一种基于剥离法制备晶粒尺寸可控钙钛矿发光器件的方法

    公开(公告)号:CN117897026A

    公开(公告)日:2024-04-16

    申请号:CN202311812628.7

    申请日:2023-12-26

    Applicant: 苏州大学

    Abstract: 本发明涉及一种基于剥离法制备晶粒尺寸可控钙钛矿发光器件的方法,其中包括阳极、空穴注入层、钙钛矿发光层、电子传输层、电子注入层和阴极组成,发光层由晶粒尺寸可调的3D多晶钙钛矿薄膜。本发明采用对钙钛矿具有微溶特性有机溶剂对钙钛矿薄膜进行剥离,通过自上而下剥离法获得波长可调的蓝色钙钛矿发光二极管。本发明多次溶解剥离,引发量子限制效应有利于获得带隙增加的3D钙钛矿薄膜。本发明提出的自上而下的剥离法提供了在传统3D钙钛矿薄膜中实现光谱调整的有效手段。

    基于双吡啶并吩嗪受体的热激活延迟荧光材料及其制备方法与应用

    公开(公告)号:CN114644632B

    公开(公告)日:2023-06-16

    申请号:CN202210195894.9

    申请日:2022-03-01

    Applicant: 苏州大学

    Abstract: 本发明涉及一种基于双吡啶并吩嗪受体的热激活延迟荧光材料及其制备方法,为11‑(9,9‑二甲基吖啶‑10(9H)‑基)联吡啶[3,2‑a:2',3'‑c]吩嗪(DPPZ‑DMAC)和11,12‑双(9,9‑二甲基吖啶‑10(9H)‑基)联吡啶[3,2‑a:2',3'‑c]吩嗪(DPPZ‑2DMAC)。本发明所提供的化合物具有刚性大平面扭曲结构和极小的单线态‑三线态能隙值的特点,具有典型的热激活延迟荧光性质(TADF)、高荧光量子产率(PLQY)和良好的热稳定性等优点。且其合成制备步骤少,原料易得,合成及纯化工艺简单,产率高,可大规模合成制备。

    基于绿色热激活延迟荧光材料的掺杂电子器件及其制备方法

    公开(公告)号:CN112289942B

    公开(公告)日:2022-11-29

    申请号:CN202011194206.4

    申请日:2020-10-30

    Applicant: 苏州大学

    Abstract: 本发明涉及一种基于绿色热激活延迟荧光材料的掺杂电子器件及其制备方法,由阳极、空穴注入层、空穴传输层、电子/激子阻挡层、发光层、电子传输层、电子注入层、阴极组成,发光层由绿色热激活延迟荧光材料掺杂主体材料制备;绿色热激活延迟荧光材料为3,5‑二(9H‑咔唑‑9‑基)‑2,4,6‑三(3,6‑二叔丁基‑9H‑咔唑‑9‑基)苯腈。本发明热激活延迟荧光材料的高浓度掺杂发光层制备的OLED,实现其EQE超过20%,并且低效率滚降的目标。

    一种橙红色或者红色高亮度有机电致发光器件

    公开(公告)号:CN115050914A

    公开(公告)日:2022-09-13

    申请号:CN202210542002.8

    申请日:2022-05-17

    Applicant: 苏州大学

    Abstract: 本发明提供一种橙红色或者红色高亮度有机电致发光器件,由阳极、空穴注入层、空穴传输层、空穴阻挡层、发光层、电子阻挡层、电子传输层、电子注入层、阴极组成,发光层由客体材料掺杂主体材料制备,所用客体材料兼具大扭转角与高水平偶极取向,基于其制备的OLED,具有高的反向系间窜越速率以及高的荧光量子产率,可用于制备高外部量子效率、低效率滚降的有机电致发光装置。

    一种双吡啶吩嗪热激活延迟荧光材料掺杂的白光电致发光器件

    公开(公告)号:CN114605412A

    公开(公告)日:2022-06-10

    申请号:CN202210192683.X

    申请日:2022-03-01

    Applicant: 苏州大学

    Abstract: 本发明涉及一种双吡啶吩嗪热激活延迟荧光材料掺杂的白光电致发光器件,在阳极上依次真空蒸镀空穴注入层、空穴传输层、阻挡层、发光层、电子传输层、电子注入层、阴极,得到所述器件,发光层由双吡啶吩嗪热激活延迟荧光材料掺杂蓝光热激活延迟荧光材料制备,引入延迟荧光敏化机制,成功制备了一系列采用两个发光材料的WOLED,并通过调节EML中DPPZ‑DMAC的比例实现了从冷白到正白到暖白的转变,最终实现了基于DPPZ‑DMAC的EQEmax为22.7%的WOLED。这也证明了基于双吡啶并[3,2‑a2',3'‑c]吩嗪受体的发射材料为制备热激活延迟荧光发光层的单层白光电致发光器件展示了无限潜力。

    基于修饰空穴传输层的蓝光钙钛矿发光二极管及其制备方法

    公开(公告)号:CN113594383A

    公开(公告)日:2021-11-02

    申请号:CN202110827291.1

    申请日:2021-07-21

    Applicant: 苏州大学

    Abstract: 本发明涉及一种基于修饰空穴传输层的蓝光钙钛矿发光二极管及其制备方法,器件包括阳极基板、修饰空穴传输层、钙钛矿发光层、电子传输层以及阴极。本发明创造性的引入丙醇胺分子添加剂,可以有效调控蓝光钙钛矿发光层的结晶生长,使之形成高均匀度、高结晶性和低缺陷密度的高质量发光薄膜,薄膜光致发光特性和光谱稳定性都得到增强,所制备的蓝光钙钛矿发光二极管的亮度、外量子效率和工作寿命明显提升。本发明中的修饰方法成本低廉,操作简单,效果显著,适用于旋涂、刮涂、印刷以及喷墨打印等多种现行的制备工艺。

    手性热激活延迟荧光材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN112079843B

    公开(公告)日:2021-08-27

    申请号:CN202010937461.7

    申请日:2020-09-08

    Applicant: 苏州大学

    Abstract: 本发明涉及一种手性热激活延迟荧光材料及其制备方法,为R/S‑18,21‑二(10H‑吩恶嗪‑10‑基)‑3,4,5,6,7,8,9,10‑八氢二苯并[a,c]二萘并[2',1':5,6;1'',2'':7,8][1,4]二恶英[2,3‑i]吩嗪或者R/S‑16,17‑双(4‑(10H‑吩恶嗪‑10‑基)苯基)‑3,4,5,6,7,8,9,10‑八氢二萘并[2',1':5,6;1'',2'':7,8][1,4]二恶烷[2,3‑g]喹喔啉。本发明所提供的化合物具有刚性大平面扭曲结构和显著的内电荷转移(ICT)效应的特点,具有典型的热激活延迟荧光性质(TADF)、圆偏振(CPL)性质、高荧光量子产率(PLQY)和热稳定性好等优点。且其合成制备步骤少,原料易得,合成及纯化工艺简单,产率高,可大规模合成制备。

    一种基于全溴配比的蓝光钙钛矿发光二极管及其制备方法

    公开(公告)号:CN111883679A

    公开(公告)日:2020-11-03

    申请号:CN202010634604.7

    申请日:2020-07-04

    Applicant: 苏州大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于全溴配比的蓝光钙钛矿发光二极管及其制备方法,包括从下而上依次设置的阳极衬底、空穴传输层、活性发光层、电子传输层、阴极修饰层和阴极电极,其特征在于:空穴传输层由聚(3,4-乙烯二氧噻吩)-聚苯乙烯磺酸钠与空穴传输层修饰材料构成,空穴传输层修饰材料为咪唑;活性发光层的材质为钙钛矿,由钙钛矿前驱体制备,钙钛矿前驱体由基液A、基液B和调节剂构成,由下至上依次制备各层。本发明实现了光致与电致的出光峰连续可调,制备工艺简单高效。

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