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公开(公告)号:CN108046794A
公开(公告)日:2018-05-18
申请号:CN201711296034.X
申请日:2017-12-08
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所 , 上海大学
IPC: C04B35/462 , C01G23/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明涉及利用共沉淀法合成粉体制备钛酸钇透明陶瓷的方法,包括:将Y源溶液和Ti源溶液混合得到混合溶液,混合溶液中Y与Ti的摩尔比为1:1;将混合溶液以3mL/分钟以下的速度滴加到沉淀剂溶液中并不断搅拌,经陈化、过滤得到的钛酸钇前驱体沉淀物;将钛酸钇前驱体沉淀物烘干,于800℃~1000℃煅烧1~5小时,得到钛酸钇粉体;将钛酸钇粉体研磨后,压制成型得到坯体;以及将坯体于800~1200℃预烧2~5小时后,在真空条件下于1400~1600℃烧结4~10小时,经退火得到钛酸钇透明陶瓷。本发明获得粉体粒径小且分布均匀,具有较高烧结活性,在较低的温度下烧结制备钛酸钇透明陶瓷,操作简单,能耗小。
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公开(公告)号:CN107417276A
公开(公告)日:2017-12-01
申请号:CN201710574070.1
申请日:2017-07-14
Applicant: 上海大学
IPC: C04B35/50 , C04B35/622 , C04B35/645 , B28B1/26 , B28B11/24 , B28B17/02
Abstract: 本发明公开了一种织构化铈掺杂硅酸镥闪烁陶瓷及其制备方法,采用强磁场下注浆成型并结合热等静压烧结工艺制备LSO:Ce闪烁陶瓷。本发明利用高分散的LSO:Ce料浆在强磁场下成型制备具有一定晶粒取向度的LSO:Ce素坯,再将素坯在1550-1750℃的温度下烧结获得相对密度大于95%的陶瓷烧结体,随后再将LSO:Ce陶瓷烧结体进行热等静压后处理获得相对密度高达99.8%的高致密织构化陶瓷,最后经过退火后获得高透明性的LSO:Ce闪烁陶瓷。该LSO:Ce闪烁陶瓷的晶粒取向度可达到28%,在发光波长420nm处的直线透过率可达到6.6%,可用作X射线CT或γ射线PET扫描成像仪中的探测器材料。
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公开(公告)号:CN105669187A
公开(公告)日:2016-06-15
申请号:CN201610022917.0
申请日:2016-01-14
Applicant: 上海大学
IPC: C04B35/46 , C04B35/624 , C04B35/622 , C03C17/25
CPC classification number: C04B35/46 , C03C17/256 , C03C2217/70 , C03C2218/111 , C04B35/62222 , C04B35/624
Abstract: 本发明公开了一种层层自组装法制备纳米二氧化钛薄膜的方法,本发明是利用配制表面带正电的纳米二氧化钛溶胶和表面带负电的纳米二氧化钛溶胶,通过层层自组装法,在不同类型基底上制得纳米二氧化钛薄膜:(1)在石英基底上制得超亲水二氧化钛薄膜,(2)在ITO-PET柔性导电薄膜制得二氧化钛薄膜。本发明的优点:工艺简单,室温下制备,成本低、与基底结合紧密,具有好的均匀性。
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公开(公告)号:CN104861975A
公开(公告)日:2015-08-26
申请号:CN201510260677.3
申请日:2015-05-21
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及一种紫外激发的白光LED用钼酸盐基红色荧光粉及其制备方法,该红色荧光粉的结构式为:Y(2-x)MoO6:Eu3+x,0<x<2。本发明的紫外激发的白光LED用钼酸盐基红色荧光粉,其化学性质稳定,有助于提高发光亮度。同时,因为本发明采用水热反应,具有工艺简单,容易实现批量生产等优点,在较低的温度下就可以得到分散均匀的发光粉,易于工业化生产应用。
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公开(公告)号:CN103320128A
公开(公告)日:2013-09-25
申请号:CN201310252704.3
申请日:2013-06-24
Applicant: 上海大学
IPC: C09K11/78
Abstract: 本发明涉及一种钨酸盐基的发红光的荧光粉,属于发光材料领域。该荧光粉化学式为:Na1-yLiyY1-xEux(WO4)2,其中X取值范围:0.01-1,Y取值范围是0.01-0.5。该荧光粉可以通过固相合成法制备,在商业LED用蓝光半导体芯片所用波长(380nm)激发下发射的红光强度是商业红粉(Eu掺杂Y2O3)的2倍以上。该荧光粉适合作为显示器用和白光LED用红粉,其中在蓝光半导体芯片激发组成白光LED中具有很好的应用前景。
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公开(公告)号:CN103254897A
公开(公告)日:2013-08-21
申请号:CN201310173536.9
申请日:2013-05-13
Applicant: 上海大学
IPC: C09K11/68
CPC classification number: Y02B20/181
Abstract: 本发明属于稀土发光材料领域,具体涉及一种可用于白光LED显示的红色荧光粉的制备方法。采用水热法合成出化学性能稳定,发光亮度高,尺寸在纳米级的红色荧光粉。其组成为Cd(1-x)WO4:Eu3+x,0<x<1,较佳的x取0.02~0.10。具体步骤为:将可溶性镉盐及可溶的三价Eu盐溶于去离子水中,配制成A溶液,再将可溶钨酸盐溶于去离子水中,配制成B溶液。在搅拌下,将B溶液加入到A溶液中,并继续搅拌10~30min至沉淀反应完全。然后装入聚四氟乙烯反应釜中150~220℃水热反应24h,所得产物经水洗、离心除去杂质,然后在烘箱中85℃干燥24小时即得最终产物。本发明方法简单易行,易于工业化生产,所得产物颗粒尺寸小,重现性好。
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公开(公告)号:CN101993240B
公开(公告)日:2013-03-06
申请号:CN201010536133.2
申请日:2010-11-09
Applicant: 上海大学
IPC: C04B35/16 , C04B35/622
Abstract: 本发明涉及采用一种放电等离子烧结技术(Sparkplasmasintering)实现Ce3+掺杂硅酸镥(Lu2SiO5)多晶闪烁光学陶瓷快速制备的方法,属稀土掺杂多晶闪烁陶瓷制备技术领域。本发明的特点是:以氯化镥(LuCl3)和正硅酸乙酯(Si(C2H5O)4)为起始原料,经适当的Sol-gel过程反应得到Ce:Lu2SiO5前驱沉淀物,随后在900-1300℃空气氛下进行煅烧合成,并在该温度下保温1~10小时,最终得到一次颗粒80~100纳米的单相Ce:Lu2SiO5发光粉体。采用放电等离子烧结(SparkPlasmaSintering)技术致密化方法,在较低的烧结温度(1350~1450℃下)快速完成致密化过程,保温时间为3~15分钟,得Ce:Lu2SiO5多晶陶瓷,再经1000℃空气气氛下(2~15小时)退火后,得到相对密度99.50%的半透明光学陶瓷,陶瓷的发光性能优良。
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公开(公告)号:CN102503549A
公开(公告)日:2012-06-20
申请号:CN201110339852.X
申请日:2011-11-02
Applicant: 上海大学
IPC: C04B41/50
Abstract: 本发明涉及一种稀土离子Re3+(Re=Ce,Tb)掺杂的Lu2SiO5(LSO)多晶发光薄膜的制备方法,属稀土化合物发光薄膜制备工艺技术领域。本发明方法的特点是以氯化镥、无水乙醇、正硅酸乙酯、硝酸铽、硝酸铈为原料,以柠檬酸为络合剂,采用Pechini溶胶凝胶法获得LSO:Re3+前驱体溶胶,将该前躯体溶胶旋涂、热处理后获得前躯体薄膜,置于马弗炉中在800-1200°C下进行煅烧处理,并保温2小时,然后在空气中自然冷却,最终获得Ce3+或Tb3+离子掺杂的硅酸镥多晶发光薄膜。本发明方法的优点是合成温度低、掺杂均匀、设备价格低以及制备工艺简单,制得的薄膜表面光滑平整、无裂纹且具有良好的显微结构和光学性能。
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公开(公告)号:CN102382654A
公开(公告)日:2012-03-21
申请号:CN201110272491.1
申请日:2011-09-15
Applicant: 上海大学
IPC: C09K11/85
Abstract: 本发明涉及一种以纯六方相NaYF4为基质,掺杂Yb3+、Er3+离子的上转换荧光纳米晶的制备方法,属荧光纳米材料制备技术领域。本发明的目的在于发展一种上转换荧光材料纯六方相NaYF4:Yb3+/Er3+纳米晶的溶剂热制备方法,该方法基本特点是以油酸等有机溶剂作为反应溶剂,以氟化氨,乙醇钠,硝酸钇,硝酸铒,硝酸镱为原料,在聚四氟乙烯反应釜中于200℃/24h条件进行溶剂热处理自然冷却后,所得产物经离心分离后用去离子水和乙醇交替洗涤3次,制备出单一纯六方相的NaYF4:Yb/Er纳米晶颗粒,其颗粒平均直径为80~100nm,平均长度为150~200nm,在980nm激发下表现出很强的上转换荧光特性,其主发射峰位于519nm,538nm,652nm。
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公开(公告)号:CN102020988A
公开(公告)日:2011-04-20
申请号:CN201010527714.X
申请日:2010-11-02
Applicant: 上海大学
IPC: C09K11/80
Abstract: 本发明涉及一种共沉淀法制备γ-AlON基陶瓷发光粉末的方法,属于荧光粉材料合成与制备领域。本发明方法的特点是以硝酸铝、硝酸铈、硝酸铽、尿素、纳米炭黑为原料,以PEG为分散剂,以碳酸氢铵和氨水为沉淀剂,经沉淀反应得到前驱物。将该前驱物沉淀洗涤,烘干后研磨,经在700℃氮气保护条件下处理2-4h后,再在1750℃,氮气流量0.5L/min条件下保温2-4h,在空气中自然冷却后,在700℃条件下除碳,最终获得掺杂Tb3+/Ce3+发光离子的AlON基荧光粉,颗粒尺寸在1-2μm范围内,粉体粒度均匀。组分优化后Tb3+/Ce3+离子共掺杂的AlON粉体在275nm条件激发下发光性能优良,约为单掺Tb3+AlON荧光粉体发光强度的10倍。
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