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公开(公告)号：CN103227227A
公开(公告)日：2013-07-31
申请号：CN201310142371.9
申请日：2013-04-23
Applicant: 重庆大学
IPC: H01L31/058 , H01L31/18 , H01L27/20 , H01L21/77
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种基于碳纳米管和放电回路的光供能采集器，由悬臂梁结构和放电回路构成。悬臂梁结构包括：基底支撑、下电极、压电层、上电极、吸光层，采用碳纳米管作为吸光层，压电材料构成压电层，金属材料构成上下电极。放电回路包括：接触电极，负载，连接导线，接触电极连接负载一端，负载另一端连接上电极，构成放电回路，并输出电压。本发明利用碳纳米管的光热和光电效应，同时利用放电回路，保持了采集器的持续交流信号输出。
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公开(公告)号：CN101609130B
公开(公告)日：2012-04-18
申请号：CN200910104327.2
申请日：2009-07-14
Applicant: 重庆大学
IPC: G01R33/06
Abstract: 一种采用连杆的磁致伸缩材料和石英音叉复合磁传感器，它由石英音叉、底座、“L”型支架、磁致伸缩材料杆、弹性连杆组成；石英音叉固定在底座上，底座与“L”型支架的横向臂固定连接；磁致伸缩材料杆固定在“L”型支架的竖向臂上并与需要连接的石英音叉振动臂同侧，且磁致伸缩材料杆与“L”型支架所在平面空间垂直；磁致伸缩材料杆与石英音叉的其中一振动臂通过弹性连杆连接。本发明的有益技术效果是：提供了一种磁电转化系数更高，灵敏度也相对更高的复合结构磁传感器。
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公开(公告)号：CN101594074B
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：CN200910104213.8
申请日：2009-06-30
Applicant: 重庆大学
IPC: H01L41/113 , H02N2/18
Abstract: 本发明公开了一种采用多聚能器的磁致伸缩和压电材料复合阵列磁电换能器，它由固定杆、多个变幅谐振结构组成，各个变幅谐振结构的谐振频率均不相同；各个变幅谐振结构的重心都固定在固定杆上，且变幅谐振结构固定方向相同，各个变幅谐振结构的纵向重心线在同一直线上；各个器件间绝缘。本发明的有益技术效果是：提供了一种可展宽输出频带宽度、提高输出幅度、减少能量转换损耗的磁电换能器。
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公开(公告)号：CN101594076B
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN200910104216.1
申请日：2009-06-30
Applicant: 重庆大学
IPC: H02N2/18
Abstract: 本发明公开了一种基于双音叉变幅谐振结构磁电换能器，它由固定杆、两个振动能量相互耦合的聚能器组成；单个聚能器的平面外型为中心对称图形；聚能器的重心位置固定在固定杆上，且聚能器的两个振动臂分列于固定杆两侧；两个聚能器同侧的两个振动臂构成音叉的臂，两个聚能器沿固定杆两侧的四个振动臂形成双音叉谐振结构。本发明的有益技术效果是：在音叉谐振作用下，由于振动能量共振，品质因数大幅提高，增强振动幅度、应力和应变，实现更高效的磁电转换效率。同时，由于采用聚能器结构，汇聚振动能量，可以进一步改善磁电转化效率。
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公开(公告)号：CN101604927B
公开(公告)日：2011-04-20
申请号：CN200910104326.8
申请日：2009-07-14
Applicant: 重庆大学
IPC: H02N2/00
Abstract: 本发明公开了一种具有展宽频带功能的复合磁电阵列换能器，它由基板、反射栅、正向MUDT、反向MUDT、PUDT组成；正向MUDT和反向MUDT均为多个且正向MUDT数量大于反向MUDT数量；反射栅、正向MUDT、PUDT按“反射栅-正向MUDT阵列-PUDT-反射栅”的顺序从左至右横向排列在基板上；在正向MUDT之间和/或正向MUDT与PUDT之间的位置间插设置有反向MUDT；从左至右顺次相邻的正向MUDT和反向MUDT形成MRUDT单元；各个器件间绝缘。本发明的有益技术效果是：提高单位体积换能器的换能效率，并通过叠加提高换能器输出，形成宽频带输出。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101609131A
公开(公告)日：2009-12-23
申请号：CN200910104329.1
申请日：2009-07-14
Applicant: 重庆大学
IPC: G01R33/06
Abstract: 本发明公开了一种磁致伸缩材料、高磁导率材料和石英音叉复合磁传感器，它的结构为：石英音叉固定在微动台上，微动台固定在PZT压电微位移器上，PZT压电微位移器固定在“L”型基座的竖直臂内侧；支架固定在磁致伸缩材料块上，磁致伸缩材料块固定在“L”型基座的横向臂上；支架上设置有磁性材料片，石英音叉的其中一振动臂上靠近支架那侧的平面上设置有磁性材料片，支架上的磁性材料片和振动臂上的磁性材料片平面平行且正面相对、尺寸匹配。本发明的有益技术效果是：提供了一种磁电转化系数更高，灵敏度也相对更高的复合结构磁传感器。
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公开(公告)号：CN101604927A
公开(公告)日：2009-12-16
申请号：CN200910104326.8
申请日：2009-07-14
Applicant: 重庆大学
IPC: H02N2/00
Abstract: 本发明公开了一种具有展宽频带功能的复合磁电阵列换能器，它由基板、反射栅、正向MUDT、反向MUDT、PUDT组成；正向MUDT和反向MUDT均为多个且正向MUDT数量大于反向MUDT数量；反射栅、正向MUDT、PUDT按“反射栅-正向MUDT阵列-PUDT-反射栅”的顺序从左至右横向排列在基板上；在正向MUDT之间和/或正向MUDT与PUDT之间的位置间插设置有反向MUDT；从左至右顺次相邻的正向MUDT和反向MUDT形成MRUDT单元；各个器件间绝缘。本发明的有益技术效果是：提高单位体积换能器的换能效率，并通过叠加提高换能器输出，形成宽频带输出。
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公开(公告)号：CN101592288A
公开(公告)日：2009-12-02
申请号：CN200910103919.2
申请日：2009-05-22
Applicant: 重庆大学
Abstract: 本发明公开了一种管道泄漏辨识方法，针对两个邻近传感器的观测信号，将其分别作为自适应滤波器的输入信号和参考信号，提取滤波器收敛时的权向量，该权向量是两观测信号相关函数的最优估计；滤波器收敛时的权向量存在峰值则判断管道可能泄漏，否则判断管道无泄漏；判断结果为管道可能泄漏时，计算该权向量包络峰值一个邻域以外部分的权向量复杂度值，将权向量复杂度值输入决策算法，最终确定管道是否为真实泄漏。本发明的有益技术效果是：既提高了信号的信噪比，又突出了两个信号中共有的关于泄漏信号自身的关联特性，采用决策算法对自适应滤波权向量的复杂度定量分析，排除噪声干扰，识别出信号源是否为真正发生泄漏的信号源。
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公开(公告)号：CN101561475A
公开(公告)日：2009-10-21
申请号：CN200910103968.6
申请日：2009-05-27
Applicant: 重庆大学
IPC: G01R31/265 , G01M11/02
Abstract: 本发明公开了一种LED发光特性的非接触检测方法：在恒温条件下，以短时脉冲光照射LED待测件的PN结区域，通过检测PN结的自发光光谱来实现对LED待测件发光特性的检测；本发明还公开了基于前述方法的LED发光特性的非接触检测装置；本发明的有益技术效果是：可以在不接触待测器件的情况下对LED外延片、晶片或者单个LED芯片的发光特性进行检测，避免对LED待测件的接触损坏，把LED产品的检测和筛选由“成品”环节推进到“芯片”乃至外延片环节，降低了LED的成本。
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