控制内电压电平的内部电压发生电路和基准电压发生电路

    公开(公告)号:CN100449643C

    公开(公告)日:2009-01-07

    申请号:CN200310118713.X

    申请日:2003-12-02

    CPC classification number: G05F3/242

    Abstract: 提供一种控制内部电压电平的内部电压发生电和基准电压发生电路,其中基准电压发生电路包括配电单元、箝位控制单元以及控制单元;配电单元响应于外部电源电压产生低于外部电源电压的电压电平,通过输出端子输出根据工作模式变化的基准电压;箝位控制单元连接在输出端子和地电压之间,响应于比基准电压电平低的控制电压电平,箝位基准电压电平在恒定电平;控制单元响应于第一和第二工作模式信号增加或减少基准电压的电压电平;控制单元包括第一控制晶体管和第二控制晶体管;基准电压发生电路根据半导体存储器件的工作模式控制基准电压电平,这样,半导体存储器件的工作特性在一些工作模式下将提高,而在另一些工作模式下它的功耗将降低。

    半导体存储装置中产生初始化信号的方法

    公开(公告)号:CN1400654A

    公开(公告)日:2003-03-05

    申请号:CN02131526.4

    申请日:2002-07-18

    CPC classification number: G11C7/20 G11C11/4072

    Abstract: 一种用于产生初始化信号的方法,该初始化信号能够防止由于施加外部电源引起的安装在半导体存储装置中的内部电路的初始不稳定运行。该方法包括步骤:(a)接收用于对半导体存储装置进行预充电的预充电指令;(b)根据所接收的预充电指令激活初始化信号达到第一电平;(c)在收到预充电指令后接收用于刷新半导体存储装置的刷新指令;(d)在收到刷新指令后接收用于设置半导体存储装置的运行模式的模式设置指令;以及(e)根据所接收的模式设置指令去激活初始化信号达到第二电平。

Patent Agency Ranking