公开(公告)号：CN110444615B

公开(公告)日：2021-04-23

申请号：CN201910739894.9

申请日：2019-08-12

Applicant: 中南大学

Inventor： 汪炼成 ,  龙林云 ,  胡泽林 ,  李滔 ,  朱文辉

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/108 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种AlGaN基垂直结MSM紫外探测器及其制备方法，包括衬底，衬底一侧由内至外依次设有AlXGa1‑XN紫外光吸收层、电极，所述电极为正常叉指电极的一半，沉积在AlXGa1‑XN紫外光吸收层的表面，衬底另一侧设有区域电极，所述区域电极和叉指电极的材质相同，区域电极为层状，且区域电极、衬底、AlXGa1‑XN紫外光吸收层的横截面积相等。本发明通过将单个叉指电极沉积在紫外光吸收层上面，减少了金属电极对部分入射光的阻挡和吸收，在衬底下面制备区域电极，使得产生的光生载留子在垂直方向迁移收集，而不是在侧方向迁移收集，减少了光生载流子迁移时间，从而提高探测器的响应度，降低响应时间，增大探测器响应度，提高了使用性能。

公开(公告)号：CN111850630A

公开(公告)日：2020-10-30

申请号：CN202010758076.6

申请日：2020-07-31

Applicant: 中南大学

Inventor： 吴厚亚 ,  朱文辉 ,  李祉怡 ,  王彦

IPC: C25D3/38 ,  C25D7/12 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明提供了一种使用CTAB作为抑制类添加剂进行微孔填充的方法。采用CTAB作为抑制类添加剂，将纯铜板浸入电镀液中作为阳极，将含有微孔的硅片浸入电镀液中作为阴极，对硅片微孔进行电镀填充，相比传统的抑制类添加剂电镀体系，本发明所开发的使用CTAB作抑制剂的填充方法对微孔孔口及侧壁具有更强的抑制效果，输运能力更强，电镀填充效果更好、效率更高，有利于节约微孔电镀填充成本，在高深宽比微孔电镀填充中具有极大的优势。

公开(公告)号：CN109540374A

公开(公告)日：2019-03-29

申请号：CN201910024633.9

申请日：2019-01-10

Applicant: 中南大学

Inventor： 李军辉 ,  金忠 ,  陈卓 ,  何虎 ,  刘小鹤 ,  朱文辉

IPC: G01L19/00 ,  G01L1/00

Abstract: 本发明提供了一种超声烧结封装装置，应用于耐高温的压力传感器，所述压力传感器包括一不锈钢外壳，所述不锈钢外壳的底部设置有一管座，所述管座的顶端由下至上依次设置有下玻璃层、绝缘层和上玻璃层；所述超声烧结封装装置包括：加热平台，设置在所述不锈钢外壳的底端，用于给所述压力传感器的烧结封装提供热能；超声发生装置，设置在所述不锈钢外壳的顶端，用于给所述压力传感器的烧结封装提供超声能。本发明提供的超声烧结封装装置，能降低压力传感器的封装温度，保护压力传感器的芯片和封装体，同时利用超声能的强机械效应和清洁效应，改善了压力传感器封装的整体质量。

公开(公告)号：CN106206339B

公开(公告)日：2018-12-21

申请号：CN201610546341.8

申请日：2016-07-12

Applicant: 中南大学

Inventor： 王福亮 ,  陈卓 ,  何虎 ,  李军辉 ,  朱文辉

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/485

Abstract: 本发明公开了一种微铜柱间铜铜直接热超声倒装键合方法及其装置，将上芯片和下芯片之间的微铜柱对准，将上芯片和下芯片加热到倒装键合所需的温度60℃～220℃；将上芯片压在下芯片上，当施加在芯片上的压力达到预期的压力10MPa～30MPa时，开启超声电源并输出大功率1W～6W，并持续时间10ms～200ms；之后再将压力增大到20MPa～80MPa，超声输出功率降低到1W～3W，并保持时间100ms～2000ms，完成了上下芯片微铜柱之间铜铜直接热超声倒装键合。本发明是一种能保证键合界面微结构的形成以及键合后的强度和可靠性的微铜柱间铜铜直接热超声倒装键合方法及其装置。

公开(公告)号：CN106211606B

公开(公告)日：2018-08-31

申请号：CN201610576017.0

申请日：2016-07-20

Applicant: 中南大学

Inventor： 王福亮 ,  朱海新 ,  何虎 ,  李军辉 ,  朱文辉

IPC: H05K3/12 ,  H05K1/09 ,  C09D11/52

Abstract: 本发明公开了一种纳米银/石墨烯复合墨水的热超声烧结方法及其装置，将纳米银粉末和石墨烯分散在混合有机溶剂中，配置质量百分比为0.01％～90％的纳米银/石墨烯复合墨水；通过气压将高粘度的纳米银/石墨烯复合墨水从胶筒中挤出来，通过点胶头涂写在柔性基板上形成带导电电路的柔性基板；将烘干的带导电电路的柔性基板放在两层PDMS保护塑料之间，施加压力达到所需值3～30MPa；加热温度为60～160℃；然后，在3～30MPa、60‑160℃的条件下，进行热压预烧结，烧结时间为1‑10分钟，在3‑30MPa、60‑160℃的条件下进行热超声烧结，烧结时间为1‑10分钟，通过超声、压力和温度的作用，实现纳米银/石墨烯之间的固态扩散，制备出具有良好导电性能和机械弯折性能的柔性电路。

公开(公告)号：CN107492534A

公开(公告)日：2017-12-19

申请号：CN201710656820.X

申请日：2017-08-03

Applicant: 中南大学

Inventor： 朱文辉 ,  杨辉 ,  李军辉 ,  何虎 ,  陈卓

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/50 ,  H01L21/60

Abstract: 本发明公开了一种细节距单IC芯片封装件及其制备方法，其中，封装件包括塑封体，塑封体内设有引线框架载体和多个框架引线内引脚，引线框架载体的上表面固接有IC芯片，IC芯片的上表面设有多个焊盘，多个焊盘呈两排平行布置，形成第一焊盘组和第二焊盘组，每个焊盘通过铜键合线分别对应连接一框架引线内引脚，每一焊盘组中的多个焊盘的上表面间隔设置有铝电镀层，一个焊盘组中设置有铝电镀层的焊盘与另一焊盘组中未设置铝电镀层的焊盘相对应。该封装件中相邻焊点不易短路，产品良率高、质量好，本发明的制备方法成本低、生产效率高。

公开(公告)号：CN105067421B

公开(公告)日：2017-11-10

申请号：CN201510585488.3

申请日：2015-09-15

Applicant: 中南大学

Inventor： 何虎 ,  李军辉 ,  陈卓 ,  朱文辉

IPC: G01N3/00

Abstract: 本发明公开了一种基于图像分析的TSV结构的三维应力表征方法，包括如下步骤：步骤一、利用高分率X射线显微镜，从不同角度对TSV结构进行成像，然后通过图像重构技术获得TSV结构的三维结构点云数据；步骤二、计算TSV结构在外载荷作用前后，上述点云数据中每一个点的空间三维变形量；步骤三、根据步骤二得到的三维变形量，采用拉格朗日应变张量来计算TSV结构中每个点的三维应力状态。本发明基于图像信号分析来表征TSV结构三维应力，能弥补传统应力表征的成本昂贵、效率较低的不足，对含TSV结构的器件在外载荷作用下的失效分析和可靠性设计意义重大。

公开(公告)号：CN105101658B

公开(公告)日：2017-10-20

申请号：CN201510566877.1

申请日：2015-09-09

Applicant: 中南大学

Inventor： 王福亮 ,  毛鹏 ,  李艳妮 ,  何虎 ,  朱文辉

IPC: H05K3/12

Abstract: 本发明公开了一种纳米银导电墨水的热超声低温烧结方法，包括如下步骤：将纳米银导电墨水涂布在柔性基板上形成所需互连线路，然后在基板的上下分别包裹上一层聚酰亚胺薄膜，放置于底板上，以防止互连线路受污染；将底板预热到100‑150℃，形成温度烧结环境；施加5‑20Mpa的压力以及频率为10‑50KHz的超声对线路进行热超声烧结；在热超声烧结3‑10分钟后取出完成烧结。本发明通过热超声烧结的方式对柔性基板上的纳米银导电墨水轨迹线进行烧结，烧结温度降低到了120℃，大大缩短了烧结时间，将烧结时间降到5分钟以下，且经过热超声烧结后的纳米银导电线路在超声的作用下增大了纳米银颗粒分布的致密度，纳米银互连线路的电阻率降低到4.25×10‑8（Ω.m）。

公开(公告)号：CN106570211A

公开(公告)日：2017-04-19

申请号：CN201610886947.6

申请日：2016-10-11

Applicant: 中南大学

Inventor： 何虎 ,  肖承地 ,  李军辉 ,  曹森 ,  王彦 ,  陈卓 ,  朱文辉

IPC: G06F17/50

Abstract: 本发明涉及微电子封装与热管理计算领域，公开了一种TSV转接板等效热导率预测方法及系统，为解决3D集成封装芯片热管理问题提供基础支持。该方法包括：构建考虑有介电层的TSV转接板垂直方向上的二维等效模型；根据组分在模型中的体积占比不变的原则，分别计算TSV孔中填充物及介电层在垂直方向二维等效模型中的等效参数；根据所述二维等效模型中的等效参数及硅、介电层及填充物的热导率仿真得出与垂直方向热流相垂直的两平行截面之间的平均温度差；根据所述平均温度差、两平行截面的距离及热流参数计算得出TSV转接板垂直方向的等效热导率。

公开(公告)号：CN106090838A

公开(公告)日：2016-11-09

申请号：CN201610457590.X

申请日：2016-06-22

Applicant: 中南大学

Inventor： 李军辉 ,  肖承地 ,  廖海龙 ,  何虎 ,  陈卓 ,  朱文辉

IPC: F21V29/503 ,  F21V29/51 ,  F21V29/74 ,  F21V29/67 ,  F21V23/00 ,  H05B33/08 ,  F21Y115/10

Abstract: 本发明公开了一种高功率LED散热系统及其控制方法，以实现高功率LED器件智能散热。本发明公开的高功率LED散热系统，包括：热管散热器，所述热管散热器的翅片上固定有PWM风扇，所述热管散热器的热沉上固定有用于探测高功率LED器件基底温度的热电偶，所述热电偶与所述PWM风扇之间连接有微控制器，所述微控制器的一输出端还与所述高功率LED器件的电源开关连接；以及所述微控制器，用于根据所述热电偶所探测到的温度切换所述PWM风扇的至少两种工作模式，并在所述高功率LED器件温度失控条件下，向所述高功率LED器件的电源开关输出关闭指令。