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公开(公告)号：CN102828158A
公开(公告)日：2012-12-19
申请号：CN201210309113.0
申请日：2012-08-28
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明公开了一种二氧化钛薄膜的制备方法。利用离子注入技术，将能量为20-200kV钛离子注入到高纯的石英玻璃或蓝宝石等材料中，然后在氧气氛围中退火。通过调控注入离子剂量和退火温度来制备二氧化钛薄膜。注入的剂量范围为1-4×1017ions/cm2，退火温度为600-1000℃。制备的二氧化钛薄膜有良好的致密性且与衬底附着力强，同时薄膜具有良好的光催化性和抗菌性。该方法制备的二氧化钛薄膜可用作自清洁抗菌薄膜材料。
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