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公开(公告)号：CN116880010A
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202311143878.6
申请日：2023-09-06
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明公开了一种基于铌酸锂的集成环形布拉格金属光栅耦合器及制备方法，包括衬底层、铌酸锂限制层、铌酸锂波导层、环形布拉格金属光栅层以及光纤；所述铌酸锂限制层设置于衬底层表面；所述铌酸锂波导层设置于铌酸锂限制层表面，且包括输入直波导、锥形波导、耦合波导，其中，输入直波导的一端与锥形波导的窄端等宽度相连，锥形波导的宽端与耦合波导的一端等宽度相连；所述环形布拉格金属光栅层设置于耦合波导上；所述光纤位于环形布拉格金属光栅层上方，不与环形布拉格金属光栅层直接接触。本发明通过制作工艺简单，流程独立且耦合效率高，在制备量产和成本优化等方面具有独特的优势，可广泛应用于铌酸锂片上集成器件和系统中。
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公开(公告)号：CN116774351A
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202311053847.1
申请日：2023-08-21
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本申请涉及一种基于铌酸锂的任意比例光功率分配器及设计方法，光功率分配器包括：二氧化硅衬底、薄膜铌酸锂芯层以及上包层；薄膜铌酸锂芯层包括功率分配设计区，功率分配设计区连接有输入波导、第一输出波导、第二输出波导以及第三输出波导，输入波导、第一输出波导、第二输出波导以及第三输出波导中均包括宽度线性渐变楔形波导区域；上述基于铌酸锂的任意比例光功率分配器及设计方法，用于控制光信号的传输方向，器件与器件之间的光耦合，以及光功率的分配，对于提高光互联网络的集成度也有积极作用，解决了铌酸锂平台上功率分配器研究有限，尺寸大的问题。
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公开(公告)号：CN116520494A
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202310773243.8
申请日：2023-06-28
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明公开了一种氮化硅波导TE0/TE1宽带模式转换器，包括二氧化硅衬底，位于二氧化硅衬底上的氮化硅波导层，以及包裹氮化硅波导层的二氧化硅包层；其中，氮化硅波导层包括第一多模干涉耦合器、直波导连接臂、相移器和第二多模干涉耦合器；通过第一多模干涉耦合器将输入的第一TE0模式光分成两个相位、幅度完全相同的第二TE0模式光，并将两个第二TE0模式光分别输入直波导连接臂和相移器，通过直波导连接臂和相移器使得两个第二TE0模式光幅度相同，相位相差π相位，通过将输入的两个相差π相位的第二TE0模式光进行结合得到TE1模式光。宽带模式转换器结构简单、工作带宽较大。
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公开(公告)号：CN116165433B
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202310455453.2
申请日：2023-04-25
Applicant: 之江实验室
IPC: G01R23/02
Abstract: 本发明公开了一种基于光纤布拉格光栅的微波光子学测量装置和方法，属于微波光子学技术领域，包括激光光源、电光调制模块、电混频器、信号接收器、信号发生器、第一光环形器、光纤布拉格光栅、第二光环形器、单模光纤、光电探测器、数据收集器，通过电混频器生成与待测电信号线性相关且能够被参考电信号控制的中间电信号，将中间电信号调制到光信号上后利用光纤布拉格光栅的透射和反射特性将光信号分为上下两路并分别从两个相反方向进入单模光纤中产生受激布里渊散射效应。受激布里渊散射效应的增益放大特性帮助光电探测器准确地得到中间电信号的频率信息，完成了对待测电信号的测量。
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公开(公告)号：CN116299864A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310557866.1
申请日：2023-05-18
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明涉及模分复用设计区域参数优化方法、复用/解复用器及系统，复用/解复用器包括分为多段的多模波导和至少一个单模波导，多模波导通过模分复用设计区域与单模波导连接，单模波导、模分复用设计区域和光的模式一一对应，多模波导的一端和每个单模波导分别连接不同的波分复用/解复用器，模分复用设计区域被划分为多个单元，每个模分复用设计区域的单元的状态由与不同波长下对应的多模波导经过模分复用设计区域后向下一段多模波导分别输出的TE0模式正相关的品质因子决定。与现有技术相比，本发明具有增大信道数量，提高光纤通信容量等优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115657224B
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202211319938.0
申请日：2022-10-26
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明公开了一种硅光子芯片的光学封装方法，其特征在于，包括将硅光子芯片固定在基片上表面，硅光子芯片的光学端口为端面耦合器阵列；在固定硅光子芯片的基片上表面匀胶一层衬底，在衬底上沉积下包层，在下包层上沉积芯层材料，在芯层材料上分别刻蚀光波波导阵列和扇出端耦合器阵列，其中，光波波导阵列的一端与端面耦合器阵列相连，另一端与扇出端耦合器阵列相连；在硅光子芯片、光波波导阵列和扇出端耦合器阵列的表面上沉积上包层；将至少一个光纤阵列与扇出端耦合器阵列耦合后固定，完成光纤阵列封装。利用该方法能够降低光纤阵列封装的密度和封装难度，提升光纤阵列封装的灵活性。
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公开(公告)号：CN116226892A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202310510638.9
申请日：2023-05-08
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本说明书公开了一种数据加密方法、装置、存储介质及电子设备，可以基于干涉原理，将远场图像和近场图像同时调制到由各微纳单元组成的超表面中，从而可以通过超表面记录两个不同图像，以提升超表面的信息容量，还可以通过相变材料实现远场图像和近场图像的动态隐藏，进而可以进一步地提升存储的远场图像和近场图像的安全性。
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公开(公告)号：CN115857187A
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202211537974.4
申请日：2022-12-01
Applicant: 之江实验室
IPC: G02B27/62
Abstract: 本说明书公开了一种硅基芯片封装的方法、装置、存储介质及电子设备。首先，获取硅基芯片中的光栅与光纤阵列在耦合过程中的图像数据。其次，根据图像数据，对光纤阵列的姿态进行调整，以使得调整后的光纤阵列在预设坐标系下与硅基芯片相平行。而后，将光信号输入到硅基芯片中的光栅，并平移调整姿态后的光纤阵列，以检测光信号从硅基芯片中的光栅输入到平移后的光纤阵列后，平移后的光纤阵列输出的光信号对应的光功率。最后，若确定光功率满足预设条件，则硅基芯片中的光栅与光纤阵列完成耦合，得到耦合后的硅基芯片，并将耦合后的硅基芯片通过封装设备进行封装。本方法可以提高光纤阵列与硅基芯片中的光栅耦合的效率。
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公开(公告)号：CN115826134A
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202211627632.1
申请日：2022-12-16
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本说明书公开了一种层间耦合器、一种制备层间耦合器的方法。首先，层间耦合器包括：硅衬底、二氧化硅包层、硅波导层、氮化硅层。硅长方体位于层间耦合器的一端，混合结构与硅长方体相连接，混合结构由硅锥体以及相同尺寸的各硅波导块排列组成，亚波长光栅结构与混合结构相连接，亚波长光栅结构由不同尺寸的各硅波导块排列组成，且远离硅长方体的硅波导块的尺寸小于靠近硅长方体的硅波导块的尺寸，氮化硅层包括氮化硅长方体以及氮化硅结构，氮化硅长方体位于层间耦合器的另一端，氮化硅结构与氮化硅长方体相连接，氮化硅结构中的远离氮化硅长方体的横截面积小于靠近氮化硅长方体的横截面积。本方法可以降低功率泄露，从而，提高耦合效率。
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公开(公告)号：CN115421263B
公开(公告)日：2023-03-03
申请号：CN202211374585.4
申请日：2022-11-04
Applicant: 之江实验室
IPC: G02B6/46
Abstract: 本发明公开了一种大规模光纤阵列封装固定装置及封装方法，包括光纤阵列夹具组件、夹具角度固定组件、夹具固定底座组件、夹具高度调节组件，光纤阵列夹具组件内设有用于放置放置光纤阵列及光纤阵列带纤的光纤阵列安装件，夹具角度固定组件包括支撑杆，夹具固定底座组件包括螺纹套和固定板，本发明将光纤阵列夹具组件用作在光学耦合对准过程中夹持固定光纤阵列和光纤阵列的带纤两部分，而且也将光纤阵列夹具组件用作光纤阵列与光电子芯片封装固定装置的一部分，省去了人为将光纤阵列夹具组件与光纤阵列分离的步骤，将光学封装后需要对光纤阵列和光纤阵列的带纤两部分的加固变为对光纤阵列夹具组件的加固，极大的降低了人为操作带来的风险。
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