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公开(公告)号：CN100515937C
公开(公告)日：2009-07-22
申请号：CN200610147848.2
申请日：2006-12-22
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: C01B31/02 , C04B35/628
Abstract: 本发明提供了一种纳米二氧化硅颗粒包覆碳纳米管(CNTs)复合粉体的制备方法。主要特征是利用端基为氨基、氯、环氧等活性基团的倍半硅氧烷对CNTs和四烷氧基硅的桥联作用以及十二烷基硫酸钠、十二烷基苯磺酸钠、十六烷基三甲基溴化铵等表面活性剂对CNTs的分散作用，通过四烷氧基硅的水解，制备了SiO2均匀包覆CNTs的复合粉体。制备过程首先将CNTs与硅烷偶联剂和分散剂充分作用，接着加入到水解的四烷氧基硅溶液中，然后通过滴加氨水溶液控制pH，最终形成复合粉体。在优化条件下，包覆层厚度约为15-20nm。不需要对CNTs进行酸化、氧化等预处理，对CNTs本身的性能影响很小，是制备CNTs/SiO2复合粉体的有效途径，同时具有工艺简单、生产成本低等特点。
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公开(公告)号：CN1810419A
公开(公告)日：2006-08-02
申请号：CN200610024249.1
申请日：2006-03-01
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
Abstract: 本发明提供了一种制备Al/Al2O3金属陶瓷复合材料的方法。主要特征是以Al2O3包裹Al的复合粉体为第二相，与工业大规模生产的Al2O3球磨混料、最终通过热压烧结而得到Al/Al2O3复合材料。其中Al2O3包裹Al复合粉体的使用是非常重要的，其目的主要是为了改善金属相在陶瓷基体中分布的均匀性、减少金属Al的氧化，从而改善复合材料的综合性能。本发明提供的制备方法与现有的制备工艺相比，所得到的复合材料两相分布均匀、抗弯强度和断裂韧性都得到了大幅度提高。
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公开(公告)号：CN1669982A
公开(公告)日：2005-09-21
申请号：CN200510023585.X
申请日：2005-01-26
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: C04B35/185 , C04B35/52 , C04B35/622
Abstract: 本发明提供了一种碳纳米管/莫来石陶瓷基复相材料及其制备方法。主要特征是采用碳纳米管作为分散相，以莫来石陶瓷作为连续相，得到具有优异力学性能和电学性能的复相材料。所述的莫来石陶瓷连续相基体是以Al2O3和SiO2粉体，在1200－1250℃范围内固相反应生成的，碳纳米管的掺杂量为0.5－10vol％，优先5vol％的掺杂量，使用碳纳米管的尺寸为20－40nm，长径比至少10∶1，所述碳纳米管为单壁或多壁。本发明利用合适的分散介质和分散剂实现了碳纳米管在基体中的均匀分布，采用固相反应法制备了复相材料，工艺简单，生产成本低。本发明提供的材料既兼具力学型复相材料和功能型复相材料的特点，在结构、电子及微波吸收领域中有较大的应用潜力。
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公开(公告)号：CN119265710A
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202310830251.1
申请日：2023-07-07
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
Abstract: 本发明属于氟化物晶体退火技术领域，具体涉及一种氟化物晶体的退火坩埚及退火方法，所述退火坩埚包括：外坩埚；设于所述外坩埚内部的内坩埚，所述内坩埚上设有多个通孔，所述内坩埚用于放置所述氟化物晶体和保护料，所述保护料包覆所述氟化物晶体用以防止所述氟化物晶体与所述内坩埚和空气直接接触；所述内坩埚与所述外坩埚之间设有间隙层用以填充碎晶料，其中所述退火坩埚能够选择性地使所述保护料至少部分沿所述通孔向所述间隙层溢出。本发明的外坩埚和具有通孔的内坩埚组合的“双层坩埚”结构，能够在退火过程中为氟化物晶体的膨胀提供缓冲空间，有效地降低晶体轴向与径向温度梯度，产生更加均匀的退火环境，使晶体内部应力得到缓慢释放。
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公开(公告)号：CN118497880B
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202410968598.7
申请日：2024-07-19
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
Abstract: 本发明涉及单晶生长技术领域。一种用于晶体生长装置的自动温控方法、系统和装置。所述方法用于晶体生长装置，晶体生长装置包括主控发热体和辅控发热体，主控发热体用于控制生长装置的高温区间，辅控发热体用于控制生长装置的低温区间，自动温控方法包括：获取晶体生长固液界面的生长参数，生长参数用于表征晶体的生长状态；利用第一多段自动温控算法基于生长参数的偏移量计算主控发热体的温度调整量，并利用第二多段自动温控算法基于生长参数的偏移量计算辅控发热体与主控发热体的温差调整量；基于主控发热体的温度调整量调整主控发热体，基于主控发热体的温度调整量和辅控发热体与主控发热体的温差调整量调整辅控发热体。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118497880A
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202410968598.7
申请日：2024-07-19
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
Abstract: 本发明涉及单晶生长技术领域。一种用于晶体生长装置的自动温控方法、系统和装置。所述方法用于晶体生长装置，晶体生长装置包括主控发热体和辅控发热体，主控发热体用于控制生长装置的高温区间，辅控发热体用于控制生长装置的低温区间，自动温控方法包括：获取晶体生长固液界面的生长参数，生长参数用于表征晶体的生长状态；利用第一多段自动温控算法基于生长参数的偏移量计算主控发热体的温度调整量，并利用第二多段自动温控算法基于生长参数的偏移量计算辅控发热体与主控发热体的温差调整量；基于主控发热体的温度调整量调整主控发热体，基于主控发热体的温度调整量和辅控发热体与主控发热体的温差调整量调整辅控发热体。
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公开(公告)号：CN117737824A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202311834676.6
申请日：2023-12-28
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: C30B11/00
Abstract: 本发明提供一种原位退火装置，用于与生长装置配套使用，生长装置包括中空炉体，设有开放腔的热场，坩埚和籽晶杆，热场容置在中空炉体内用于在生长方向上提供梯度热源，坩埚容置在热场的开放腔内，籽晶杆用于提供冷源，籽晶杆与坩埚连接用以使坩埚沿生长方向运动以实现晶体生长，原位退火装置包括连接的基部和升降部，基部容置在开放腔用于选择性地支撑坩埚，升降部用于带动基部沿生长方向运动，籽晶杆与坩埚可拆连接，热场的内壁上设置有凸起件用以与基部抵接形成退火空间，其中当生长装置处于完成晶体生长状态时，升降部控制基部沿晶体生长的方向背向运动以使坩埚与籽晶杆脱离，直至基部与凸起件接触形成用于完成退火的退火空间。
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公开(公告)号：CN114941170B
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202210507490.9
申请日：2022-05-11
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
Abstract: 本发明公开一种提高氟化钙晶体193nm激光辐照硬度的方法。所述方法通过控制氟化钙原料中具有与F心波函数重叠的低位s轨道与d轨道的杂质阳离子含量来避免氟化钙晶体中F心、H心和M心的形成，降低氟化钙晶体中的氟空位浓度以及降低氟化钙晶体中的氧浓度的一种或多种的组合来提高氟化钙晶体的辐照硬度。
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公开(公告)号：CN106154302B
公开(公告)日：2019-11-19
申请号：CN201510130764.7
申请日：2015-03-24
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所 , 中国科学院高能物理研究所
IPC: G01T1/20
Abstract: 本发明涉及一种射线检测平板探测器用闪烁体板及其制备方法，所述闪烁体板包括基板、闪烁体层以及夹在所述基板和闪烁体层之间的反射层，其中，所述闪烁体层的组成化学式为(Lu(1‑x‑y)CexAy)3Al5O12，A格位可供选择的离子包括Ca2+、Mg2+、Sr2+、Ba2+、Li+、Na+、K+中的至少一种，0.001≤x≤0.05，0.0005≤y≤0.05。本发明的(Lu,A)3Al5O12:Ce透明陶瓷射线平板探测器具有成像锐利空间分辨率高的特点，且具有维护成本低，使用寿命长以及维护成本等优点，应用于医学诊断、无损检测、公共安全、辐射剂量检测以及石油勘探等使用射线检测的装置中。
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公开(公告)号：CN109455720A
公开(公告)日：2019-03-12
申请号：CN201811459241.7
申请日：2018-11-30
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
Abstract: 本发明涉及一种硅磷酸钙纳米粉体、制备方法和应用。制备方法包括：将钙源与第一液相分散剂混合，配制成钙源分散体系，然后滴加入硅源，分散均匀，得到钙-硅混合液；将磷源与第二液相分散剂混合，配制成磷源分散体系；将磷源分散体系滴加入钙-硅混合液中，在滴加的过程中对包含钙-硅混合液和磷源分散体系的混合体系进行超声处理，滴加结束后继续进行超声处理；将超声处理后的混合体系进行过滤、洗涤、干燥，得到硅磷酸钙前驱体；将硅磷酸钙前驱体进行煅烧，得到硅磷酸钙纳米粉体。该方法所得硅磷酸钙纳米粉体纯度高，颗粒尺寸为纳米级，团聚程度低，分散性好，煅烧温度较低，且原料便宜，操作简单，无副产物，易于工业化生产。
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