-
公开(公告)号：CN101237730B
公开(公告)日：2010-07-21
申请号：CN200810070672.4
申请日：2008-02-27
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种红外光源及其制备方法，涉及一种红外光源。提供一种基于绝缘体上的硅晶片，具有体积小、能耗低、发射强度高、调制频率高、电-光能量转换效率高等特点的红外光源及其制备方法。设有支撑框架、发光薄膜结构和电极，发光薄膜结构支撑于支撑框架上方，电极位于支撑框架上方，电极通过在氧化硅保护层开设电极孔与多晶硅发光层接触，电极通过压焊金属丝与管壳管脚相连。将晶片氧化，在氢氟酸中腐蚀掉晶片器件层上的氧化硅层；器件层浓硼扩散形成红外吸收层；在红外吸收层表面热氧化氧化硅层；沉积多晶硅；5次光刻后，使用深反应等离子刻蚀工艺从背面刻蚀出发光薄膜结构；晶片合金化退火，沿划片槽裂片，封装。
-
公开(公告)号：CN101237730A
公开(公告)日：2008-08-06
申请号：CN200810070672.4
申请日：2008-02-27
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种红外光源及其制备方法，涉及一种红外光源。提供一种基于绝缘体上的硅晶片，具有体积小、能耗低、发射强度高、调制频率高、电-光能量转换效率高等特点的红外光源及其制备方法。设有支撑框架、发光薄膜结构和电极，发光薄膜结构支撑于支撑框架上方，电极位于支撑框架上方，电极通过在氧化硅保护层开设电极孔与多晶硅发光层接触，电极通过压焊金属丝与管壳管脚相连。将晶片氧化，在氢氟酸中腐蚀掉晶片器件层上的氧化硅层；器件层浓硼扩散形成红外吸收层；在红外吸收层表面热氧化氧化硅层；沉积多晶硅；5次光刻后，使用深反应等离子刻蚀工艺从背面刻蚀出发光薄膜结构；晶片合金化退火，沿划片槽裂片，封装。
-
公开(公告)号：CN220520144U
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202321901913.1
申请日：2023-07-19
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种自封装温度自监测热红外发射芯片，包括硅基发光薄膜和玻璃基底；所述玻璃基底设有空腔，并与硅基发光薄膜通过阳极键合密闭；所述硅基发光薄膜同时也作为芯片有源结构的封装薄膜，实现芯片自封装目的；硅基发光薄膜从下至上包括加热电阻和测温电阻、隔离氧化硅层、硅器件层、红外辐射层；加热电阻与测温电阻设于隔离氧化硅层的表面，并密封于玻璃基底的空腔中，分别通过掩埋电极连接电极焊盘与外部相连，实现原位监测硅基发光薄膜的温度并避免加热电阻和测温电阻的氧化；隔离氧化硅层设于硅器件层的表面，红外辐射层置于硅器件层的另一表面；玻璃基底的背面和空腔底部设有红外反射层，用于把加热电阻产生的红外光反射回加热电阻。
-
-
Search Results
53
records
(took 0.025 seconds)
