利用共沉淀法合成粉体制备钛酸钇透明陶瓷的方法

    公开(公告)号:CN108046794A

    公开(公告)日:2018-05-18

    申请号:CN201711296034.X

    申请日:2017-12-08

    Abstract: 本发明涉及利用共沉淀法合成粉体制备钛酸钇透明陶瓷的方法,包括:将Y源溶液和Ti源溶液混合得到混合溶液,混合溶液中Y与Ti的摩尔比为1:1;将混合溶液以3mL/分钟以下的速度滴加到沉淀剂溶液中并不断搅拌,经陈化、过滤得到的钛酸钇前驱体沉淀物;将钛酸钇前驱体沉淀物烘干,于800℃~1000℃煅烧1~5小时,得到钛酸钇粉体;将钛酸钇粉体研磨后,压制成型得到坯体;以及将坯体于800~1200℃预烧2~5小时后,在真空条件下于1400~1600℃烧结4~10小时,经退火得到钛酸钇透明陶瓷。本发明获得粉体粒径小且分布均匀,具有较高烧结活性,在较低的温度下烧结制备钛酸钇透明陶瓷,操作简单,能耗小。

    织构化铈掺杂硅酸镥闪烁陶瓷及其制备方法

    公开(公告)号:CN107417276A

    公开(公告)日:2017-12-01

    申请号:CN201710574070.1

    申请日:2017-07-14

    Applicant: 上海大学

    Abstract: 本发明公开了一种织构化铈掺杂硅酸镥闪烁陶瓷及其制备方法,采用强磁场下注浆成型并结合热等静压烧结工艺制备LSO:Ce闪烁陶瓷。本发明利用高分散的LSO:Ce料浆在强磁场下成型制备具有一定晶粒取向度的LSO:Ce素坯,再将素坯在1550-1750℃的温度下烧结获得相对密度大于95%的陶瓷烧结体,随后再将LSO:Ce陶瓷烧结体进行热等静压后处理获得相对密度高达99.8%的高致密织构化陶瓷,最后经过退火后获得高透明性的LSO:Ce闪烁陶瓷。该LSO:Ce闪烁陶瓷的晶粒取向度可达到28%,在发光波长420nm处的直线透过率可达到6.6%,可用作X射线CT或γ射线PET扫描成像仪中的探测器材料。

    紫外激发的白光LED用钼酸盐基红色荧光粉及其制备方法

    公开(公告)号:CN104861975A

    公开(公告)日:2015-08-26

    申请号:CN201510260677.3

    申请日:2015-05-21

    Applicant: 上海大学

    Abstract: 本发明涉及一种紫外激发的白光LED用钼酸盐基红色荧光粉及其制备方法,该红色荧光粉的结构式为:Y(2-x)MoO6:Eu3+x,0<x<2。本发明的紫外激发的白光LED用钼酸盐基红色荧光粉,其化学性质稳定,有助于提高发光亮度。同时,因为本发明采用水热反应,具有工艺简单,容易实现批量生产等优点,在较低的温度下就可以得到分散均匀的发光粉,易于工业化生产应用。

    一种发红光钨酸盐荧光粉
    55.
    发明公开

    公开(公告)号:CN103320128A

    公开(公告)日:2013-09-25

    申请号:CN201310252704.3

    申请日:2013-06-24

    Applicant: 上海大学

    Abstract: 本发明涉及一种钨酸盐基的发红光的荧光粉,属于发光材料领域。该荧光粉化学式为:Na1-yLiyY1-xEux(WO4)2,其中X取值范围:0.01-1,Y取值范围是0.01-0.5。该荧光粉可以通过固相合成法制备,在商业LED用蓝光半导体芯片所用波长(380nm)激发下发射的红光强度是商业红粉(Eu掺杂Y2O3)的2倍以上。该荧光粉适合作为显示器用和白光LED用红粉,其中在蓝光半导体芯片激发组成白光LED中具有很好的应用前景。

    一种用于白光LED显示的红色荧光粉的制备方法

    公开(公告)号:CN103254897A

    公开(公告)日:2013-08-21

    申请号:CN201310173536.9

    申请日:2013-05-13

    Applicant: 上海大学

    CPC classification number: Y02B20/181

    Abstract: 本发明属于稀土发光材料领域,具体涉及一种可用于白光LED显示的红色荧光粉的制备方法。采用水热法合成出化学性能稳定,发光亮度高,尺寸在纳米级的红色荧光粉。其组成为Cd(1-x)WO4:Eu3+x,0<x<1,较佳的x取0.02~0.10。具体步骤为:将可溶性镉盐及可溶的三价Eu盐溶于去离子水中,配制成A溶液,再将可溶钨酸盐溶于去离子水中,配制成B溶液。在搅拌下,将B溶液加入到A溶液中,并继续搅拌10~30min至沉淀反应完全。然后装入聚四氟乙烯反应釜中150~220℃水热反应24h,所得产物经水洗、离心除去杂质,然后在烘箱中85℃干燥24小时即得最终产物。本发明方法简单易行,易于工业化生产,所得产物颗粒尺寸小,重现性好。

    一种Ce3+掺杂硅酸镥(Lu2SiO5)多晶闪烁光学陶瓷的制备方法

    公开(公告)号:CN101993240B

    公开(公告)日:2013-03-06

    申请号:CN201010536133.2

    申请日:2010-11-09

    Applicant: 上海大学

    Abstract: 本发明涉及采用一种放电等离子烧结技术(Sparkplasmasintering)实现Ce3+掺杂硅酸镥(Lu2SiO5)多晶闪烁光学陶瓷快速制备的方法,属稀土掺杂多晶闪烁陶瓷制备技术领域。本发明的特点是:以氯化镥(LuCl3)和正硅酸乙酯(Si(C2H5O)4)为起始原料,经适当的Sol-gel过程反应得到Ce:Lu2SiO5前驱沉淀物,随后在900-1300℃空气氛下进行煅烧合成,并在该温度下保温1~10小时,最终得到一次颗粒80~100纳米的单相Ce:Lu2SiO5发光粉体。采用放电等离子烧结(SparkPlasmaSintering)技术致密化方法,在较低的烧结温度(1350~1450℃下)快速完成致密化过程,保温时间为3~15分钟,得Ce:Lu2SiO5多晶陶瓷,再经1000℃空气气氛下(2~15小时)退火后,得到相对密度99.50%的半透明光学陶瓷,陶瓷的发光性能优良。

    一种稀土离子掺杂硅酸镥多晶薄膜的制备方法

    公开(公告)号:CN102503549A

    公开(公告)日:2012-06-20

    申请号:CN201110339852.X

    申请日:2011-11-02

    Applicant: 上海大学

    Abstract: 本发明涉及一种稀土离子Re3+(Re=Ce,Tb)掺杂的Lu2SiO5(LSO)多晶发光薄膜的制备方法,属稀土化合物发光薄膜制备工艺技术领域。本发明方法的特点是以氯化镥、无水乙醇、正硅酸乙酯、硝酸铽、硝酸铈为原料,以柠檬酸为络合剂,采用Pechini溶胶凝胶法获得LSO:Re3+前驱体溶胶,将该前躯体溶胶旋涂、热处理后获得前躯体薄膜,置于马弗炉中在800-1200°C下进行煅烧处理,并保温2小时,然后在空气中自然冷却,最终获得Ce3+或Tb3+离子掺杂的硅酸镥多晶发光薄膜。本发明方法的优点是合成温度低、掺杂均匀、设备价格低以及制备工艺简单,制得的薄膜表面光滑平整、无裂纹且具有良好的显微结构和光学性能。

    上转换荧光材料稀土掺杂NaYF4纳米晶的制备方法

    公开(公告)号:CN102382654A

    公开(公告)日:2012-03-21

    申请号:CN201110272491.1

    申请日:2011-09-15

    Applicant: 上海大学

    Abstract: 本发明涉及一种以纯六方相NaYF4为基质,掺杂Yb3+、Er3+离子的上转换荧光纳米晶的制备方法,属荧光纳米材料制备技术领域。本发明的目的在于发展一种上转换荧光材料纯六方相NaYF4:Yb3+/Er3+纳米晶的溶剂热制备方法,该方法基本特点是以油酸等有机溶剂作为反应溶剂,以氟化氨,乙醇钠,硝酸钇,硝酸铒,硝酸镱为原料,在聚四氟乙烯反应釜中于200℃/24h条件进行溶剂热处理自然冷却后,所得产物经离心分离后用去离子水和乙醇交替洗涤3次,制备出单一纯六方相的NaYF4:Yb/Er纳米晶颗粒,其颗粒平均直径为80~100nm,平均长度为150~200nm,在980nm激发下表现出很强的上转换荧光特性,其主发射峰位于519nm,538nm,652nm。

    掺铈铽γ-AlON基发光粉体的制备方法

    公开(公告)号:CN102020988A

    公开(公告)日:2011-04-20

    申请号:CN201010527714.X

    申请日:2010-11-02

    Applicant: 上海大学

    Abstract: 本发明涉及一种共沉淀法制备γ-AlON基陶瓷发光粉末的方法,属于荧光粉材料合成与制备领域。本发明方法的特点是以硝酸铝、硝酸铈、硝酸铽、尿素、纳米炭黑为原料,以PEG为分散剂,以碳酸氢铵和氨水为沉淀剂,经沉淀反应得到前驱物。将该前驱物沉淀洗涤,烘干后研磨,经在700℃氮气保护条件下处理2-4h后,再在1750℃,氮气流量0.5L/min条件下保温2-4h,在空气中自然冷却后,在700℃条件下除碳,最终获得掺杂Tb3+/Ce3+发光离子的AlON基荧光粉,颗粒尺寸在1-2μm范围内,粉体粒度均匀。组分优化后Tb3+/Ce3+离子共掺杂的AlON粉体在275nm条件激发下发光性能优良,约为单掺Tb3+AlON荧光粉体发光强度的10倍。

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