公开(公告)号：CN218884874U

公开(公告)日：2023-04-18

申请号：CN202222430128.4

申请日：2022-09-14

Applicant: 清华大学 ,  华海清科股份有限公司

Inventor： 王成鑫 ,  王同庆 ,  田芳馨 ,  路新春

IPC: G01B7/06

Abstract: 本实用新型公开了一种电涡流传感器、膜厚测量装置和化学机械抛光设备，其中，电涡流传感器包括依次叠放的检测线圈、激励线圈和补偿线圈，所述激励线圈位于检测线圈和补偿线圈之间，所述检测线圈的安装位置靠近抛光盘上表面，所述检测线圈、激励线圈和补偿线圈的水平截面均为矩形，并且，激励线圈的水平截面面积小于检测线圈的水平截面面积，检测线圈与补偿线圈的水平截面面积相同。

公开(公告)号：CN213932356U

公开(公告)日：2021-08-10

申请号：CN202023302597.5

申请日：2020-12-30

Applicant: 清华大学 ,  华海清科股份有限公司

Inventor： 王成鑫 ,  王同庆 ,  路新春 ,  田芳馨

IPC: G01B7/06

Abstract: 本实用新型公开了一种用于CMP的金属膜厚测量装置，包括：电涡流传感器，其包括磁芯和线圈，线圈沿磁芯的周向缠绕在磁芯的外周壁上；磁芯为长方体，磁芯的长度为其宽度的2‑10倍，磁芯的宽度为2‑4mm，磁芯的高度为1‑3mm；前置信号处理模块，与电涡流传感器连接，用于对电涡流传感器输入固定频率的正弦激励信号，并通过电涡流传感器采集与金属膜厚相关的电压信号；数据采集处理模块，与前置信号处理模块连接，用于接收前置信号处理模块输出的电压信号将其转换为数字信号，并根据预存的厚度标定表将数字信号转换为对应的膜厚值；通讯模块，用于实现数据采集处理模块与上位机之间的通讯。

公开(公告)号：CN206223084U

公开(公告)日：2017-06-06

申请号：CN201621099178.7

申请日：2016-09-30

Applicant: 天津华海清科机电科技有限公司 ,  清华大学

Inventor： 李弘恺 ,  田芳馨 ,  路新春 ,  雒建斌 ,  沈攀 ,  王同庆 ,  李昆

IPC: G01B7/06

Abstract: 本实用新型提出一种用于晶圆铜层厚度多点测量的标定系统，包括：电涡流传感器；数据采集装置，采集电涡流传感器输出的采样信号；数据库模块，用于存储计算铜层厚度所需的多点标定表；上层控制系统，用于存储标定数据库，并接收数据采集装置传输的采样信号，并对采样信号进行数据处理后，根据选定的多点标定表计算晶圆表面铜层多点的厚度测量值，并对在计算完成后，上层控制系统根据测量点序，进行测量值与测量点坐标的一一匹配，并将匹配结果按照预设格式进行保存。本实用新型可以很好地消除测量过程中提离高度波动所造成的测量误差，从而保证测量准确度，同时具有简单可靠的优点。