保护膜形成用复合片及半导体芯片的制造方法

    公开(公告)号:CN111107994B

    公开(公告)日:2022-03-11

    申请号:CN201880060878.0

    申请日:2018-10-25

    Abstract: 本发明为一种保护膜形成用复合片,其含有支撑片与设置在该支撑片上的能量射线固化性的保护膜形成用膜,所述保护膜形成用复合片中,该保护膜形成用膜含有能量射线固化性成分(a0)及非能量射线固化性聚合物(b),该支撑片的与该保护膜形成用膜接触的层含有树脂成分(X),该能量射线固化性成分(a0)与该非能量射线固化性聚合物(b)的HSP距离R23A为6.5以下,该能量射线固化性成分(a0)与该树脂成分(X)的HSP距离R13A为2.2以上。

    保护膜形成用复合片
    44.
    发明授权

    公开(公告)号:CN107615454B

    公开(公告)日:2020-12-18

    申请号:CN201680032214.4

    申请日:2016-06-03

    Abstract: 本发明提供一种保护膜形成用复合片,其具有:基材、具有活性能量线固化性的粘合剂层、及具有热固性的保护膜形成用膜,其中,该保护膜形成用复合片用于通过下述方式制造带保护膜的半导体芯片:将该保护膜形成用复合片通过该保护膜形成用膜而粘贴于半导体晶片的背面之后,使该保护膜形成用膜固化成为保护膜,接着,在对该半导体晶片进行切割而得到半导体芯片之后,使该粘合剂层固化,然后将该半导体芯片连同该保护膜一起进行拾取,由此制造带保护膜的半导体芯片,该粘合剂层至少在与所述保护膜形成用膜接触的层中含有(甲基)丙烯酸烷基酯共聚物,该共聚物具有由构成烷基酯的烷基的碳原子数为8以上的(甲基)丙烯酸烷基酯衍生的结构单元。

    保护膜形成用复合片及半导体芯片的制造方法

    公开(公告)号:CN111093987A

    公开(公告)日:2020-05-01

    申请号:CN201880060022.3

    申请日:2018-10-25

    Abstract: 本发明为一种保护膜形成用复合片,其含有支撑片与设置在该支撑片上的能量射线固化性的保护膜形成用膜,所述保护膜形成用复合片中,该保护膜形成用膜含有能量射线固化性成分(a0)及非能量射线固化性聚合物(b),该支撑片的与该保护膜形成用膜接触的层含有树脂成分(X),该非能量射线固化性聚合物(b)与该树脂成分(X)的HSP距离R12为6.7以上,规定HSP空间,并在该HSP空间内制作该非能量射线固化性聚合物(b)的汉森溶解球时,该能量射线固化性成分(a0)的HSP包含在该非能量射线固化性聚合物(b)的汉森溶解球的区域内。

    保护膜形成用复合片
    48.
    发明公开

    公开(公告)号:CN106489189A

    公开(公告)日:2017-03-08

    申请号:CN201580032859.3

    申请日:2015-09-03

    Abstract: 本发明涉及一种保护膜形成用复合片,其具有粘合片、和叠层于粘合片的所述粘合剂层侧的保护膜形成膜,所述粘合片是粘合剂层叠层于基材的一面侧而形成的,其中,在对所述基材施加0.1g/mm的载荷并在130℃下加热2小时再冷却至23℃的情况下,所述基材在加热后相对于加热前在MD方向及CD方向的伸缩率均为95~103%,所述基材在23℃下的MD方向及CD方向的拉伸弹性模量均为100~700MPa。

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