法，此方法可解决现有的接头界面处由于钎料中降熔元素向母材中扩散所形成的脆性化合物较多，接头塑性较差，无法完全满足航空航天对高性能要求的问题，本发明的复合钎料由主要元素Ni、Cr，并添加Si、B降熔元素及石墨烯增强相通过超声搅拌方法制成；将复合钎料置于待连接面之间，放入真空加热炉中加热保温，最后冷却至室温完成钎焊。本发明操作简单，石墨烯的加入阻碍了钎料中Si、B等降熔元素在母材与钎缝连接界面处的富集，抑制了钎料与母材的过度反应，连接界面处析出的脆性化合物数量明显减少，扩散区的晶粒尺寸趋于均匀，大大提高了接头性能。

公开(公告)号：CN106007773B

公开(公告)日：2019-06-07

申请号：CN201610347362.7

申请日：2016-05-24

Applicant: 哈尔滨工业大学(威海)

Inventor： 宋晓国 ,  赵一璇 ,  檀财旺 ,  赵洪运 ,  刘多 ,  曹健 ,  冯吉才

IPC: C04B37/02

Abstract: 本发明公开了一种多孔氮化硅陶瓷与TiAl基合金的真空钎焊方法，步骤一、将质量分数为1.5~3wt.%的纳米氮化硅颗粒、质量分数为2~4wt.%的Ti粉与AgCu粉末进行机械球磨4~6h，提到复合钎料；步骤二、将球磨后的复合钎料与预处理后的TiAl基合金和多孔氮化硅母材进行装配，保持钎料粉厚度在50~200μm之间；步骤三、将装配好的钎焊接头放入真空炉中，在真空环境下加热至840℃~900℃，保温5min~30min，即实现多孔陶瓷与合金基体之间高强度的有效连接，本发明技术方案能够有效解决多孔陶瓷与TiAl基合金的连接问题，获得力学性能优良的钎焊接头。

公开(公告)号：CN105921839B

公开(公告)日：2018-08-14

申请号：CN201610393351.2

申请日：2016-06-06

Applicant: 哈尔滨工业大学(威海)

Inventor： 赵洪运 ,  刘积厚 ,  李卓霖 ,  刘多 ,  宋晓国 ,  董红杰 ,  牛红伟 ,  赵一璇

IPC: B23K1/06 ,  B23K1/20 ,  B23K103/18

Abstract: 本发明涉及一种可伐合金与陶瓷材料超声钎焊方法，其包括以下几个步骤：将待焊的可伐合金与陶瓷材料放入丙酮中超声清洗5~10min；将可伐合金、陶瓷材料和钎料装配成陶瓷/钎料/可伐合金三层结构；放置到加热台上，进行加热加压，其中加热温度为830~980℃，压力为0.2~1MPa，当钎料熔化后启动超声振动，其中振动频率为10~110kHz，振幅为1~10μm；加热时间持续20~90s后停止加热，待接头钎缝层完全凝固后停止加压与超声振动，得到伐合金/陶瓷钎焊接头。本发明在非真空不采用钎剂的条件下，实现了可伐合金与陶瓷材料的钎焊连接，同时使接头组织得到细化，接头残余应力水平低，并有较好的密封性能。