公开(公告)号：CN106544638A

公开(公告)日：2017-03-29

申请号：CN201611136315.4

申请日：2016-12-09

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 刘孔 ,  曲胜春 ,  王智杰 ,  岳世忠 ,  任宽宽 ,  孙阳

IPC: C23C16/04 ,  C23C14/04

Abstract: 本发明公开了一种拼装型掩模板装置，包括若干掩模板、样品框架、掩模板压板、样品盖板、样品夹和样品压条，各部件可以通过螺丝、胶带、胶水或磁力等方式拼装连接到一起。本发明可以实现掩模板装置交叉重复使用，提高了设计和制作的灵活性。本掩模板装置能够实现高质量图形化薄膜的制备，同时本掩模板装置还可以适用于无规则形状样品以及不同沉积朝向的设备。

公开(公告)号：CN104910918A

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：CN201510219791.1

申请日：2015-04-30

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 李彦沛 ,  曲胜春 ,  刘孔 ,  卢树弟 ,  寇艳蕾 ,  池丹 ,  岳世忠 ,  王占国

IPC: C09K11/88 ,  C09K11/56 ,  C09K11/02

Abstract: 本发明公开了一种核壳量子点结构及其制备方法，该方法包括下以下步骤：先制备一带隙宽度相对较宽的核材料CdS，然后包覆一层带隙宽度相对较窄的材料CdSe作为第一层壳层，在此基础上再包覆宽带隙材料CdZnSeS及ZnS作为第二层及第三层壳层。这种新材料相对于传统核壳结构材料有着荧光量子效率高、发光光谱连续可调等优点，无论是作为光致发光还是电致发光材料或是应用于生物领域都有着很好的前景。本发明还提供了一种核层材料合成的简易方法，其工艺简单易行，且重复性好。

公开(公告)号：CN102938435B

公开(公告)日：2015-05-06

申请号：CN201210484770.9

申请日：2012-11-23

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 王科范 ,  刘孔 ,  曲胜春 ,  王占国

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0224

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 一种制备超饱和硫系元素掺杂硅的方法，包括如下步骤：步骤1：选择一衬底；步骤2：对衬底表面进行制绒；步骤3：对制绒后的衬底进行超饱和硫系元素离子注入；步骤4：对硫系元素离子注入后的衬底进行激光退火，消除离子注入产生的晶格缺陷，完成制备。本发明形成的超饱和硫系元素掺杂硅表面，既保证了良好的电极接触，又对入射光具有一定的减反射作用，对于制作高响应红外探测器特别有利。