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公开(公告)号：CN1697140A
公开(公告)日：2005-11-16
申请号：CN200410037736.2
申请日：2004-05-10
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/306 , H01L21/465 , H01L21/84 , C23F1/24 , C23F1/32 , H01L21/20
Abstract: 本发明涉及的是半导体技术，是一种湿法腐蚀两步法制备超薄硅的腐蚀工艺，可用于减薄具有氧化埋层的硅柔性衬底(SOI)，为大失配外延生长提供了一种可协调失配应变的衬底材料。该腐蚀工艺，(a)对柔性硅衬底片子进行去油处理，去离子水清洗，并经稀释氢氟酸漂洗后，再进行超薄腐蚀加工；(b)先进行酸性腐蚀；(c)再进行碱性腐蚀。本发明解决了对柔性硅衬底的表层硅(Si)腐蚀不均匀的情况，而采用先酸后碱的腐蚀工艺来达到均匀腐蚀的目的。
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公开(公告)号：CN117219563A
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202311218516.9
申请日：2023-09-20
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/687 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供了一种SiC外延托盘，应用于半导体技术领域，该SiC外延托盘包括托载部和限位部，该托载部表面沿周围开设有凹槽，使得SiC外延托盘的温度分布中边缘的温度接近中间的温度。其中的一圈凹槽开设于所述托载部上与所述限位部相邻的位置，另一圈凹槽开设于所述托载部的中心位置处。这种设计可以进一步提高SiC晶圆温度分布的均匀性。
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公开(公告)号：CN115896934A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202211664731.7
申请日：2022-12-23
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供一种化学气相沉积设备，包括：备样室、操作室、反应室以及取样室。其中，备样室适用于提供放置装载有衬底晶圆片的托盘的空间；操作室，包括：机械手以及陷气阱，机械手适用于抓取备样室中的托盘并输运至对应的反应室；陷气阱适用于排空进入操作室的气体；反应室，包括：多个生长室以及中转室，多个生长室分别适用于提供生长相应外延层的反应空间；中转室适用于在多个生长室同时生长对应的外延层时，对多个托盘提供暂存的空间；取样室，适用于放置装载有反应完成的晶圆片的托盘；其中，操作室配置为设置于化学气相沉积设备的中心，其他各室配置为设置于操作室的周围；操作室与其它各室之间通过阀门连接。
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公开(公告)号：CN115852490A
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202211664730.2
申请日：2022-12-23
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供了一种碳化硅外延设备，包括：备样室、多个中转室、反应室以及取样室。其中，备样室适用于提供放置装载有衬底晶圆片的托盘的空间；多个中转室，分别设置于备样室与第一生长室之间、第一生长室和第二生长室之间以及第二生长室与取样室之间，适用于对托盘提供暂存的空间；反应室，包括：第一生长室、第二生长室以及第三生长室；第一生长室适用于提供生长缓冲层的反应空间；第二生长室适用于提供生长N型外延层的反应空间；第三生长室适用于提供生长P型外延层的反应空间；取样室适用于放置装载有反应完成的晶圆片的托盘；其中，各室均配置有气垫导轨，气垫导轨上设置有多个自动气垫机构；并且相邻两室之间通过阀门连接。
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公开(公告)号：CN112382655B
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202011264915.5
申请日：2020-11-12
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L29/06 , H01L29/10 , H01L29/16 , H01L29/423 , H01L21/336 , H01L21/331 , H01L29/739 , H01L29/78
Abstract: 本发明提供一种宽禁带功率半导体器件及制备方法，包括：半导体基片，基片中形成p型掺杂层(40)、n+源区层(50)和p+基区层(60)，在一个元胞范围内p型掺杂层(40)左右分布不对称，n+源区层(50)和p+基区层(60)紧邻；栅电极接触(90)，其底部不超过p型掺杂层(40)的底部，其右侧壁与p型掺杂层(40)的边界紧邻，其左侧壁与p型掺杂层(40)的边界具有间隙，其与基片之间通过栅氧化层(80)隔开；钝化层(100)、源电极金属接触(110)、漏电接触(120)。本发明提供的宽禁带功率半导体器件在一个元胞内包括积累型沟道和反型沟道两种类型，具有很好的导通性能和栅氧化物可靠性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112117326B
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202011029074.X
申请日：2020-09-25
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L29/423 , H01L29/16 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本公开提供一种MOS器件的制备方法和MOS器件，该MOS器件包括宽禁带半导体基片和SOI基片，所述宽禁带半导体基片为碳化硅、氮化镓、氧化镓、金刚石中的任意一种，该方法包括：在宽禁带半导体基片的上表面注入硼或氮原子，形成表面掺杂层；在表面掺杂层中注入包含有氢离子的活性基团；对SOI基片的绝缘介质层表面进行等离子激活，使绝缘介质层中形成羟基活性等离子基元；通过表面掺杂层中包含的氢离子和绝缘介质层中包含的羟基活性等离子基元，键合宽禁带半导体基片和SOI基片，对硅介质层进行低温氧化处理，形成栅介质层；在宽禁带半导体基片的下表面依次淀积镍、钛、铝的多层金属，形成背面电极接触；在栅介质层的正面淀积金属薄膜层，形成正面电极接触。
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公开(公告)号：CN108962977B
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN201810762721.4
申请日：2018-07-12
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L29/06 , H01L29/423 , H01L29/45 , H01L29/78 , H01L21/336 , H01L21/28
Abstract: 本发明提供了一种集成SBD的碳化硅沟槽型MOSFETs及其制备方法。所述MOSFETs的侧墙栅电极接触位于主沟槽侧壁，沟槽底部形成源电极金属接触，并集成肖特基金属接触，第一象限正向导通时，电子自下而上流经沟槽侧壁反型层，形成与传统沟槽型MOSFETs不同的逆向导通沟道；第三象限正向导通时，肖特基二极管率先导通，有效抑制体内寄生PN二极管的导通；反向阻断时，沟槽底部的p型屏蔽层有效屏蔽器件体区的高电场，使得器件栅介质电场和肖特基接触电场大大降低，雪崩发生在器件体区的PN结处。该种集成SBD的碳化硅沟槽型MOSFETs具有较低的总芯片面积，同时满足良好的第一、三象限导通特性及反向阻断能力，且器件的静态、动态工作可靠性均得到提高。
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公开(公告)号：CN112382659A
公开(公告)日：2021-02-19
申请号：CN202011264978.0
申请日：2020-11-12
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L29/423 , H01L29/16 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供一种元胞内带绝缘结构的功率半导体器件，包括：功率器件元胞单元(100)，栅氧化层(230)、栅电极接触(210)形成于元胞单元(100)上部，复合内绝缘层(220)形成于栅氧化层(230)和栅电极接触(210)的表面；复合内绝缘层(220)自下而上包括致密介质层(300)，高介电常数或高热导率及其组合薄膜层(310)，钝化介质薄膜层(320)；或者复合内绝缘层(220)自下而上包括致密介质层(300)，钝化介质薄膜层(320)，高介电常数或高热导率及其组合薄膜层(310)；源电极接触(200)形成于功率器件元胞单元(100)和复合内绝缘层(220)的上表面。本发明通过改变复合内绝缘层的结构和形貌，提高了功率器件高场可靠性和热稳定性。
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公开(公告)号：CN108417617B
公开(公告)日：2020-12-15
申请号：CN201810164916.9
申请日：2018-02-27
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L29/06 , H01L29/423 , H01L29/45 , H01L29/78 , H01L21/336 , H01L21/28
Abstract: 本公开提供了一种碳化硅沟槽型MOSFETs及其制备方法。所述MOSFETs的栅电极接触位于主沟槽侧壁，沟槽底部形成源电极金属接触，正向导通时，电子自下而上流经沟槽侧壁反型层，形成与传统沟槽型MOSFETs不同的逆向导通沟道；反向阻断时，沟槽底部的源电极金属接触有效屏蔽器件体区的高电场，使得器件栅介质电场大大降低，雪崩发生在器件体区的PN结处，所制备的碳化硅沟槽型MOSFETs具有较低的正向导通电阻和较高的反向阻断能力，且器件的静态、动态工作可靠性得到提高。
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公开(公告)号：CN109342503B
公开(公告)日：2020-12-11
申请号：CN201811372597.7
申请日：2018-11-16
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供了一种变温平台及DLTS测试系统，变温平台包括：水冷腔室、加热机构和至少两个探针臂；水冷腔室上设置至少一个放气口、至少一个抽气口、至少两个进水口以及至少两个出水口；加热机构包括加热板、热电阻和第一固定结构，第一固定结构将加热板固定在与水冷腔室的底面平行的平面上，第一固定结构将热电阻设置在加热板的下表面；探针臂包括第二固定结构和探针，第二固定结构的一端和水冷腔室的底面固定连接，第二固定结构的另一端和探针固定连接，使得探针垂直于加热板所在的平面，每个探针的导线的长度相等。缓解不能满足具有高温特性的半导体材料的测试需求的问题，达到满足具有高温特性的半导体材料的测试需求的技术效果。
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