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公开(公告)号：CN1699936A
公开(公告)日：2005-11-23
申请号：CN200510071827.2
申请日：2005-05-20
Applicant: 三洋电机株式会社
Abstract: 由二极管所构成的光学传感器(photo sensor)的构造并无法进行更新，并且无光照时的漏电特性不稳定，因此并不适用于光学传感器。而薄膜晶体管的光学传感器的光量非常微小，有反馈较困难的问题。本发明是在薄膜晶体管的光学传感器附加将输出电流变换为电压的检测电路。由此使微小电流可变换为可反馈的所希望的范围的电压。而通过改变构成电路的电阻、电容、光学传感器的连接数，可使光学传感器的感度变化。
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公开(公告)号：CN1638580A
公开(公告)日：2005-07-13
申请号：CN200410103416.2
申请日：2004-12-27
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H01L51/5265 , H01L27/3213 , H01L27/3244 , H01L51/5215
Abstract: 本发明提供具有简易且正确地形成微小共振器构造的显示装置。该显示装置包含多个像素，通过两种以上的波长的发射光进行彩色显示的显示装置，各像素具有：形成于基板侧的下部反射膜(110)，形成于下部反射膜(110)上方的上部反射膜(240)，以及形成于该下部反射膜(110)与该上部反射膜之间的微小共振器构造，在下部反射膜(110)及上部反射膜(240)间插入有机发光组件层(120)。下部反射膜(110)由金属薄膜所构成，在其与有机发光组件层(120)之间具有起第一电极(200)作用的导电性共振间隔物层。该导电性共振间隔物层根据发射波长改变ITO的透明导电性金属氧化物层与SiNx等的透光层(210)的层积数或残留数而改变厚度。该厚度以下层的多结晶ITO作为蚀刻阻止层而从多结晶ITO上选择除去上层的非晶质ITO层或SiNx层，并依照成膜残留的ITO层或SiNx层的厚度改变其厚度，以使发射光由上述微小共振器构造增强后发射到外部。
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公开(公告)号：CN1627341A
公开(公告)日：2005-06-15
申请号：CN200410088989.2
申请日：2004-11-23
Applicant: 三洋电机株式会社
Inventor： 西川龙司
CPC classification number: H01L27/3244 , G06F3/0421 , H01L27/323 , H01L31/147 , H01L2251/5315
Abstract: 本发明提供一种具触控面板的电场发光显示装置，可减少零件数，并可提高指示物体的位置检测精密度。显示面板(1)的构成为；显示部(10)；沿显示部(10)边缘形成的光源部(20x)、(20y)；及检测部(30x)、(30y)等形成于同一基板上。并于显示面板(1)的收容容器(50)两端部形成：将光源部(20x)、(20y)所发出的光对显示部(10)的发光面成水平方向反射的第1反射板(51x)、(51y)；及将此等反射板所反射的光再反射，将此光引导至显示部(10)背面而导入光检测部(30x)、(30y)的第2反射板(52x)、(52y)。
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公开(公告)号：CN1577444A
公开(公告)日：2005-02-09
申请号：CN200410050039.0
申请日：2004-06-29
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: G09G3/3233 , G09G2300/0426 , G09G2300/08 , G09G2320/043 , G09G2320/0626 , G09G2360/144 , G09G2360/145 , G09G2360/148 , H01L27/3227 , H01L27/3269 , H01L2251/5315
Abstract: 本发明提供一种电致发光显示装置及其制造方法，该电致发光显示装置，可因应外部光线的强度而自动补正显示部的发光强度，除了可减少构件数量的外，并可提高外光传感器的检测灵敏度。本发明的电致发光显示装置，是在同一玻璃基板(10A)上一体形成下列各元件：顶部发光型有机EL元件(40A)；以顶部栅极型TFT形成用以驱动该有机EL元件的驱动用TFT(30A)；以及由底部栅极型TFT所形成的外光传感器(70A)。通过底部栅极型TFT所形成的外光传感器(70A)，使射入的外部光线不会受到栅极(73A)遮挡，而得以提高其检测的灵敏度。
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公开(公告)号：CN1525799A
公开(公告)日：2004-09-01
申请号：CN200410000978.4
申请日：2004-01-17
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: G09G3/006 , H01L51/56 , H01L2251/568
Abstract: 本发明提供一种电场发光显示装置的激光修复方法，为不会造成针孔所引发的黑点，而能修复短路不良处的技术。其系在异物(100)的周边区域设定照射区域(111)，以照射激光。不会对附着有异物(100)的有机EL元件(60)造成伤害，而能防止针孔产生。而且，若对偏离异物(100)的周边区域照射激光，则其能量将会以照射区域(111)为中心呈同心圆状地传递，并间接地也供应到异物(100)。因此，可在阳极层(61)与阴极层(65)之间形成高电阻区，而得以修复异物(100)所带来的短路不良处。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1512825A
公开(公告)日：2004-07-14
申请号：CN200310113613.8
申请日：2003-11-13
Applicant: 三洋电机株式会社
Inventor： 西川龙司
CPC classification number: H01L27/3246 , H01L27/3244 , H01L51/0002
Abstract: 本发明提供一种主动矩阵型有机电致发光面板，在基板上方形成有机电致发光组件(50)，其位于依每个像素个别图案化的下部个别电极(52)与上部电极(54)之间，且包括至少包含有机发光材料的有机层(60)。该面板形成有用以覆盖所述下部个别电极(52)的周边端部的端部覆盖绝缘层(32a)；以及在该端部覆盖绝缘层更外边侧形成比端部覆盖绝缘层更厚的屏蔽支持绝缘层，用以支撑有机层形成时所用的蒸镀屏蔽。有机层(60)形成到比端部覆盖绝缘层(32a)与下部个别电极(52)的边界更外边侧处，而且终止于屏蔽支持绝缘层(32b)的形成区域的内侧，并依每个像素个别予以图案化。以此，可以防止以屏蔽支持绝缘层支撑蒸镀屏蔽而进行定位时，有机层与蒸镀屏蔽的接触而导致损伤或产生尘埃。
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公开(公告)号：CN1501750A
公开(公告)日：2004-06-02
申请号：CN200310113643.9
申请日：2003-11-14
Applicant: 三洋电机株式会社
Inventor： 西川龙司
IPC: H05B33/10
CPC classification number: H01L27/3276 , H01L27/3288 , H01L51/56
Abstract: 本发明提供一种有机电场发光面板的制造方法，其目的在于使面板的端子得以在确实且高质量地露出，在形成有机EL组件或是形成用以驱动有机EL组件的TFT时所形成的端子上，形成作为激光除去层发挥作用的有机绝缘材料，优选是形成制造有机EL面板时所使用的有机绝缘材料。在形成有机EL组件后形成保护膜使其覆盖面板基板整个平面上，对由保护膜所覆盖的端子上的有机绝缘材料构成的层照射该层可吸收的激光，使该层产生烧蚀，可同时去除由该有机绝缘材料所形成的层和位于其上方的保护膜，使端子得以露出。
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公开(公告)号：CN1472992A
公开(公告)日：2004-02-04
申请号：CN03138050.6
申请日：2003-05-30
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H01L27/3258 , H01L51/524
Abstract: 本发明提供一种有机电致发光(EL)面板，其能有效防止水分侵入到有机EL元件的上部空间。其特征为全面形成覆盖TFT的漏极电极(22)、源极电极(24)而由SiNx等的硅系氮化膜或TEOS膜所形成的水分阻挡层(26)。然后，在周边部对于此水分阻挡层(26)，通过密封材(52)将密封玻璃(50)进行粘合。通过水分阻挡层(26)即得以有效防止水分自外部侵入。
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公开(公告)号：CN1463173A
公开(公告)日：2003-12-24
申请号：CN03123450.X
申请日：2003-05-08
Applicant: 三洋电机株式会社
Inventor： 西川龙司
CPC classification number: H01L51/5281 , H01L27/3272 , H01L51/5259
Abstract: 本发明提供一种电致发光显示装置，使有机EL板的轮廓显明，以提升显示的对比。本发明的电致发光显示装置具备的装置玻璃基板(200)，包含：有机EL元件(120)的像素区域(300)与提供用于驱动有机EL元件(120)的驱动信号的水平驱动电路(301)、垂直驱动电路(302)将该装置玻璃基板(200)与封装玻璃基板(100)以密封树脂(101)予以贴合，且在封装玻璃基板(100)侧设置遮断射入水平驱动电路(301)及垂直驱动电路(302)的光线的遮光层(104)。
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公开(公告)号：CN1450197A
公开(公告)日：2003-10-22
申请号：CN03121219.0
申请日：2003-03-28
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: C23C14/24 , C23C14/042 , C23C14/12 , H01L27/3211 , H01L27/3244 , H01L51/001 , H01L51/0013 , H01L51/56
Abstract: 本发明的目的是在蒸镀工序中，控制由掩膜所导致的对于基板表面的损害。是通过在磁铁(120)与由磁性材料所构成的掩膜(1)之间插入玻璃基板(130)，并使玻璃基板(130)与掩膜(1)密接。由蒸镀源(140)通过掩膜(1)的开口部(2)在玻璃基板(130)的表面进行有机EL元件材料的蒸镀，从而形成有机EL元件的图案。并对与掩膜(1)的玻璃基板(300)表面相对一侧的表面实施粗糙化处理。
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