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公开(公告)号：CN102331593A
公开(公告)日：2012-01-25
申请号：CN201110190019.3
申请日：2011-07-07
Applicant: 西北工业大学
Abstract: 本发明公开了一种高占空比自支撑纳米透射光栅及其制造方法，属于微机电系统(MEMS)领域。该光栅包括纳米透射光栅支撑结构1、纳米透射光栅栅线固定结构2、纳米透射光栅栅线3，以及金吸收体4。其制作方法包括纳米光栅掩模版制作以及纳米透射光栅制作两部分，首先基于普通光刻机在一次套刻的工艺条件下，对微米级线条进行部分曝光，刻蚀金属，将微米级线条变为纳米级线条，实现纳米级结构尺寸的图形转换，再经过一次套刻工艺，实现高占空比纳米光栅掩模版的制作；最后以此为模板借助高密度等离子体刻蚀实现高深宽比纳米透射光栅的制作。本发明提出的自支撑纳米透射光栅具有深宽比高、占空比大的优点，克服了现有方法工艺过程比较复杂，成本比较高的缺点。
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公开(公告)号：CN1794555A
公开(公告)日：2006-06-28
申请号：CN200610041616.9
申请日：2006-01-09
Applicant: 西北工业大学
IPC: H02N1/00
Abstract: 本发明公开了一种微型纵向驱动器，其结构特点是：上极板由位于四角的弹性梁支撑，上极板的运动由分别位于上极板和基底的两个上下梳齿间的静电斥力驱动，同上下梳齿极性相反的固定梳齿通过固定锚点与上梳齿交错位于与上极板一致的同一平面上，这样位于上极板上的可动梳齿上下表面的静电力之差较大即净斥力较大，在较小的驱动电压下能获得较大的驱动行程。本发明提出的微型纵向驱动器结构简单，设计方法新颖，可采用标准的MUMPs表面工艺加工，有效增大了施加于可动梳齿电极上下表面的静电力之差即净斥力，促进了微型静电驱动器在MEMS领域的应用和发展。
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公开(公告)号：CN118654712B
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN202411147211.8
申请日：2024-08-21
Applicant: 西北工业大学
Abstract: 本发明公开了一种高温光纤F‑P腔MEMS传感器封装装置及其热应力隔离封装方法，属于光纤传感器封装技术领域。针对目前使用粘合剂封装固定传感器引起的热膨胀系数失配和热应力问题，本发明中的封装装置包括封装外壳，封装外壳内套设有封装内壳，封装内壳内活动贯穿设有用于夹持传感器的左夹具、右夹具、前夹具和后夹具，封装外壳与封装内壳之间设有用于同时调节左夹具、右夹具、前夹具和后夹具位置的夹具调节机构。本发明中的封装装置通过机械连接对传感器进行夹持固定，使传感器未与夹具接触的部分在高温环境下能够自由膨胀不受阻碍，隔绝了传感器与封装材料之间的热膨胀系数差异引起的热应力，提高了传感器的稳定性和可靠性。
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公开(公告)号：CN118654777A
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN202411147037.7
申请日：2024-08-21
Applicant: 西北工业大学
IPC: G01K11/3206 , G01K1/20 , G01D3/028 , G06F17/10
Abstract: 本发明公开了基于EFPI‑FBG耦合光谱的互相关系数补偿方法、系统和设备，属于光纤传感器解调技术领域。针对传统互相关相位解调EFPI‑FBG耦合光谱带来的级次跳动问题、FBG影响FP腔长的步长跳动问题，以及相位偏移和矫正问题，本发明利用耦合光谱与传统互相关模板函数做互相关运算，确定互相关补偿系数，结合互相关补偿系数对FP腔长值进行补偿，从而提高了互相关运算对EFPI‑FBG耦合光谱计算的准确性。本发明中的互相关系数补偿方法具有高精度、全波段可测温以及无需去耦FBG光谱等优点，有望推动光纤传感技术在工业生产、能源开发、环境监测等领域的应用。
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公开(公告)号：CN118654712A
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN202411147211.8
申请日：2024-08-21
Applicant: 西北工业大学
Abstract: 本发明公开了一种高温光纤F‑P腔MEMS传感器封装装置及其热应力隔离封装方法，属于光纤传感器封装技术领域。针对目前使用粘合剂封装固定传感器引起的热膨胀系数失配和热应力问题，本发明中的封装装置包括封装外壳，封装外壳内套设有封装内壳，封装内壳内活动贯穿设有用于夹持传感器的左夹具、右夹具、前夹具和后夹具，封装外壳与封装内壳之间设有用于同时调节左夹具、右夹具、前夹具和后夹具位置的夹具调节机构。本发明中的封装装置通过机械连接对传感器进行夹持固定，使传感器未与夹具接触的部分在高温环境下能够自由膨胀不受阻碍，隔绝了传感器与封装材料之间的热膨胀系数差异引起的热应力，提高了传感器的稳定性和可靠性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118654711A
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN202411135563.1
申请日：2024-08-19
Applicant: 西北工业大学
IPC: G01D5/353 , G01K11/3206 , G01H9/00 , G01L1/24 , G01L11/02
Abstract: 本发明公开了一种蓝宝石基多参量复合光纤传感器及其制备方法和解调方法，属于光纤传感器技术领域。针对传统的光纤传感器无法保证其高温鲁棒性的前提下实现对单一测点的多参量复合测量问题，本发明中提出的复合光纤传感器主要包括由三层蓝宝石材料键合形成的蓝宝石多参量复合敏感芯片以及相应封装结构，芯片上层为蓝宝石空腔结构，与芯片中层键合形成双F‑P腔，实现压力敏感，芯片中层为设有上下凸台与外部圆环的蓝宝石实心结构，用于实现温度敏感及芯片固定，芯片下层为内含方形空腔的蓝宝石三悬臂梁结构，用于实现三轴振动敏感；本发明能够通过光谱的波分复用实现单光源与单芯片条件下同一测点的温度、压力及三轴振动参量的复合传感。
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公开(公告)号：CN117743736B
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202410181936.2
申请日：2024-02-19
Applicant: 西北工业大学
Abstract: 本发明公开了一种光纤F‑P传感器解调方法、设备、系统和存储介质，属于光纤传感器解调技术领域。先采集光纤F‑P传感器反射光谱数据，将采集到的光谱做光谱矫正去除叠加的高斯包络，然后将处理后的信号进行希尔伯特变换，根据初始腔长生成等长度的相对信号，对处理后的信号和相对信号进行基于希尔伯特变换的寻腔算法得到实际绝对腔长值，其中希尔伯特变换运用复化辛普森数值积分提高精度。本发明中的解调方法能够解决互相关相位解调带来的级次跳动问题、窄带光源无法进行精准的腔长解调问题，以及相位偏移和矫正问题。
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公开(公告)号：CN117743736A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202410181936.2
申请日：2024-02-19
Applicant: 西北工业大学
Abstract: 本发明公开了一种光纤F‑P传感器解调方法、设备、系统和存储介质，属于光纤传感器解调技术领域。先采集光纤F‑P传感器反射光谱数据，将采集到的光谱做光谱矫正去除叠加的高斯包络，然后将处理后的信号进行希尔伯特变换，根据初始腔长生成等长度的相对信号，对处理后的信号和相对信号进行基于希尔伯特变换的寻腔算法得到实际绝对腔长值，其中希尔伯特变换运用复化辛普森数值积分提高精度。本发明中的解调方法能够解决互相关相位解调带来的级次跳动问题、窄带光源无法进行精准的腔长解调问题，以及相位偏移和矫正问题。
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公开(公告)号：CN116632507B
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN202310902946.6
申请日：2023-07-21
Applicant: 西北工业大学
Abstract: 本发明涉及一种MEMS磁电耦合天线及其低温封装方法。本发明提供的MEMS磁电耦合天线，包括第一玻璃片和第二玻璃片，所述第二玻璃片和第一玻璃片之间键合有高阻硅片，所述第一玻璃片的上表面具有空腔，所述高阻硅片上贯通设置有通道，所述通道的下端设置有MEMS谐振结构，所述MEMS谐振结构悬空于所述的空腔内。本发明的MEMS磁电耦合天线及其低温封装方法，其自上而下采用玻‑硅‑玻进行键合，键合温度低，解决了磁性材料容易受封装温度影响的问题。
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公开(公告)号：CN116182919B
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202310440018.2
申请日：2023-04-23
Applicant: 西北工业大学
Abstract: 本发明公开了一种基于光纤F‑P腔的三轴高温振动传感器及其制备方法，属于微机电系统技术领域。基于光纤F‑P腔的三轴高温振动传感器具体包括顶层硅和基底硅，所述顶层硅和基底硅之间设有三轴振动敏感结构，将三个固支梁‑质量块系统集成在一个外壳体上，构成三轴振动敏感结构，每个固支梁‑质量块系统都呈中心对称，三轴振动敏感结构的前侧和左侧分别对应设有x轴测量光纤和y轴测量光纤，基底硅上设有z轴测量光纤，用于传递被测振动；每个质量块与外壳体的侧壁之间围成测量振动F‑P腔；该传感器能够同时测量三个轴向的振动信号，顶层硅、基底硅和外壳体采用三层硅片高温直接键合，使得该传感器能够在800°C环境温度下工作。
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