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公开(公告)号：CN103422058A
公开(公告)日：2013-12-04
申请号：CN201310275972.7
申请日：2013-07-01
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种掺硼富硅氧化硅薄膜及其制备方法和应用，采用共溅射制备掺硼富硅氧化硅薄膜，并通过之后的高温热处理在氧化硅薄膜内生成掺硼的硅纳米晶。由于掺硼硅纳米晶的形成，薄膜的导电性增强；由于硼还处于氧化硅基体中及硅纳米晶和氧化硅基体界面处，引入了发光中心，增强了薄膜的光致发光，并使其可以宽光谱白光发光。发明制备工艺简单，工业兼容性好，在硅基集成光源或半导体发光，太阳能电池，非线性光学等领域具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN101767207B
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN200910157001.6
申请日：2009-12-31
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种甲醛还原法制备二氧化硅/银花状核壳结构颗粒的方法，采用的是甲醛还原快速生长的成核-再长大两步生长工艺，包括以下步骤：1)制备表面吸附纳米银颗粒的亚微米二氧化硅球；2)将步骤1)中得到的二氧化硅球分散在水中，在氨水的催化作用下，用甲醛还原硝酸银，然后加入聚乙烯基吡咯烷酮的水溶液搅拌反应；3)将反应液离心清洗后分散到水中得到二氧化硅/银花状核壳结构颗粒的胶体溶液。本发明方法过程简单可控，产物单分散性好，且颗粒中银具有面心立方与密排六方共存的独特晶体结构，花状银核壳颗粒具有较大的比表面积和粗糙度，颗粒中存在大量的热点区域。
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公开(公告)号：CN102157636A
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN201110030656.4
申请日：2011-01-27
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明公开了一种增强硅基薄膜电致发光的方法，包括如下步骤：在P型硅片正面上沉积一层银薄膜，然后进行热退火，在P型硅片正面上形成银岛膜；在银岛膜上沉积富硅氮化硅薄膜，然后在富硅氮化硅薄膜上沉积一层氧化硅薄膜；在氧化硅薄膜表面沉积一层ITO薄膜作为正面出光电极，在P型硅片背面沉积一层Al作为背面电极，制得硅基薄膜发光器件。本发明方法制备的硅基薄膜器件的电致发光强度显著强于普通硅薄膜器件的电致发光强度；器件能工作在更高的输入功率下，不易被击穿。
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公开(公告)号：CN101792268A
公开(公告)日：2010-08-04
申请号：CN200910157003.5
申请日：2009-12-31
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开一种油-水界面自组装法制备金属/SiO2复合颗粒薄膜的方法，包括以下步骤：1)制备金属/SiO2胶体，将金属/SiO2胶体离心分散至去离子水中得到胶体水溶液；2)在胶体水溶液中加入正己烷，形成正己烷-水两相混合溶液；向正己烷-水两相混合溶液中缓慢滴加乙醇，复合颗粒在正己烷-水界面富集形成薄膜；滴加完毕后静置至正己烷挥发完；3)将形成的薄膜转移到衬底上。本发明方法所用药品廉价易得，过程简单可控，制得的薄膜具有与单分散金属颗粒溶液相似的特征光学吸收特性，可用于生物探测、表面增强拉曼散射、表面等离子增强发光等方面。
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公开(公告)号：CN101767769A
公开(公告)日：2010-07-07
申请号：CN200910157002.0
申请日：2009-12-31
Applicant: 浙江大学
IPC: B82B3/00
Abstract: 本发明公开了一种PVP辅助制备二氧化硅/银核壳结构颗粒的方法，采用的是聚乙烯基吡咯烷酮辅助的成核-再长大两步生长工艺，包括以下步骤：1)制备表面吸附纳米银颗粒颗粒的亚微米二氧化硅球；2)在PVP的水溶液中，将步骤1)中得到的二氧化硅球分散，在氨水的催化作用下，用甲醛还原硝酸银；3)将步骤2)的反应液离心清洗后分散到乙醇或水中得到二氧化硅/银核壳结构颗粒的胶体溶液。本发明方法所用药品廉价易得，过程简单可控，产物单分散性好，尺寸均一，通过调节银层厚度，可以得到光学消光峰位不同的核壳颗粒，可用于光子晶体、生物探测、表面增强拉曼散射、表面等离子增强发光等方面。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101060155A
公开(公告)日：2007-10-24
申请号：CN200710068640.6
申请日：2007-05-15
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明公开的Si/SnO2异质结电致发光器件，在硅片的抛光面自下而上依次沉积有SnO2薄膜层和掺锡氧化铟导电薄膜层，硅片的另一面沉积有金属薄膜层。制备步骤如下：利用电子束蒸发在p型硅片的抛光面上沉积金属锡薄膜；在氧气气氛下进行氧化处理，使金属锡薄膜转变成SnO2薄膜；采用磁控溅射或电子束蒸发的方法在硅片的另一面沉积金属薄膜层；以氩气和氧气为溅射反应气体，在SnO2薄膜表面沉积掺锡氧化铟导电薄膜。本发明在硅基体上以二氧化锡薄膜为发光薄膜，具有更高的化学和机械稳定性，强的缺陷发光，本发明制备方法简单可控，成本低廉，掺锡氧化铟电极中含有SnO2相，可以和SnO2薄膜形成良好的电接触。本发明器件可以作为硅基发光器件。
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公开(公告)号：CN1099027C
公开(公告)日：2003-01-15
申请号：CN00107135.1
申请日：2000-04-21
Applicant: 浙江大学
IPC: G01N3/42
Abstract: 本发明公开的硅材料机械强度的测量方法是以测量硅材料的位错滑移长度来确定其机械强度的，依次包括如下步骤：首先将从硅材料上割取的试样硅片进行抛光，除去表面损伤层；然后用硬度计压头在硅片表面制造压痕，压痕四周引入位错；再在保护气中对硅片进行热处理，使位错发生滑移；接着冷却硅片，用化学腐蚀液腐蚀，显示位错的滑移；最后测量位错滑移长度。应用该方法简便易行，便于从微观角度确定杂质对硅材料机械强度的影响。
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公开(公告)号：CN116334557B
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202310329308.X
申请日：2023-03-30
Applicant: 浙江大学
IPC: C23C14/35 , C23C14/08 , C23C14/58 , H10H20/822
Abstract: 本发明公开了一种氟铒共掺氧化锡薄膜及其制备方法和在近红外电致发光领域中的应用。制备方法包括：在真空下，通入氩气和氧气混合气，利用射频磁控溅射方法对掺氟氧化锡靶和氧化铒靶进行共溅射沉积薄膜；掺氟氧化锡靶中氟化亚锡的质量百分占比不大于20％；在氧气或氮气气氛下，将共溅射沉积得到的薄膜升温至200℃以上进行高温热处理，冷却得到氟铒共掺氧化锡薄膜。本发明薄膜用于制作电致发光器件后，在施加反向偏压的情况下，基于空间电荷区中发生的电子碰撞离化效应，可以实现较强的电致发光。
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公开(公告)号：CN118039726A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202410046814.2
申请日：2024-01-12
IPC: H01L31/108 , H01L31/0232 , H01L31/18 , H01L31/0236 , B82Y40/00 , G01J5/10
Abstract: 本发明公开了一种光电探测器及其制备方法和在传感领域中的应用。光电探测器包括：柔性衬底；位于柔性衬底上的六方硅纳米线结构，包含至少2根连接界面为肖特基结的六方硅纳米线；电极，包括正电极和负电极，与六方硅纳米线结构形成欧姆接触或肖特基结。制备方法：将六方硅纳米线结构转移到带预应力的柔性衬底上，柔性衬底释放应力使六方硅纳米线结构形成褶皱，然后在褶皱的六方硅纳米线结构上制作电极。本发明无需使用离子注入等复杂工艺就可以在室温、低偏压下对紫外至近红外波段的光子实现光电响应和有效探测，且对光子的偏振和入射角度不敏感。
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公开(公告)号：CN116979003A
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202210429786.3
申请日：2022-04-22
Abstract: 本申请公开了一种光电器件，包括第一材料层、第二材料层和第三材料层，这三个材料层为NPN或PNP结构，其中，第二材料层和第三材料层之间形成的第一pn结的电压为反向偏置电压。在光电器件工作时，第一材料层中的第一载流子注入到第二材料层；第二材料层中的第二载流子在第一pn结的反向偏置电压的作用下注入到第三材料层；第三材料层中第三载流子与第三材料层中的稀土元素进行能量交换，以使第三材料层发出光子，其中，NPN结构时，各材料层中的载流子为电子，PNP结构时，各材料层中的载流子为空穴。本申请提供的光电器件可以通过第一材料层提供的大量载流子可以实现在第一pn结的较低开启电压下提高光电器件的发光效率。
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