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公开(公告)号：CN119133275A
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202411271024.0
申请日：2024-09-11
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L31/0232 , H01L31/101 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种四角入射的锗硅光电探测器，包括：硅平板波导；设置在硅平板波导上的硅脊波导；与硅脊波导连接的条波导；设置在硅脊波导上的锗层；设置在锗层上的掺杂锗层；设置在硅平板波导上的一对接触电极；设置在掺杂锗层上的锗上电极，锗上电极和接触电极收集锗层产生的光生载流子。条波导有四个波导区，四个波导区分别与硅脊波导的四个顶角相连接；光信号被四等分，从四路条波导输入并沿着传输方向传播的同时逐渐均匀地耦合到锗中。锗层吸收光信号后产生电流，完成光电信号的转换。本发明通过改变光的入射结构提高了锗层吸收光的均匀性，从而增强了光电探测器的饱和功率。
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公开(公告)号：CN118605020A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410751720.5
申请日：2024-06-12
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种结合超表面的双层结构垂直耦合器件及其设计方法，包括：设计超表面的结构；计算超表面中硅纳米块自由空间输入光源下的共振相位响应分布及透过率分布；利用粒子群算法设计均匀光栅，得到光栅的初始结构和耦合角度；设计偏折超表面，根据耦合角度选择单元个数，根据相位梯度、透射响应谱、相位响应谱选择超表面的几何尺寸；将超表面和集成在光栅的包层结构上，完成该垂直耦合器件的设计。本发明能够解决垂直耦合光栅的二阶布拉格反射问题，并为传统的耦合器件设计提供一系列新的自由度，通过结合偏折超表面和光栅耦合能够实现高效率的垂直耦合。
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公开(公告)号：CN118432726A
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202410681243.X
申请日：2024-05-29
Applicant: 浙江大学
IPC: H04B10/516 , H04B10/54 , H04B10/548
Abstract: 本发明公开了一种双驱动马赫曾德尔调制器的调制方法，包括：将光信号输入到双驱动马赫曾德尔调制器，双驱动马赫曾德尔调制器包括第一相移器和第二相移器；将电信号输入到电功分器中，电功分器输出第一电信号和第二电信号；第一电信号输入到第一相移器中，将第一电信号加载到第一相移器中的光信号上，输出第一相移器的调制光信号；第二电信号输入到第二相移器中，加载到第二相移器中的光信号上，输出第二相移器的调制光信号；将第一相移器的调制光信号和第二相移器的调制光信号合并后输出总调制光信号。本发明旨在通过创新的双驱动马赫曾德尔调制器设计提高电光调制器的调制速率。
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公开(公告)号：CN118276372A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202410498379.7
申请日：2024-04-24
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种用于提高电光调制器带宽的光学均衡装置及方法，包括依次连接的主调制区、额外调制区、电光延时区和反向调制区；所述的主调制区包括：用于传输电学信号的电极以及设置在所述电极之间并用于实现电光调制的两条调制光波导；进行延伸形成所述额外调制区；进行第一转弯延伸形成所述电光延时区的电极，第二转弯延伸形成所述电光延时区的两条传输光波导，第一转弯的距离和第二转弯的距离不等；延伸形成所述反向调制区的电极，延伸形成所述反向调制区的两条调制光波导。本发明旨在解决传统电光调制器因其物理结构和电光材料特性所限制的带宽问题，从而促进光通信网络的更高效和快速传输能力。
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公开(公告)号：CN116699956A
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202310615420.X
申请日：2023-05-29
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种片上和自由空间复用的全息超表面的设计方法，包括：设计超表面的结构；计算超表面中硅纳米块在片上输入光源和自由空间输入光源下的共振相位响应分布及透过率分布；设计不同全息图案，输入到GS算法中，得到全息图像对应的超表面的相位分布，生成3个超表面的相位分布；根据共振相位响应分布及透过率分布以及步骤3)得到的超表面的相位分布来确定超表面上所有硅纳米块的几何尺寸和相对位置，确定片上和自由空间复用的全息超表面的结构，完成设计。本发明能够解决片上超表面应用受限问题，并提供一种新的超表面全息显示复用思路，通过结合迂回相位和共振相位原理能够实现在同一波长下的三通道全息复用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113890620B
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202010620808.5
申请日：2020-07-01
Applicant: 浙江大学 , 中国电子科技集团公司信息科学研究院
IPC: H04B10/516 , G06N3/067
Abstract: 本发明公开了一种基于可调谐滤波器的硅基片上光子神经网络及其调制方法、装置，其中，硅基片上光子神经网络包括：MZI网络结构、光电探测器、光源和可调谐滤波器；MZI网络的输入端为光波输入端，输出端连接光电探测器的输入端，用于对输入光波进行线性运算；光电探测器的输出端连接可调谐滤波器的电极输入端，用于将MZI网络线性运算后输出的光信号转换为电信号，为可调谐滤波器提供调制信号；光源设置在可调谐滤波器的光信号输入端，用于为可调谐滤波器提供光信号；可调谐滤波器用于根据电信号和光源提供的光信号进行调制，输出端输出光波。该光子神经网络功耗低、延时低、能效比高、精度高。
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公开(公告)号：CN115146444A
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202210619009.5
申请日：2022-05-30
Abstract: 本发明公开了一种工艺误差的补偿方法及装置、电子设备和存储介质，涉及半导体技术领域。基于预设仿真模型确定待处理器件包层折射率的目标改变量，所述待处理器件为存在工艺误差的器件，根据所述包层折射率的目标改变量确定飞秒激光二次加工所采用的目标参量，根据所述目标参量对所述飞秒激光进行设置，并基于设置后的飞秒激光对所述待处理器件进行二次加工，以对所述工艺误差进行补偿。根据待处理器件的尺寸误差或性能误差确定包层折射率的目标改变量后，基于包层折射率的目标改变量所对应的飞秒激光的目标参量，执行基于飞秒激光对待处理器件进行二次加工，通过改变包层折射率，补偿工艺误差，可有效改善器件的性能。
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公开(公告)号：CN109828331A
公开(公告)日：2019-05-31
申请号：CN201910238944.5
申请日：2019-03-27
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种波长锁定器及波长可调激光器，所述的波长锁定器，包括：将输入光波分成两束光线的分束器；接收所述分束器分出的第一束光线的第一光电二极管，所述第一光电二极管输出参考信号；对所述分束器分出的第二束光线进行滤波的滤波器；接收所述滤波器输出的光信号的第二光电二极管，经所述第二光电二极管输出透射信号。本发明的波长锁定器基于SOI芯片，集成度很高、工艺复杂度和成本较低，能够提高激光器的波长稳定性。本发明的波长锁定器精细度是现有F-P标准具几十倍，总体结构比现在市面上商用的波长锁定器小，紧凑型高，可以锁定波长可调激光器调谐范围内的所有波长，提高输出波长的稳定性。
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公开(公告)号：CN120010057A
公开(公告)日：2025-05-16
申请号：CN202510295938.9
申请日：2025-03-13
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种基于自由形式曲线设计的高Q值微环谐振器及滤波器，包括：由第一弯曲波导、第一直波导、第二弯曲波导和第二直波导依次首尾连接的环形波导；由第三直波导、第三弯曲波导和第四弯曲波导依次连接的总线波导；以及由锥形波导构成的输入波导和输出波导；第一弯曲波导、第二弯曲波导、第三弯曲波导和第四弯曲波导均为180°弯曲波导，采用自由形式曲线结构，整体曲线可离散化为基于广义欧拉曲线模型的等长级联曲线段；采用优化算法模型分别优化各曲线段的几何形状以降低弯曲损耗。本发明通过优化曲线的几何形状，减小粗糙侧壁的散射损耗和弯曲损耗，实现结构紧凑、易于集成的高Q值微环谐振器。
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公开(公告)号：CN119133271A
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202411271022.1
申请日：2024-09-11
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0232 , H01L31/101 , H01L31/0352 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种锗硅光电探测器，涉及光电探测器领域，包括条波导、掺杂的第一硅波导区、掺杂的第二硅波导区、锗层、掺杂锗层、锗上电极、以及硅上电极；硅上的电极包围住锗层的所有侧面，留下顶角处的缺口用于光信号的传输，这种全包围式电极降低了光电探测器的寄生参数，提高了探测器的带宽；所述硅条波导与硅上电极缺口对应的第二波导区的顶角相连接，引导光信号从第二波导区的顶角输入并沿着锗层对角线传播，增大光信号的传播路径，提高了响应度，克服了现有技术中带宽与响应度互相制约的问题。
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