公开(公告)号：CN108178618A

公开(公告)日：2018-06-19

申请号：CN201810069369.6

申请日：2018-01-24

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 周晓华 ,  虞思敏 ,  薛兰馨

IPC: C04B35/10 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明提供一种99氧化铝陶瓷及其制备方法，包括下列步骤：将α-Al2O3，La2O3，MgO，B2O3进行称重配料得到混合物；将混合物加入尼龙球磨罐中，以去离子水为溶剂，以行星球磨混合，取出后烘干，过筛得到粉体；将粉体加入PVA溶液作为粘结剂造粒，将粒料放入成型模具并施加压力制得生坯；将生胚放入烧结炉中排胶，再在大气气氛中烧结，制成99氧化铝陶瓷；本发明显著降低了99氧化铝陶瓷的烧结温度，同时显著的提高了99氧化铝陶瓷的抗弯强度和品质因数，本发明的99氧化铝陶瓷材料具有较低相对介电常数，高品质因数，较高抗弯强度，较低烧结温度1510℃。

公开(公告)号：CN103467084B

公开(公告)日：2016-02-03

申请号：CN201310398172.4

申请日：2013-09-04

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 李恩竹 ,  芈月安 ,  徐宁 ,  周晓华 ,  张树人

IPC: C04B35/462 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种高介电常数锂铌钛系低温烧结微波介质陶瓷材料及其制备方法。该材料由富锂锂铌钛系材料及占主晶相重量百分比为1～10%的锂硼硅玻璃降烧剂组成，通过固相反应，即可得到本发明材料。富锂锂铌钛系材料的组成为Li1.0+xNb0.6Ti0.5O3-yLBS，其中：LBS为锂硼硅玻璃降烧剂，0≤x≤0.2(摩尔比)，0≤y≤0.1（重量比）。LBS的制造原料含有：碳酸锂（Li2CO3）、二氧化硅（SiO2）和三氧化二硼（B2O3）。本发明制备的低温烧结LTCC微波介质陶瓷在850～900℃烧结良好，高等介电常数（εr为65～70），品质因数Qf适中，谐振频率温度系数小，可用于低温共烧陶瓷系统（LTCC）、多层介质谐振器、微波天线、滤波器等微波器件的制造，在工业上有着极大的应用价值。

公开(公告)号：CN103420670B

公开(公告)日：2015-02-18

申请号：CN201310346515.2

申请日：2013-08-09

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 唐斌 ,  李恩竹 ,  余盛全 ,  周晓华 ,  钟朝位 ,  张树人

IPC: C04B35/468 ,  C04B35/622

Abstract: 一种低温烧结微波陶瓷材料及其制备方法，属于材料技术领域。包括BaO-ZnO-TiO2主料、第一添加剂BaCu(B2O5)、第二添加剂复合氧化物和第三添加剂MnO2。首先以BaCO3、ZnO和TiO2为原料合成BaO-ZnO-TiO2主料，然后以BaCO3、CuO和B2O3为原料合成第一添加剂，再以BaCO3、ZnO、TiO2、SiO2和B2O3为原料合成第二添加剂，再将第一、二、三添加剂添加到主料中，经球磨、干燥、过筛、造粒、成型和排胶处理后在空气中于850～940℃下烧成。本发明提供的低温烧结微波陶瓷材料，经检测具有高的Q值，近零且系列化的频率温度系数，适中的介电常数和良好的工艺稳定性。

公开(公告)号：CN103435946A

公开(公告)日：2013-12-11

申请号：CN201310378774.3

申请日：2013-08-27

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 袁颖 ,  吴开拓 ,  周晓华 ,  张树人

IPC: C08L27/18 ,  C08K3/22 ,  C08K5/54 ,  C04B35/462 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种聚四氟乙烯复合微波陶瓷基板的制备方法，属于材料技术领域。本发明采用（1-x）ZrTi2O6-xZnNb2O6的Zr-Ti基陶瓷作为填料，与聚四氟乙烯通过偶联剂复合，其中Zr-Ti基陶瓷具有高介电常数、低介电损耗、低热膨胀系数，介电常数温度系数可调；所制备的聚四氟乙烯基复合微波介质基板材料具有高介电常数（6.40～7.80）、低损耗（1.40×10-3～2.20×10-3，10GHz）、介电常数温度系数绝对值较低（τεr=–100±10ppm/℃）的特点，主要用于制作需要高介电常数的微波电路基板；同时其制备工艺简单、成本较低。

公开(公告)号：CN103319166A

公开(公告)日：2013-09-25

申请号：CN201310201931.3

申请日：2013-05-28

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 唐斌 ,  李皓 ,  孙成礼 ,  周晓华 ,  钟朝位 ,  张树人

IPC: C04B35/465 ,  C04B35/622 ,  H01L41/187

Abstract: 一种微波陶瓷介质材料及其制备方法，属于电子信息功能材料技术领域。包含主晶相结构和改性添加剂；所述主晶相结构为(1-x)MgTiO3-xMg2SiO4-yCaTiO3，其中0≤x≤0.8，0.05≤y≤0.07；所述改性添加剂包括MnCO3、Co2O3、CeO2和Nb2O5，所述改性添加剂质量分数占整个微波介质陶瓷总质量的0.5%～3%。本发明采用传统固相烧结方法，具有简单、易控、环保和成本低廉的特点；所得材料具有较高Qf值65000～85000GHz之间，相对介电常数εr在10-22之间，谐振频率温度系数在±10ppm/℃以内。

公开(公告)号：CN102167514B

公开(公告)日：2013-07-17

申请号：CN201110022675.2

申请日：2011-01-20

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 周晓华 ,  李恩竹 ,  李波 ,  袁颖

IPC: C03C10/00 ,  C03C6/04

Abstract: 基板用微晶玻璃陶瓷材料及其制备方法，属于陶瓷材料领域。本发明由高温熔融钙硼硅玻璃和改性添加剂组成，所述改性添加剂包括B2O3、La2O3、SiO2和ZnO，以质量百分比计，材料的配方为：[100-(a+b+c+d)]G+a B2O3+b La2O3+c SiO2++d ZnO，其中：0.1≤a≤3.5，0.1≤b≤5，0≤c≤10，0≤d≤1.5；G表示高温熔融钙硼硅玻璃。高温熔融钙硼硅玻璃的组分包括：CaO：35～50mol％，B2O3：10～30mol％，SiO2：15～50mol％，ZrO2：0～2mol％，TiO2：0～2mol％。本发明能很好的提高陶瓷材料的抗弯强度(＞170MPa)，并保持陶瓷材料的优良的介电性能。

公开(公告)号：CN102503405B

公开(公告)日：2013-05-08

申请号：CN201110371992.5

申请日：2011-11-22

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 唐斌 ,  余盛全 ,  周晓华 ,  钟朝位 ,  张树人

IPC: C04B35/462 ,  C04B35/622

Abstract: 一种复合BZT微波陶瓷介质材料及其制备方法，属电子信息功能材料与器件领域。材料包含摩尔比为BaTi4O9∶BaZn2Ti4O11＝(1-x)∶x(x∈[0.05，0.75])的两种晶相结构，同时添加0.0～2.0％的MnO2、0.0～1.5％的Nd2O3和0.0～3.0％的CuO。本发明将分别具有正、负频率温度系数的BaTi4O9陶瓷和BaZn2Ti4O11陶瓷相复合，并添加MnO2、Nd2O3和的CuO，获得了介电常数适中、品质因数较高、频率温度系数在零附近连续可调且能中温烧结的复合BZT微波陶瓷介质材料，适于制作谐振器、滤波器、基板以及天线等微波通信元器件。制备时采用传统固相法，一次合成BaTi4O9+BaZn2Ti4O11复相结构，具有工艺优化、节能、环保的特点。

公开(公告)号：CN102775144A

公开(公告)日：2012-11-14

申请号：CN201210248673.X

申请日：2012-07-18

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 唐斌 ,  张晓 ,  杨成韬 ,  周晓华 ,  钟朝位 ,  张树人

IPC: C04B35/495 ,  C04B35/622

Abstract: 一种微波陶瓷介质材料及其制备方法，属于电子材料技术领域。材料包含晶相结构和掺杂剂；主晶相为BCZN(BaCo1/3Nb2/3O3-BaZn1/3Nb2/3O3)，副晶相Ba5Nb4O9伴随B′位和B″位原子非化学计量比和原料掺杂产生。主晶相原料为BaCO3、Co2O3、ZnO、Nb2O5；掺杂剂为相当于晶相结构质量的0.1~1.50%的Al2O3和Ta2O5；或者同时包含相当于0.0%~0.5%的CeO2或Y2O3。本发明采用传统固相烧结方法，具有简单、易控、环保和成本低廉的特点；所得材料具有较高Q×f值（~76500GHz），中等介电常数（35±1）和接近于零的频率温度系数（0±10），适用于制作微波器件介质材料，能够满足微波器件制作要求。

公开(公告)号：CN101033132B

公开(公告)日：2010-10-13

申请号：CN200710048476.2

申请日：2007-02-13

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 周晓华 ,  唐彬 ,  袁颖 ,  张树人 ,  钟朝位

IPC: C04B35/468 ,  C04B35/462 ,  C04B35/50 ,  C03C10/04 ,  C03C10/14 ,  H01B3/12

Abstract: 中温烧结高温稳定型陶瓷电容器介质材料，涉及电子材料技术，特别涉及电容器材料技术。本发明由钛酸钡主料、第一添加剂、第二添加剂和第三添加剂组成，其中：第一添加剂为微晶玻璃，第二添加剂包括无铅压电材料钛酸铋钠或硼硅酸盐，第三添加剂包括：稀土氧化物、ZnO和Nb2O5，所述稀土氧化物包括Ce或Nd的氧化物。本发明的有益效果是，实现了基料与掺杂剂的分别批量化生产，从而使生产过程简化，设备简单且容易控制。制成微晶玻璃添加剂颗粒尺寸达到纳米级，符合MLCC大容量、高可靠性和小型化的趋势。

公开(公告)号：CN101033132A

公开(公告)日：2007-09-12

申请号：CN200710048476.2

申请日：2007-02-13

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 周晓华 ,  唐彬 ,  袁颖 ,  张树人 ,  钟朝位

IPC: C04B35/468 ,  C04B35/462 ,  C04B35/50 ,  C03C10/04 ,  C03C10/14 ,  H01B3/12

Abstract: 中温烧结高温稳定型陶瓷电容器介质材料，涉及电子材料技术，特别涉及电容器材料技术。本发明由钛酸钡主料、第一添加剂、第二添加剂和第三添加剂组成，其中：第一添加剂为微晶玻璃，第二添加剂包括无铅压电材料钛酸铋钠或硼硅酸盐，第三添加剂包括：稀土氧化物、ZnO和Nb2O5，所述稀土氧化物包括Ce或Nd的氧化物。本发明的有益效果是，实现了基料与掺杂剂的分别批量化生产，从而使生产过程简化，设备简单且容易控制。制成微晶玻璃添加剂颗粒尺寸达到纳米级，符合MLCC大容量、高可靠性和小型化的趋势。