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    一种鳍型结构的功率MOSFET及其制备方法
    51.
    发明授权
    一种鳍型结构的功率MOSFET及其制备方法 有权

    公开(公告)号：CN111312821B

    公开(公告)日：2022-07-05

    申请号：CN202010109407.3

    申请日：2020-02-22

    Applicant: 上海朕芯微电子科技有限公司

    Inventor： 黄平 ,  鲍利华 ,  顾海颖

    IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10

    Abstract: 本发明公开了一种鳍型结构的功率MOSFET，包括衬底、成型在衬底正面上的外延层、若干间隔且平行成型在所述外延层上的鳍型硅墙、成型在所述相邻鳍型硅墙之间的掺杂多晶硅层、成型在掺杂多晶硅层正面上且位于相邻鳍型硅墙之间的BPSG层以及覆盖在鳍型硅墙顶部和BPSG层顶部的金属布线层；鳍型硅墙包含成型在所述衬底正面上的外延硅片层、成型在所述外延硅片层上的P‑Well层和成型在所述P‑Well层正面的N+区域或/和P+区域；所述N+区域或/和P+区域用金属布线层连接。本发明还公开了该鳍型结构的功率MOSFET的制备方法。本发明极大缩小之前传统功率MOSFET多晶硅Trench之间的距离。

    一种半导体器件及其制备方法
    54.
    发明公开
    一种半导体器件及其制备方法 无效

    公开(公告)号：CN113394165A

    公开(公告)日：2021-09-14

    申请号：CN202110559298.X

    申请日：2021-05-21

    Applicant: 上海朕芯微电子科技有限公司

    Inventor： 黄平 ,  鲍利华 ,  顾海颖

    IPC: H01L21/768

    Abstract: 本发明公开了一种半导体器件及其制备方法，其中该种半导体器件包括：晶圆层；多个电极压焊点，设置于晶圆层的上表面；介质层，设置于晶圆层的上表面，介质层包含多个垂直方向上贯穿的第一接触孔，每个第一接触孔对应一个电极压焊点；树脂层，设置于介质层的上表面，树脂层包含多个垂直方向上贯穿的第二接触孔，每个第二接触孔对应一个电极压焊点；和厚铜层，填充于第二接触孔中并与第二接触孔对应的电极压焊点接触。通过本申请提出的技术方案，无需电镀工艺及光刻蚀工艺即可实现厚铜结构半导体器件的制备，避免了复杂化学药品在制程中的介入，大幅简化了厚铜结构半导体器件的制备流程，具有可推广价值。

    新型功率器件及其划片方法、芯片级封装方法和封装结构
    55.
    发明公开
    新型功率器件及其划片方法、芯片级封装方法和封装结构 无效

    公开(公告)号：CN113161293A

    公开(公告)日：2021-07-23

    申请号：CN202011628712.X

    申请日：2020-12-30

    Applicant: 上海朕芯微电子科技有限公司

    Inventor： 黄平 ,  鲍利华 ,  顾海颖

    IPC: H01L21/78 ,  H01L21/304 ,  H01L23/31 ,  H01L21/56

    Abstract: 本发明提供一种新型功率器件及其划片方法、芯片级封装方法和封装结构。对晶圆正面的划片道进行第一次划片形成划片槽；在划片槽内填充树脂层，对晶圆背面进行研磨减薄，使划片槽以及填充于划片槽的树脂层在晶圆背面显露出来，对减薄后的晶圆背面进行腐蚀，使树脂层的背面高于晶圆背面，使晶圆背面和树脂层的背面形成台阶；在晶圆背面进行背面金属化形成背面金属化层，并使树脂层的背面处形成金属突起；将金属突起作为对位标记，在晶圆背面突起进行第二次划片或者刻蚀，去除突起及部分邻近的金属，露出背面的树脂；对准树脂进行第三次划片，将各个管芯进行分离。避免因金属化层在划片过程中出现拉丝现象而导致的短路想象，减低背面划片困难，金属沟槽作为对位标记有利于从晶圆背面进行划片。

    一种功率器件的CSP封装方法
    56.
    发明授权
    一种功率器件的CSP封装方法 有权

    公开(公告)号：CN109473362B

    公开(公告)日：2020-04-21

    申请号：CN201811267602.8

    申请日：2018-10-29

    Applicant: 上海朕芯微电子科技有限公司

    Inventor： 黄平

    IPC: H01L21/56 ,  H01L23/373

    Abstract: 本发明公开的一种功率器件的CSP封装方法，其包括如下步骤：步骤1：完成晶圆前道制程步骤；步骤2：晶圆正面RDL制程，包括钝化和铜覆盖层制程步骤；步骤3：晶圆正面塑封步骤；步骤4：晶圆正面研磨步骤；步骤5：晶圆背面减薄及金属化步骤；步骤6：晶圆背面蚀刻步骤；步骤7：晶圆背面第一次介质沉积及蚀刻步骤；步骤8：晶圆背面金属溅射及蚀刻步骤；步骤9：晶圆背面第二次介质沉积及蚀刻步骤；步骤10：晶圆背面植球步骤；步骤11：切片步骤。本发明对晶圆正面的塑封层进行研磨，将铜覆盖层表面露出，有利于散热。本发明对晶圆的正面进行塑封，除了可以保护之外，还可以起到支撑的作用。

    新型晶圆减薄背面金属化工艺
    57.
    发明授权
    新型晶圆减薄背面金属化工艺 有权

    公开(公告)号：CN107369611B

    公开(公告)日：2020-03-17

    申请号：CN201710569223.3

    申请日：2017-07-11

    Applicant: 上海朕芯微电子科技有限公司

    Inventor： 黄平 ,  鲍利华

    IPC: H01L21/02 ,  H01L21/78

    Abstract: 本发明公开一种新型晶圆减薄背面金属化工艺，包括在晶圆正面进行涂胶，然后进行深槽刻蚀，以形成划片道；在划片道中添加塑封料，使塑封料填满划片道；塑封料固化后在其表面贴膜；通过减薄工艺对晶圆背面进行减薄处理；对背面晶圆及塑封料进行刻蚀；在晶圆背面进行金属化处理，使晶圆背面和塑封料表面涂覆金属；最后通过物理或化学方法将塑封料从晶圆中剥离。本发明通过首先在晶圆表面进行深槽刻蚀形成划片道的方法，解决了传统工艺中通过砂轮进行划片导致划片道宽度较宽，晶圆使用面积低的技术问题。该种方法不仅可以减小划片道的宽度，提高晶圆使用率，而且不会受管芯形状控制，适用范围广。

    一种超结MOSFET结构及其制备方法
    59.
    发明公开
    一种超结MOSFET结构及其制备方法 审中-实审

    公开(公告)号：CN110429140A

    公开(公告)日：2019-11-08

    申请号：CN201910721871.5

    申请日：2019-08-06

    Applicant: 上海朕芯微电子科技有限公司

    Inventor： 黄平 ,  鲍利华 ,  顾海颖

    IPC: H01L29/786 ,  H01L29/08 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

    Abstract: 本发明公开的超结MOSFET结构，包括N+衬底层、N-外延层，其中N-外延层位于N+衬底层的上表面上，在N-外延层上设置有源极、栅极，其特征在于，在所述源极的P区开设置有倒梯形槽，在所述P区的倒梯形槽内注入有离子，所述离子对所述倒梯形槽进行注入掺杂形成一倒梯形P型区域。本发明还公开了该超结MOSFET结构的制备方法。本发明与现有技术相比，具有如下优点：(1)P区开倒梯形槽，即槽的上部尺寸大于槽小部的尺寸；这样便于离子注入对侧壁进行注入掺杂，以便形成P型区域。(2)P区开槽的深度可以达到衬底，槽深也可以调整在外延层。(3)P区用离子注入一次形成，注入剂量能完全控制。

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