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公开(公告)号：CN106007695B
公开(公告)日：2018-08-28
申请号：CN201610266875.5
申请日：2016-04-26
Applicant: 北京工业大学
IPC: C04B35/26
Abstract: 一种利用前驱体水热处理NFO‑PZT‑BFO复合多铁材料一次性合成的方法，属于复合多铁材料领域。主要工艺流程为，按照水热法的条件为：温度为160～200℃、矿化剂KOH的浓度为2～8mol/L的条件下反应18h，可得到具有高活性三相混合物前驱体，然后，将此前驱体在650～800℃温度下煅烧12h小时，即可一次性合成上述xNiFe2O4‑yPb(Zr0.52Ti0.48)O3‑(1‑x‑y)BiFeO3三相多铁性复合材料，本发明能够获得更为细小的粉体颗粒。
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公开(公告)号：CN104674187B
公开(公告)日：2017-06-20
申请号：CN201510101325.3
申请日：2015-03-08
Applicant: 北京工业大学
IPC: C23C16/34 , C23C16/505
Abstract: 一种低成本无污染单根硼氮纳米线可控生长方法属于无机化合物半导体材料的制备领域。本发明采用PECVD方法，未使用任何催化剂，首次在硅衬底上水平生长出了规则排列的硼氮纳米线。纳米线在Si(110)衬底上仅沿着一个方向生长；在Si(100)衬底上生长的纳米线互相垂直；在Si(111)衬底上纳米线有三个生长方向，且任意两个方向之间的夹角为60°。通过不同硅衬底表面晶体微结构特征以及电镜分析，发现纳米线总是在基底表面沿着Si 取向定向生长。TEM显示纳米线是由一系列生长进衬底里的非晶量子点组成，电子能量损失谱(EELS)表明纳米线确实由硼氮组成。本发明简单，将对推动纳米器件的制造具有重要的意义。
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公开(公告)号：CN103367474B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201310287086.6
申请日：2013-07-09
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L31/0256 , H01L31/042 , C01B33/02 , B82Y30/00
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 硅纳米管阵列作为太阳能电池的表面微纳结构的应用，属于太阳能电池技术领域。其中硅纳米管的外半径为20-200nm，内外径之比小于1，长径比大于10，硅纳米管的阵列填充率为0.1-0.785；硅纳米管阵列具有优异的减反陷光性能，可进一步提高陷光效果，并且解决了传统的陷光结构受晶粒取向限制的问题。
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公开(公告)号：CN106430314A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201610835813.1
申请日：2016-09-20
Applicant: 北京工业大学
IPC: C01G45/00 , H01M4/505 , H01M4/525 , H01M10/0525
CPC classification number: C01G45/006 , C01P2002/70 , C01P2004/04 , C01P2006/40 , H01M4/505 , H01M4/525 , H01M10/0525
Abstract: 一种中空球形LiNi0.5Mn1.5O4高电压正极材料的熔盐制备方法，属于锂离子电池正极材料技术领域。步骤如下：将球形MnO2、LiOH·H2O、Ni(NO3)2·6H2O、Li2CO3原料按摩尔比3:2.5:1:5混合，加入无水乙醇搅拌，直至乙醇完全蒸发；将上述混合物手工研磨1小时；然后在600-800℃下煅烧8-24小时，其中升温速度为1-10℃/min，降温速度为0.5-20℃/min；将反应产物研磨得到纯净的中空球形结构LiNi0.5Mn1.5O4正极材料。本发明工艺简单，可重复性高。该材料具有良好的电化学性能，适合用作锂离子电池负极材料。
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公开(公告)号：CN103213940B
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201310084326.2
申请日：2013-03-15
Applicant: 北京工业大学
IPC: B81C1/00
Abstract: 一种基于微纳米尺度使材料具有两种不同浸润性的方法，属于微纳薄膜技术领域。对基体进行清洗，并涂上光刻胶，制备微纳结构，进行真空镀膜，镀膜厚度几十纳米到几微米，镀膜后用丙酮清洗掉光刻胶，然后将其浸泡在全氟三乙氧基甲硅烷酒精溶液中，使得全氟三乙氧基甲硅烷进入原光刻胶的所在微纳结构中，拿出后用酒精清洗；用化学方法去除掉表面镀的镀膜，即在基体上得到微纳尺寸两种不同浸润性的表面。本发明可以通过微纳结构的尺寸和面积比例来调节宏观表面的浸润性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103743567B
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201410020648.5
申请日：2014-01-16
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01M13/04
Abstract: 本发明涉及一种数控磨床砂轮主轴的可靠性试验装置，该装置可以模拟数控磨床的各种不同工况，变频器驱动主轴电机以不同的转速运转，周向加载装置施加不同的周向载荷，径向加载装置施加不同的径向载荷，记录运行过程中的故障数据，通过这些数据来计算、评价数控磨床砂轮主轴的可靠性水平。本发明适用于数控磨床砂轮主轴的可靠性试验，在数控磨床的可靠性设计时，用来评价砂轮主轴的可靠性水平，具有较好的应用前景。
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公开(公告)号：CN103280490B
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201310193772.7
申请日：2013-05-23
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种改进多晶硅基薄膜连续性和表面形貌的方法，属于晶硅薄膜太阳能电池领域。首先，分别采用磁控溅射法和等离子增强型化学气相沉积法，制备铝薄膜和非晶硅薄膜，通过控制铝层/非晶硅层厚度比例在0.5-1之间，叠层薄膜总厚度在100-400nm之间，能够有效优化多晶硅薄膜的连续性。本发明中还提出了新的薄膜腐蚀工艺，与传统腐蚀工艺相比，不但可以移除退火后薄膜内的铝，还能够起到消除多晶硅薄膜表面“硅岛”结构的作用。采用本发明的方法，能够获得表面平滑且连续性良好的高质量多晶硅薄膜。
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公开(公告)号：CN103170910B
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：CN201310007289.5
申请日：2013-01-08
Applicant: 北京工业大学
IPC: B24B49/00
Abstract: 本发明针对建立数控磨床载荷谱的需要，提出了一种数控磨床载荷谱数据变采样率采集装置与方法。四个非接触式转速传感器分别安装在主轴、砂轮轴、X轴丝杠和Z轴丝杠端部，四个电流变送器分别穿过主轴伺服驱动器、砂轮轴变频器、X轴伺服驱动器和Z轴伺服驱动器的电源线。转速传感器和电流变送器将信号送给信号采集处理板，信号采集处理板首先将各路信号进行分时采样，然后将采样的模拟信号转为数字信号送给CPU处理，处理后的数据通过RS232串口传送给上位计算机。计算机存储载荷谱数据并进行后处理。本发明具有以下优点：在不影响数控磨床正常工作的前提下，可以方便、快捷地采集、记录数控磨床载荷谱数据，为数控磨床的可靠性设计提供依据。
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公开(公告)号：CN103926260A
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：CN201410126393.0
申请日：2014-03-31
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种进行离子辐照实验的ECR-PECVD装置，该装置包括微波源、通电线圈、进气管、手持式红外测温仪、可视窗口、加热炉、抽真空管道、水冷管、样品、绝缘陶瓷片。设备的腔体上端附有通电线圈，为等气体电离提供磁场；在腔体的一侧设有进气管，底端设有抽气管道，另一侧设有可视窗口。ECR-PECVD设备在化学气上沉积方面有很大的应用，但经过改造后在面向等离子体材料的研究方面也能起到至关重要的作用。其中在样品上加负偏压在150V左右是束达到2x1020He·m-2·s-1，并能够在此参数下稳定长时间的工作；此设备在温度可控的条件下能够进行各种参数的调节，能够稳定的进行工作解决了低能高束流设备短缺的问题。
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公开(公告)号：CN103924241A
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：CN201410147821.8
申请日：2014-04-14
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种大规模制备低表面应力的表面具备微纳结构的钨的方法，属于微纳加工技术领域。在经电解抛光的金属钨的表面通过纳米压印的方法制备微纳结构刻蚀掩膜，使得需要刻饰的部分裸露，其他部分则被掩膜；将处理后的金属钨用ICP刻蚀的方法对微纳结构掩膜后金属钨的表面进行刻蚀，使得微纳结构刻蚀掩膜中的裸露的钨表面被刻饰掉；将处理后的金属钨放在真空中进行退火，即可得到低表面应力的表面具备微纳结构的金属钨。
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