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公开(公告)号：CN1489063A
公开(公告)日：2004-04-14
申请号：CN03149353.X
申请日：2003-06-16
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 大石司
CPC classification number: G11C14/0081
Abstract: 电源控制部(2)在切断要设为待机状态的相应的电路模块的电源或者整个芯片的电源之前，对该相应的电路模块激活控制信号ST，使该电路模块将数据处理后的运算结果向存储器部(4)转移。电源控制部(2)对处于待机状态的该相应的电路模块再次供给电源时，激活电源供给开始后的控制信号RES，将转移到存储器部(4)的数据恢复到相应的电路模块。进行数据转移和恢复时，电路模块中的触发器串联，采用与通常不同的通路进行数据转送。从而，提供可保持内部信息且高速转移到降低消耗功率的待机模式的半导体装置。
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公开(公告)号：CN1480945A
公开(公告)日：2004-03-10
申请号：CN03130943.7
申请日：2003-05-09
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: G11C11/15
CPC classification number: G11C11/16
Abstract: 作为与读出电流路径连接的晶体管组的1个的MTJ存储单元中的存取晶体管(ATR)使用在半导体衬底SUB上的绝缘膜(200)上形成的半导体层(205)来制造，包含杂质区(110、120)、栅区(130)和体区(210)。即，为了削减其关断漏泄电流，用SOI(绝缘体上的硅)结构来制造存取晶体管(ATR)。
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公开(公告)号：CN1477645A
公开(公告)日：2004-02-25
申请号：CN03124142.5
申请日：2003-05-06
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 大石司
CPC classification number: G11C15/046 , G11C11/16 , G11C13/0004 , G11C15/02 , G11C29/816 , G11C29/846
Abstract: 在MRAM的存储单元阵列中，借助于将正常存储单元与保持基准值的基准存储单元进行比较，使每一个单元存储1位数据。备用存储单元用2个单元存储1位数据。在备用存储单元的2个单元中写入互补的数值，借助于将这2个单元与读出放大器连接，来读出所存储的1位数据。多配置在阵列周边部分的备用存储单元部分抗元件完成后的尺寸离散性的能力增强，可以提高置换成备用存储单元进行补救时的成功率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1477643A
公开(公告)日：2004-02-25
申请号：CN03123159.4
申请日：2003-04-22
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 大石司
IPC: G11C15/00
CPC classification number: G11C13/0069 , G11C7/062 , G11C11/15 , G11C11/16 , G11C11/1675 , G11C13/0004 , G11C15/02 , G11C15/04 , G11C15/046 , G11C29/02 , G11C29/026 , G11C29/028 , G11C29/50 , G11C2013/0076 , G11C2013/0078 , G11C2013/008 , G11C2207/063 , G11C2213/72 , G11C2213/79
Abstract: 设有数据检索时进行对存储单元行非易失地写入的存储信息跟检索信息的一致性比较动作的电流检测电路。该电流检测电路对如下两种电流进行比较：即与存放存储信息的存储单元行的各存储单元对应的各位线中流过的数据读出电流，以及与存放检索信息的各检索存储单元对应的各位线中流过的数据读出电流。
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公开(公告)号：CN1445783A
公开(公告)日：2003-10-01
申请号：CN03120157.1
申请日：2003-03-10
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: G11C11/16
Abstract: 数据写入时，第1驱动器(INV)根据写入数据，把第1共有节点与第1及第2电压的一方电连接。第2驱动器(INVR)把第2共有节点与第1及第2电压的另一方电连接。设置了用于把各位线的一端侧与第1共有节点分别电耦合的多个第1开关电路(TR)，以及把另一端侧与第2共有节点分别电耦合的多个第2开关电路(TRR)。根据列选择结果，使对应的位线的第1及第2开关电路导通。从而，不必在各位线设置驱动器就可以进行数据写入。
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公开(公告)号：CN1440038A
公开(公告)日：2003-09-03
申请号：CN03101853.X
申请日：2003-01-20
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 大石司
IPC: G11C16/06 , H01L29/792
CPC classification number: G11C16/28 , G11C11/5671 , G11C16/0475
Abstract: 采用擦除状态及写入状态的虚设单元(DMH、DML)，由1/2电流发生电路(2)生成与流过这些虚设单元的电流的平均电流对应的虚设电流，由电流读出·放大电路(3)将该虚设电流和与流过选择正常单元(MC)的存储单元电流对应的电流进行比较，按照其比较结果生成内部读出数据(RD)。提供了一种能够高速地读出数据的非易失性半导体存储器。
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公开(公告)号：CN1440036A
公开(公告)日：2003-09-03
申请号：CN02152203.0
申请日：2002-11-19
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 大石司
CPC classification number: H01L27/228 , B82Y10/00 , G11C5/142
Abstract: 薄膜磁性体记忆装置，具备用于收发与外部的电波的天线部件(4)。构成天线部件(4)的电感布线(5)具有金属布线(6)；其下面部分或者其下面部分及侧面部分对应形成的磁性体膜(7)。磁性体膜(7)，不必设置专用的制造工序，在薄膜磁性体记忆装置的原来的制造工序内被制作。
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公开(公告)号：CN1423279A
公开(公告)日：2003-06-11
申请号：CN02142120.X
申请日：2002-08-28
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 大石司
CPC classification number: G11C29/026 , G11C7/062 , G11C11/16 , G11C29/02 , G11C2029/5006 , G11C2207/063
Abstract: 数据读出电路根据分别流过第1和第2节点的电流之差,生成读出数据。在数据读出工作时,利用电流传递电路和基准电流发生电路,分别在第1和第2节点中流过与选择存储单元的通过电流对应的存取电流和规定的基准电流。在测试模式中,电流切换电路在第1和第2节点中流过同一测试电流,来代替存取电流和基准电流。由此,可评价数据读出电路中的电流读出放大器的偏移。
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