高电源抑制比的超低功耗电源结构

    公开(公告)号:CN108762359A

    公开(公告)日:2018-11-06

    申请号:CN201711483345.7

    申请日:2017-12-29

    Abstract: 本发明公开了一种高电源抑制比的超低功耗电源结构,包括:第一LDO电路、第二LDO电路、第一Bandbap模块、第二bandbap模块以及切换电路;其中,第一LDO电路用于在大驱动模式下提供LDO输出电压,第二LDO电路用于为超低功耗模式下提供LDO输出电压;第一Bandbap模块工作在主电源电压下,第二bandbap模块是工作在LDO输出电压VDD下的基准源,切换电路包括上下电复位电路、振荡器电路、延迟电路以及电平转换电路,切换电路能够将上电启动时由第一Bandbap模块输出第一参考电压的模式切换为上电启动完成后由第二Bandbap模块输出第二参考电压的模式。本发明的超低功耗电源结构的结构简单、鲁棒性好,从结构上优化了PSRR性能,并且显著降低了系统的功耗,实现了低功耗目标值。

    一种带隙基准参考源电路
    58.
    发明公开

    公开(公告)号:CN107608440A

    公开(公告)日:2018-01-19

    申请号:CN201711014994.2

    申请日:2017-10-25

    Abstract: 本发明公开了一种带隙基准参考源电路,包括:第一P型晶体管、第二P型晶体管、第三P型晶体管、第一三极管、第二三极管、第三三极管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻、第七电阻和差分放大器;差分放大器的第一端与第四电阻和第二电阻之间的连接节点相连,差分放大器的第二端与第五电阻和第一电阻之间的连接节点相连;差分放大器的第一端的电压与第二端的电压相同。该带隙基准参考源电路,通过选取适当的阻值,可以得到小于1V的带隙基准电压,并可以使得当VDD小于1V时也保证带隙基准参考源电路正常工作。同时,可以消除温度引起漏源电压变化,从而降低沟道调制效应的影响。

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