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公开(公告)号：CN119306475A
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202411235843.X
申请日：2024-09-04
Applicant: 中山智隆新材料科技有限公司
IPC: C04B35/01 , H10K71/60 , H10K50/10 , H10K50/828 , H10K50/805 , C23C14/34
Abstract: 本发明属于氧化物靶材技术领域，具体公开了一种氧化铟镓钛靶材及其制备方法和应用。本发明的氧化铟镓钛靶材的制备原料按质量份数计包括氧化铟95～99份、氧化镓0.5～2份和二氧化钛0.6～3份。本发明通过在氧化铟基靶材中掺杂合适比例的氧化镓和二氧化钛，可以在保持靶材相对较低的电阻率的前提下，使该靶材制备的氧化物薄膜具备优异的透光性，并且该靶材制备的氧化物薄膜具备较好的机械柔韧性，可以更好地应用于柔性OLEDs。本发明还提供该氧化铟镓钛靶材的制备方法。
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公开(公告)号：CN119285342A
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202411248816.6
申请日：2024-09-06
Applicant: 中山智隆新材料科技有限公司
IPC: C04B35/117 , C04B35/101 , C04B35/622 , C04B35/64 , C23C14/34 , C23C14/35
Abstract: 本发明公开了一种氧化铝靶材及其制备方法和应用；所述氧化铝靶材包括如下原料：氧化铝和纳米氢氧化铝，其中，以氧化铝和纳米氢氧化铝的总质量计算，所述纳米氢氧化铝的质量百分比为0.5％～20％。本发明在不引入杂质的前提下，本发明的氧化铝靶材具有高致密度以及更低的烧结温度。
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公开(公告)号：CN119121156A
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202411132593.7
申请日：2024-08-19
Applicant: 中山智隆新材料科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种ITO靶材的绑定方法，并公开了ITO靶材，ITO靶材的绑定方法包括：步骤一：获取铟块、靶材和背管；步骤二：将纯铟加热到熔融状态，以形成铟液，在铟液中掺杂锌；步骤三:在靶材的内表面涂抹掺杂锌的铟液，且在背管的外表面涂抹掺杂锌的铟液，将靶材套设于背管，以使靶材与背管之间具有间隙，通过绑定工装固定靶材与背管；步骤四：将掺杂锌的铟液浇铸到间隙中，使掺杂锌的铟液充满间隙，以形成绑定层；步骤五：冷却靶材、背管以及绑定层，且拆卸绑定工装；含有锌的铟比纯铟的在液态情况下有更好的流动性，在靶材与背管之间的间隙浇铸掺杂锌的铟液时，掺杂锌的铟液的流动阻力减少，能够提高靶材与背管的绑定贴合率。
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公开(公告)号：CN118207506A
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202410267622.4
申请日：2024-03-08
Applicant: 中山智隆新材料科技有限公司
Abstract: 本申请涉及光电材料领域，具体公开了一种铜铟硒溅射靶材及其制备方法，其制备方法包括以下步骤：S1、制备CuIn粉末：将二水合氯化铜、氯化铟的盐酸溶液混合得到初混液，然后加入草酸溶液混合，搅拌，调节pH值为5‑6，反应陈化，过滤洗涤得到CuIn粉末；S2、准备硒化铟粉末，将In粉和Se粉混合后在真空条件下进行固相反应，得到硒化铟粉末；S3、烧结：将步骤S1中制得的CuIn粉末与步骤S2中制得的硒化铟粉末球磨混合后置于模具中，进行真空烧结，然后随炉冷却脱模，制得铜铟硒靶材；本申请还公开了采用上述方法制得的铜铟硒溅射靶材，其具有提高铜铟硒溅射靶材的电导率性能。
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公开(公告)号：CN118108506A
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202410249602.4
申请日：2024-03-05
Applicant: 中山智隆新材料科技有限公司
IPC: C04B35/515 , C04B35/622 , C04B35/634 , C23C14/34 , C23C14/06 , C23C14/35 , C23C14/30
Abstract: 本申请涉及电池应用靶材领域，具体公开了一种碲化锌靶材及其制备方法与应用；一种碲化锌靶材，包含以下重量份的原料：碲化锌95‑99份、掺杂物0.5‑3份、粘结剂0.5‑2份；掺杂物由改性氧化砷和改性氧化锑组成；改性氧化砷由质量比为1:0.02‑0.04:0.05‑0.1的氧化砷、氨基碳纳米管和聚乙二醇溶液制得；改性氧化锑由质量比为1:0.01‑0.03:0.05‑0.1的氧化锑、羧基改性多孔碳化硼和聚乙二醇溶液制得；其制备方法为：称取碲化锌、掺杂物、粘结剂混匀后，经预压得初混料；初混料经升温、加压保温、降至室温，得到成品；在碲化锌薄膜的应用；靶材具有纯度高、密度较高的优点，薄膜具有高导电性的优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118108497A
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202410221540.6
申请日：2024-02-28
Applicant: 中山智隆新材料科技有限公司
IPC: C04B35/453 , C23C14/35 , C23C14/08 , C04B35/622
Abstract: 本申请涉及靶材技术领域，具体公开了一种氧化物靶材的制备方法以及镨掺杂IGZO氧化物靶材。本申请的方法通过硝酸镨的受热分解使得靶材坯体中产生了氧化镨，得到了氧化镨含量更高的氧化物靶材。随着氧化镨含量的增加，氧化物靶材中的正四价镨的总量也随之上升，而正四价镨能够改善IGZO靶材的载流子迁移率，因而有助于充分满足新产品的性能需求。
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公开(公告)号：CN118003689A
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202410210101.5
申请日：2024-02-26
Applicant: 中山智隆新材料科技有限公司
Abstract: 本申请提供一种冷等静压模具及生产方法，涉及湿式冷等静压模具及工艺的技术领域，该冷等静压模具，包括：机架；加压模，加压模内设有油腔；升降机构；内包套，升降机构与内包套可拆卸连接，内包套能够插设于油腔内；套装机构，套装机构设于机架上；隔离套，套装机构能够与隔离套连接，套装机构用于在内包套从油腔内抽出后，将隔离套套设于内包套外侧。在氧化物陶瓷靶材的压制过程中将原料置于内包套中，并将内包套直接插设于油腔内进行压制，从而避免包套厚度过厚导致的粉体所受静压不均匀的情况；通过隔离套对内包套的外侧壁进行密封包覆隔离，从而可避免在将压制成型的坯件从内包套内取出时油腻粘污双手。
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公开(公告)号：CN117865651A
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202410049060.6
申请日：2024-01-12
Applicant: 中山智隆新材料科技有限公司
IPC: C04B35/01 , C04B35/622 , C04B35/64 , C23C14/35
Abstract: 本申请涉及溅射靶材技术领域，具体公开了一种用于溅射薄膜晶体管的掺杂IZO靶材及其制备方法。一种用于溅射薄膜晶体管的掺杂IZO靶材，包括多元氧化物粉末、粘结剂和增塑剂；所述多元氧化物粉末包括以下重量份的原料：氧化铟86‑89.6份，氧化锌9.5‑12.8份，氧化锆0.5‑1.2份，氧化铊0.1‑0.4份，所述多元氧化物粉末的比表面积为8 m2/g‑20m2/g，松装密度为0.91g/cm3‑1.55g/cm3。本申请的用于溅射薄膜晶体管的掺杂IZO靶材，通过锆、铊元素添加到多元氧化物粉末中，利用氧化铊低熔点形成液相反应，与氧化锆形成低熔共晶物，和氧化铟、氧化锌复配，能够减少靶材气孔率、降低靶材电阻率，进而提高溅射薄膜的电学和光学稳定性。
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公开(公告)号：CN116072326A
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202310075230.3
申请日：2023-02-07
Applicant: 中山智隆新材料科技有限公司
IPC: H01B1/08 , H01B13/00 , H01L31/0224 , H01L31/18
Abstract: 本发明属于光伏电池技术领域，提供了一种氧化铟锡材料及其制备方法和应用，本发明提供的氧化铟锡材料包括特定配比的氧化铟、氧化锡、氧化铪和X的氧化物，X为Ti、Zr、Ce、Ga中的一种或几种，本发明金属氧化物组分中氧化锡的质量含量≤1％，而且掺杂了Hf及X元素，氧化铟锡材料的密度7.0‑7.08g/m3，提高了密度，可以将氧化铟锡材料进一步用于沉积TCO薄膜，增加了对长波段光的透过率(在400‑1200nm之间的透光率达到90.0‑90.5％)，并在(1.43‑1.52)×1020cm‑3低浓度载流子掺杂下，获得80.5‑82.5cm2/V.S的较高的迁移率，可以很好地应用在光伏异质结电池领域。
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公开(公告)号：CN113512651A
公开(公告)日：2021-10-19
申请号：CN202110645113.7
申请日：2021-06-09
Applicant: 中山智隆新材料科技有限公司
Abstract: 本发明属于靶材回收技术领域，公开了一种从IGZO靶材中分别回收铟和镓的方法。该方法包括以下步骤：(1)取IGZO靶材粉碎，加入酸，溶解IGZO靶材中的氧化铟和氧化锌，过滤，灼烧，得到氧化镓；(2)向步骤(1)中滤液中加入弱碱，控制pH值，过滤，灼烧，得到氧化铟。该方法充分利用IGZO靶材中铟、镓和锌的性质，仅通过一次酸溶解和弱碱处理，就能分别回收得到高纯度的铟和镓。其处理过程简单，对设备要求低，回收的铟和镓中Zn含量小于6ppm，总杂质含量小于30ppm。且该方法能够充分利用IGZO靶材的生产设备，且回收的氧化铟和氧化镓粉末可直接作为IGZO靶材的原料。
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