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公开(公告)号：CN111092151A
公开(公告)日：2020-05-01
申请号：CN201910092314.1
申请日：2019-01-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L45/00
Abstract: 本揭露提供了一种用于形成相变随机存取记忆体(phase change random access memory,PCRAM)装置的方法。此方法包括：在绝缘体层上形成记忆体堆叠。执行第一蚀刻制程以图案化记忆体堆叠并定义包括覆盖介电层的顶部电极的记忆体单元。介电层包括侧向地位于第一外部区域和第二外部区域之间的中心区域。在第一蚀刻制程中使用的蚀刻剂在第一外部区域和第二外部区域中产生化合物，此化合物具有第一熔点温度。执行第一沉积制程以在记忆体单元的上方形成第一侧壁间隔物，第一侧壁间隔物与记忆体单元的外侧壁直接接触。第一沉积过程达到小于第一熔点温度的第一最高温度。
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公开(公告)号：CN110970073A
公开(公告)日：2020-04-07
申请号：CN201910924590.X
申请日：2019-09-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种相变记忆电路、用于相变记忆装置的方法、脉冲产生系统。方法包括将脉冲序列施加于相变记忆装置，脉冲序列的每个脉冲包括脉冲编号、振幅、前缘、脉冲宽度和后缘，其中后缘的持续时间比前缘的持续时间还要长。施加脉冲序列的操作包括在增加脉冲编号时增加幅度、脉冲宽度和后缘持续时间的其中至少一者。此方法还包括改变相变记忆装置的电导准位，以回应于施加脉冲序列。
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公开(公告)号：CN217822808U
公开(公告)日：2022-11-15
申请号：CN202221508861.7
申请日：2022-06-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/11585
Abstract: 本实用新型实施例提供一种集成电路，包括背栅极结构、第一缓冲层、存储层、第二缓冲层、导电沟道和源极/漏极区。所述背栅极结构在衬底上。所述第一缓冲层在所述背栅极结构上方，所述第一缓冲层提供第一反铁磁功能。所述存储层在所述第一缓冲层上方。所述第二缓冲层在所述存储层上方，所述第二缓冲层提供第二反铁磁功能。所述导电沟道在所述第二缓冲层上。源极/漏极区，在所述导电沟道上。
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