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公开(公告)号:CN107033892B
公开(公告)日:2019-09-27
申请号:CN201710321844.X
申请日:2017-05-09
Applicant: 合肥工业大学
Abstract: 本发明公开了一种聚噻吩/三氧化钨纳米棒电致变色材料,具有核壳结构,三氧化钨纳米棒为核,聚噻吩为壳,三氧化钨纳米棒直径为50‑100nm,聚噻吩为多孔结构,厚度为2‑10nm,平均孔径为2‑3nm,均匀包覆在三氧化钨纳米棒上,本发明利用电化学工作站和三电极体系以电化学聚合的方式将噻吩单体聚合在溶剂热处理后的FTO导电玻璃表面,从而制备得到电致变色材料。本发明中三氧化钨纳米棒垂直于基底且生长分布均匀,聚噻吩为多孔结构均匀包覆在纳米棒周围,形成新颖的核壳结构,该材料具有优异的电致变色性能,可以在不同电压下实现透明和深蓝色的迅速可逆转变,并具有良好的循环稳定性,可用作隐身材料和智能变色薄膜。
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公开(公告)号:CN109999887A
公开(公告)日:2019-07-12
申请号:CN201910361151.2
申请日:2019-04-30
Applicant: 合肥工业大学
IPC: B01J27/24
Abstract: 本发明公开了一种β-FeOOH/g-C3N4异质结光催化材料的制备方法,包括以下步骤:将三聚氰胺放入箱式炉中进行多次重复热聚合反应得到块状g-C3N4;将块状g-C3N4分散于5-20ml的乙二醇中,超声10~40min,最终得到超声辅助液相剥离的GCNS悬浊液;将FeCl3溶液加入GCNS悬浊液中,混合,充分搅拌均匀后进行溶剂热反应,最后离心洗涤、干燥,得到一维β-FeOOH纳米棒与二维g-C3N4薄片的复合材料;将上述干燥好的材料放入马弗炉中进行热处理,最终得到β-FeOOH/g-C3N4异质结材料。本发明的制备方法简单成熟、成本低,且材料化学稳定性好,污染物降解能力强,催化效率高。
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公开(公告)号:CN109831116A
公开(公告)日:2019-05-31
申请号:CN201910230966.7
申请日:2019-03-26
Applicant: 合肥工业大学
IPC: H02N2/02
Abstract: 本发明公开了一种由合成方波驱动的直线压电马达。包括定子机构、动子机构和底座;定子机构包括定子,定子为薄片状的定子悬臂梁振子,两侧面上分别设有定子压电片;动子机构包括动子和滑动机构;动子为薄片状的动子悬臂梁振子,一侧面上设有动子压电片;滑动机构包括配合滑块和直线滑轨,动子设于滑块上;动子悬臂振子和定子悬臂梁振子呈直角相邻;定子的一侧边上设有接触足;工作时,定子压电片和动子压电片由正弦波合成方波电压信号激励,定子悬臂振子和动子悬臂振子的输出机械波形近似方波;在一个周期内,接触足与动子悬臂振子接触时,通过之间的静摩擦力驱动动子沿直线滑轨直线移动一个步距,高频周期性重复,实现马达的宏观直线定向运动。
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公开(公告)号:CN109818525A
公开(公告)日:2019-05-28
申请号:CN201910230949.3
申请日:2019-03-26
Applicant: 合肥工业大学
Abstract: 本发明涉及一种谐振型惯性冲击式压电马达。包括驱动机构、预紧机构和导向机构。驱动机构包括输出杆、止动体、压电振子和压电片;压电振子包括圆盘和振子杆;所述预紧机构包括上壳体、下壳体、底板、导轨和滑块;上壳体和下壳体对应配合固定连接着形成管状腔体;滑块配合设于导轨上,滑块与上壳体固定为一体;导向机构包括一对轴承座和一对直线轴承。工作时,当连续向压电片输入谐波时,驱动机构宏观上进行单向直线运动,输出杆稳定水平轴向向外输出推力。本发明的工作频率为10.5KHz、工作电压为100V,输出杆水平轴向可移动行程为20mm,水平轴向对外输出推力可达0.8N,工作效率可达8%;较传统惯性冲击式直线压电马达工作效率显著提高。
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公开(公告)号:CN106025315B
公开(公告)日:2019-03-29
申请号:CN201610589299.8
申请日:2016-07-25
Applicant: 合肥工业大学
Abstract: 本发明涉及一种改性的LSCM电极,为NiO纳米片阵列修饰的LSCM电极,其制备方法为采用传统的水热合成方法原位生长NiO纳米阵列,NiO纳米阵列由统一的并且相连的厚度为90‑110nm的纳米片构成,长度大约为1‑2μm。经过还原处理之后,仍然保持其纳米结构。由于独特的纳米结构,可以明显提高LSCM电极的比表面积和缩短电荷转移的路径;同时Ni其自身对H2、CH4等燃料气和水蒸气、二氧化碳等都具有高效的催化作用,有效改善了LSCM电极的电化学性能,可以有效提高中高温固体氧化物燃料电池的输出功率和中高温固体氧化物电解池的电解效率。
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公开(公告)号:CN109317182A
公开(公告)日:2019-02-12
申请号:CN201811337104.6
申请日:2018-11-12
Applicant: 合肥工业大学
IPC: B01J27/24
CPC classification number: B01J35/004 , B01J27/24
Abstract: 本发明涉及一种g-C3N4/Au@Pt异质结光催化材料的制备方法,首先用三聚氰胺前躯体烧制制备g-C3N4块体材料,然后对块状g-C3N4进行乙二醇溶剂剥离得到g-C3N4纳米片;与此同时利用种子法制备十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)包覆的金纳米棒,接着在合成的Au棒表面修饰一层2-5nm大小的Pt小颗粒;g-C3N4纳米片因为表面带氨基官能团呈现负电荷,而CTAB包覆的金棒带正电荷,通过静电吸附金棒可以和g-C3N4纳米片结合,基于固相反应,选择合适的退火温度和保温时间,最后低温烧结制备光催化性能优异的双异质结g-C3N4/Au@Pt材料。本发明采用“先制备,后组装”思路,制备的g-C3N4和Au@Pt经过热处理形成复合异质结,能够解决常规光还原制备金属催化剂中尺寸不均匀而影响催化效果的问题。
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公开(公告)号:CN107119287B
公开(公告)日:2018-12-28
申请号:CN201710110927.4
申请日:2017-02-28
Applicant: 合肥工业大学
Abstract: 本发明公开了一种应用于光解水制氢的有序Pt‑TiO2/InP纳米线阵列电极材料及其制备方法,属于新能源材料的设计与制备、能量转换与应用技术领域。首先利用纳米压印结合金属有机化学气相沉积技术制备了周期性有序排列的InP纳米线阵列;进一步利用原子层沉积和电子束蒸发技术在InP纳米线表面先后沉积TiO2保护层和Pt助催化剂层,制备获得的有序Pt‑TiO2/InP纳米线阵列电极材料在标准模拟太阳光照射条件下的饱和光电流密度可达27.7mA/cm2,能量转换效率可高达6.9%,并且稳定性良好。本发明工艺简单,易于实施,对环境友好,可实现该电极材料的大面积制备,有利于工程化推广应用。
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公开(公告)号:CN109046302A
公开(公告)日:2018-12-21
申请号:CN201810982336.0
申请日:2018-08-27
Applicant: 合肥工业大学
CPC classification number: B01J21/063 , B01J35/0013 , B01J35/002 , B01J35/004 , B01J35/04 , B01J35/065 , B01J37/10
Abstract: 本发明涉及纳米材料制备以及光电化学技术领域,具体是公开了一种多孔花瓣状的锐钛矿TiO2纳米晶薄膜及其制备方法,采用水热合成和高温晶化法制备了一种多孔的花瓣状锐钛矿TiO2纳米晶薄膜,所制备薄膜由多孔TiO2纳米晶组成,比表面积大,光生电子空穴复合几率低;TiO2纳米晶薄膜为锐钛矿相,光生空穴氧化能力强;TiO2纳米晶薄膜由Ti基底直接水热生长而成,与基底结合良好,既具有较低的电荷迁移电阻,也不易产生薄膜的脱落。
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公开(公告)号:CN106947995B
公开(公告)日:2018-12-21
申请号:CN201710293724.3
申请日:2017-04-28
Applicant: 合肥工业大学
Abstract: 本发明公开了一种单相CuO纳米片阵列薄膜及其制备方法,采用阳极氧化工艺在高纯铜材表面生长垂直于基底并相互交错排列的铜氧化物阵列,通过在电解液中加入合适浓度的(NH4)6Mo7O24·4H2O获得单相CuO纳米片阵列薄膜,该薄膜中CuO纳米片的厚度为10‑30nm,CuO纳米片的长度300‑500nm,CuO纳米片均匀致密生长于基底材料上,呈纳米花状,与基底材料结合牢固。所制备的单相CuO纳米薄膜表现出较高比电容特性和卓越的循环稳定性,制备步骤简单可控,是一种有实际应用价值的电容电极材料。
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公开(公告)号:CN108747224A
公开(公告)日:2018-11-06
申请号:CN201810643958.0
申请日:2018-06-21
Applicant: 合肥工业大学
IPC: B23P15/00
CPC classification number: B23P15/00
Abstract: 本发明公开了一种高强铝合金复合材料的制备方法,具体步骤如下:首先切割出成分均一的挤压态Al‑Sc合金长条作为中间合金。其次在Al‑Zn‑Mg‑Cu系铝合金挤压板上开设沟槽,再者将细长条填塞进预设的沟槽中,压实。最后在已填充好的沟槽处进行搅拌摩擦加工处理制备高强铝合金复合材料。为使将Al‑Sc中间合金搅拌均匀,采用多道次来回搅拌加工的方法。为得到超细晶组织,搅拌过程中采用速冷技术。本发明搅拌摩擦处理后的Al‑Zn‑Mg‑Cu合金的强韧性得到显著的提高,抗拉强度从427.5Mp提高到528.7Mp,延伸率从18.2%提高到25.7%。
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