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公开(公告)号：CN101329907A
公开(公告)日：2008-12-24
申请号：CN200810040950.1
申请日：2008-07-24
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种降低相变存储器编程功耗的系统及方法，在进行当前编程操作的同时，预读下一位或多位待编程的地址位，将其数据与待编程数据相比较：如果待写入数据与存储器原始存入数据相同，则不进行编程操作；如果待写入数据与存储器原始存入数据不同，则进行编程操作。由于存储器的状态处于“0”与“1”两种状态，按照概率理论，待写入数据与存储器原始数据相同的概率为50％，故该方法能够降低存储芯片50％的功耗，提高了存储单元的存储寿命，同时擦、写时间比读的时间要长，因此该发明也可提高芯片的存储速度。
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公开(公告)号：CN100440513C
公开(公告)日：2008-12-03
申请号：CN200410067217.0
申请日：2004-10-15
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: 本发明涉及一种三维互补金属氧化物半导体(CMOS)器件结构及其制备方法，属微电子技术领域。本发明的特征是提出了三维多层CMOS结构，层与层之间用连线连接。制备该结构的关键是能够制备出多层由绝缘层隔离的单晶薄膜，本发明提出低温键合和低温剥离的工艺，将单晶薄膜转移到绝缘层上，并在此单晶薄膜上制备器件有源层。本发明提出的三维CMOS没有改变CMOS的基本结构，采用常规的CMOS工艺和设备条件就可实现高密度集成，工艺方法简单，并可减少金属互连线的长度和层数，提高器件的速度。
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公开(公告)号：CN100356607C
公开(公告)日：2007-12-19
申请号：CN200510030637.6
申请日：2005-10-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明涉及一种纳米硫系化合物相变存储器的制备方法，属于微电子领域。本发明的特征在于，在硅基片上，先生长一层SiO2，然后在上面沉积一层底电极。接着在电极上面，均匀生长一些相变纳米点，最后沉积一层相变薄膜。退火处理后，可在电极上形成较高的纳米点。接着沉积一层SiO2，用CMP进行抛光使其平整，沉积顶电极。整个存储器的结构见图8。施加脉冲信号，并测量其I-V特性，电阻率有较大的变化。本发明通过生长硫系化合物纳米点，为制备相变存储器提供了一种新的方法。
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公开(公告)号：CN100342550C
公开(公告)日：2007-10-10
申请号：CN200410067219.X
申请日：2004-10-15
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供一种双栅金属氧化物半导体晶体管的结构及其制备方法，其结构包括底部栅电极、底部栅介质层、顶部栅电极、顶部栅介质层、源区、漏区以及沟道区，其中底栅比顶栅宽，沟道区为单晶半导体薄膜。本发明的双栅金属氧化物半导体晶体管结构，较长的底栅用于克服短沟道效应，而尽量小的顶栅目的是为了提高速度，有源区制备在大面积高质量单晶半导体薄膜上，可提高速度，降低功耗。该双栅结构的制备方法是，在制备好底栅(包括栅电极和栅介质层)之后将单晶半导体薄膜转移至底栅上部，在高质量的单晶半导体薄膜上制备晶体管的有源区，然后制备顶部栅介质层和栅电极，形成高性能的双栅金属氧化物半导体晶体管。
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公开(公告)号：CN1815363A
公开(公告)日：2006-08-09
申请号：CN200610024251.9
申请日：2006-03-01
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G03F7/00 , G03F7/20 , H01L21/027 , G11C11/00 , G11C13/00
Abstract: 本发明涉及一种制作相变随机存储器用的湿法刻蚀液及其湿法刻蚀工艺，其刻蚀液的组成为：酸溶液为1～30％，氧化剂为0.5％～10％，络合剂为0.05％～10％，表面活性剂0.1～5％(均为wt％)，余量为去离子水。湿法刻蚀工艺步骤为：(1)清洗氧化硅片，依次沉积Ti或TiN，Pt或Au，以及相变材料膜；(2)在相变薄膜上光刻成图形；(3)沉积金属Pt或Au；(4)用剥离工艺去除曝光之外的金属Pt或Au；(5)用刻蚀液刻蚀相变材料；(6)沉积SiO2，形成的器件结构。本工艺充分利用刻蚀液的正向和侧向刻蚀，在有效控制刻蚀速率的条件下，用微米加工工艺制作了纳米相变存储器结构；制作之后离子对器件无污染，便于清洗、加工和废液处理成本低。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1610113A
公开(公告)日：2005-04-27
申请号：CN200410067217.0
申请日：2004-10-15
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: 本发明涉及一种三维互补金属氧化物半导体(CMOS)器件结构及其制备方法，属微电子技术领域。本发明的特征是提出了三维多层CMOS结构，层与层之间用连线连接。制备该结构的关键是能够制备出多层由绝缘层隔离的单晶薄膜，本发明提出低温键合和低温剥离的工艺，将单晶薄膜转移到绝缘层上，并在此单晶薄膜上制备器件有源层。本发明提出的三维CMOS没有改变CMOS的基本结构，采用常规的CMOS工艺和设备条件就可实现高密度集成，工艺方法简单，并可减少金属互连线的长度和层数，提高器件的速度。
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公开(公告)号：CN101807545B
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN201010130588.4
申请日：2010-03-22
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/8222 , H01L21/329 , H01L21/324 , H01L21/82
Abstract: 本发明提供一种二极管及电阻转换存储器的制造方法，其中的单晶硅的制备是通过在特定金属上沉积多晶硅薄膜，采用退火工艺，利用特定金属对多晶硅结晶的诱导作用，在较低温度下使多晶硅薄膜结晶形成单晶硅，随后采用半导体工艺制造二极管阵列及基于该种二极管的电阻转换存储器。本发明的特点在于可在较低的温度下制造二极管，且能在多层堆叠的集成电路中获得应用。
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公开(公告)号：CN101430930B
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN200810200269.9
申请日：2008-09-23
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种电阻转换存储单元及其方法，其结构包括：阈值电压可调的场效应晶体管及其阈值电压调节电路；以及至少一个与上述每个场效应晶体管对应连接的电阻转换存储单元。在存储器写、擦编程需要大电流时，通过晶体管体端电压的调整将晶体管的阈值电压调低，从而获得较大的输出电流；而在读操作或者存储器待机时，则不调整阈值电压或将晶体管的阈值电压调高，此外待机时还可获得较低的漏电流，提升存储器在待机时的稳定性，避免串扰。通过阈值电压的降低，在RESET和SET编程时调低阈值电压；采用该发明选通相变存储器，可以减小场效应晶体管的长度，即提升了场效应晶体管选通相变存储器芯片的密度。
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公开(公告)号：CN101329907B
公开(公告)日：2011-09-07
申请号：CN200810040950.1
申请日：2008-07-24
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种降低相变存储器编程功耗的系统及方法，在进行当前编程操作的同时，预读下一位或多位待编程的地址位，将其数据与待编程数据相比较：如果待编程数据与存储器原始存入数据相同，则不进行编程操作；如果待编程数据与存储器原始存入数据不同，则进行编程操作。由于存储器的状态处于“0”与“1”两种状态，按照概率理论，待编程数据与存储器原始数据相同的概率为50％，故该方法能够降低存储芯片50％的功耗，提高了存储单元的存储寿命，同时擦、写时间比读的时间要长，因此该发明也可提高芯片的存储速度。
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公开(公告)号：CN101329894B
公开(公告)日：2011-06-01
申请号：CN200810040948.4
申请日：2008-07-24
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G11C7/10
Abstract: 本发明涉及一种新型存储系统，它充分发挥相变存储器的优点，结合当今与未来擦、写速度更快与循环次数更高的存储器来实现低压、低功耗、高速与长寿命的功效。这种新型存储系统，对相变存储块进行实时的探测，以读写频率为依据，对不同的相变存储块采用不同的读写方式，通过设定读写操作频率的参考值以及主体存储器部分与副体存储器部分的容量比例来调节整个存储系统的读写次数、速度和功耗。它的另一个优点是仅仅只需修改少量的参数便可以设计出完全不同的相变存储芯片，同时也使不同应用领域的相变存储器设计纳入到一个体系中。
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