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公开(公告)号：CN103023318B
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201210434696.X
申请日：2012-11-02
Applicant: 长安大学
Abstract: 本发明公开了一种用于高压芯片内部的低压电源产生电路，包括输入端VIN、输出端VREG3、第一电源电压VREF2、第二电源电压VSS、高低电平产生支路、两条电平转换支路和功率输出支路；高低电平产生支路包括第一电阻R3、第二电阻R4、第三电阻R5、电压比较器CMP1、延迟单元DEL和第一5V低压NMOS晶体管M2；两条电平转换支路包括第四电阻R6、第五电阻R7、第一40V高压NMOS晶体管M3、第二5V低压NMOS晶体管M4、第一理想电流源IREF1、第一电容C4和第二电容C5；功率输出支路包括第一40V高压PMOSM5、第二40V高压NMOS M6和第三电容C6。本发明的电路只需几百pF稳压电容，具有响应速度快、输出电容需求小、稳定性好等显著的优点，特别适于高压芯片电路的设计。
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公开(公告)号：CN102014565B
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：CN201010612928.7
申请日：2010-12-30
Applicant: 长安大学
IPC: H05B37/02
CPC classification number: Y02B20/48
Abstract: 本发明公开了一种大功率白光LED的智能控制器及控制方法，涉及照明电子技术领域。智能控制器包括检测单元和控制单元，检测单元与控制单元连接，控制单元与大功率白光LED的驱动电路相连。控制方法如下：智能控制器初始化；环境光传感器、温度传感器采集环境温度、照度信息并发送给控制单元；控制单元实时接收外部环境的温度、照度信息，将接收到的信息根据设定的模糊控制程序进行处理，并依处理结果控制大功率白光LED的工作状态。本发明实现了大功率白光LED随外部环境变化智能调节其亮度，适应不同环境的需要，减少大功率白光LED的能量损耗，控制其工作温度，提高大功率白光LED照明设备的工作稳定性和灵活性，延长其使用寿命。
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公开(公告)号：CN102904565A
公开(公告)日：2013-01-30
申请号：CN201210380992.6
申请日：2012-10-09
Applicant: 长安大学
IPC: H03K19/0185 , H02M3/155
Abstract: 本发明公开了一种用于DC-DC驱动的超低静态电流的电平移位电路，该电路主要解决电平移位过程中的静态损耗问题。该电平移位电路包括第一电源VCC，开关节点电压VX，第二电源VBOOT，逻辑输入端IN，逻辑输出端OUT，4个反相器INV1、INV2、INV3和INV4，12个晶体管M1-M12；晶体管M1、M2、M9、M10和M11均为5V的低压NMOS，晶体管M7、M8和M12均为5V的低压PMOS，晶体管M3、M4均为30V的高压NMOS，晶体管M5、M6均为30V的高压PMOS；由于采用具有自关断能力的30V高压PMOS，极大的减小了电路中的静态电流，使电路具有超低静态损耗功能。本发明电路简单，节省芯片面积，适用于具有开关型DC-DC转换器驱动等结构的电源芯片。
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公开(公告)号：CN102664197A
公开(公告)日：2012-09-12
申请号：CN201210181028.0
申请日：2012-06-05
Applicant: 长安大学
IPC: H01L29/808 , H01L29/10 , H01L29/423 , H01L21/337 , H02M7/537
Abstract: 本发明公开了一种JFET及其制造方法以及使用该JFET的微型逆变器，其JFET包括漏极欧姆接触电极、衬底、SiC漂移层、N型SiC沟道层和N型SiC欧姆接触层以及两个栅极肖特基接触电极；其制造方法包括步骤：一、提供衬底,二、形成SiC外延层，三、形成N型SiC沟道层和SiC漂移层；四、形成N型SiC欧姆接触层,五、形成漏极和源极欧姆接触电极,六、形成两个栅极肖特基接触电极；其微型逆变器包括电容C1、C2和C3，电感L1，JFET1、JFET2和JFET3，以及碳化硅肖特基二极管D1、D2、D3和D4。本发明实现方便且成本低，提高了微型逆变器的工作频率和工作可靠性，降低了电能损耗和电价，实用性强。
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公开(公告)号：CN119582609A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202411432066.8
申请日：2024-10-14
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 长安大学
Abstract: 本发明涉及电子电路技术领域，公开一种固定导通时间模式下的降压型开关变换器组与变换器芯片。所述变换器组包括：N个并联的降压型开关变换器，该变换器包括：主电路；触发器，输出端与主电路的上、下功率管的栅极相连；第一、第二移相电路，其时钟输入端分别与触发器的S、R端相连，移相电路的相移角度被调节为360°/N，第一个变换器还包括：脉冲调制控制电路，第一、第二输入端分别与主电路的输出端、反馈点相连，输出端与S端相连；及计时电路，输入、输出端分别与触发器的输出端、R端相连，用于控制上功率管的固定导通时间。本发明以多相位进行多相操作，能够提供工程应用所需要的足够的负载电流，且电感电流纹波得以抵消，输出电压纹波更小。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109000744B
公开(公告)日：2020-05-01
申请号：CN201810628288.5
申请日：2018-06-19
Applicant: 长安大学
IPC: G01F1/69
Abstract: 本发明公开了一种基于忆阻器的气体累积流量测量系统，包括气体流速换能器、忆阻器模块、忆阻器电压取值放大模块和换能器阻值稳定模块；气体流速换能器依次与忆阻器模块、换能器阻值稳定模块组成回路，忆阻器电压取值放大模块与忆阻器模块相连接；忆阻器模块包括正向忆阻器组和负向忆阻器组，正向忆阻器组和负向忆阻器组串联连接，正向忆阻器组Mf包括n个忆阻器Mf1，n个忆阻器Mf1串联连接，负向忆阻器组Mr包括n个忆阻器Mr1，n个忆阻器Mr1串联连接，n为大于等于1的自然数。本发明不需要后期的运算电路或者处理器，实现了对气体累积流量的测量，适用于大气体累积流量、气体不稳定情况下长时间的持续测量，功耗低，测量范围大，结构简单。
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公开(公告)号：CN110298435A
公开(公告)日：2019-10-01
申请号：CN201910460414.5
申请日：2019-05-30
Applicant: 长安大学
Abstract: 本发明公开了一种忆阻器型全域值BP神经网络电路，包括隐含层权值阵列模块、隐含层累加器阵列模块、对数S型传递函数模块、输出层权值阵列模块、输出层累加器阵列模块和线性传递函数模块；其中，隐含层权值阵列模块和输出层权值阵列模块为核心模块，不仅实现输入信号与权值相乘的功能，而且实现了全范围的权值调节；外界信号依次通过隐含层权值阵列模块、隐含层累加器阵列模块、对数S型传递函数模块、输出层权值阵列模块、输出层累加器阵列模块和线性传递函数模块，最终得到BP神经网络的输出。本发明实现了完整的BP神经网络硬件模型，解决了传统BP神经网络电路不能有效储存权值以及全范围的调节权值的问题。
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公开(公告)号：CN107678247A
公开(公告)日：2018-02-09
申请号：CN201710743725.3
申请日：2017-08-25
Applicant: 长安大学
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明公开了一种硅基集成曝光量测量器件，包括半导体衬底，半导体衬底上从下至上依次设置有绝缘层、导电金属层、金属氧化物结构、导电金属结构、光敏材料层、保护层；金属氧化物结构包括对称设置在导电金属层上的第一金属氧化物块和第二金属氧化物块；导电金属结构包括设置在第一金属氧化物块上的第一导电金属块和设置在第二金属氧化物块上的第二导电金属块；保护层上设置有第一金属电极、第二金属电极和第三金属电极，所述第一金属电极、第二金属电极和第三金属电极均贯穿保护层，其中第二金属电极与光敏材料相接触，第一金属电极和第三金属电极均与绝缘层相接触。本发明可集成且作为独立器件使用，具有应用范围广和使用方便的优点。
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公开(公告)号：CN104014921B
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：CN201410172037.2
申请日：2014-04-25
Applicant: 长安大学
Abstract: 本发明公开了一种快速制备铜钼多层复合材料的方法，包括以下步骤：一、将铜片和钼片的表面进行打磨处理以除去氧化膜，然后用丙酮清洗打磨后的铜片和钼片，冷风吹干备用；二、将铜片和钼片交替叠合铺层，得到多层结构板，然后将多层结构板放入组合模具中；三、将装有多层结构板的组合模具放入等离子活化烧结炉中，烧结后脱模得到铜钼多层复合材料。本发明通过引入高密度电流直接对由铜片和钼片交替叠合铺层得到的多层结构板进行通电加热烧结,在温度和压力的联合作用下实现铜钼界面的快速扩散连接，本发明制备工艺生产的铜钼多层复合材料具有良好的热导率和热膨胀系数，铜钼界面结合强度高，产品一致性好，且可冲压成型。
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公开(公告)号：CN103178803B
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201310044829.7
申请日：2013-02-05
Applicant: 长安大学
IPC: H03H9/02
Abstract: 本发明公开了一种正偶数多边形Rayleigh波产生器件，包括在同一压电基片材料上制作的n个叉指换能器，n为大于等于4的偶数；所述的n个叉指换能器按照正n边形设置在所述压电基片材料上，各相邻的叉指换能器之间有间距且间距相等。其通过在同一压电基片材料上制作一组按照正偶数多边形设置的Rayleigh波叉指换能器，实现多角度Rayleigh波的激发，进而满足具有对Rayleigh波激发角度、强度等特性具有不同需求的功能性器件的需求。
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