公开(公告)号：CN107043253B

公开(公告)日：2020-12-11

申请号：CN201710331201.3

申请日：2017-05-11

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 周昌荣 ,  许积文 ,  黎清宁 ,  袁昌来 ,  曾卫东 ,  杨玲 ,  陈国华

IPC: C04B35/475 ,  C04B35/622 ,  C04B35/632 ,  C04B35/645

Abstract: 本发明公开了一种高极性无铅铁电半导体陶瓷，其特征在于，组成通式：(1‑x)Bi0.5Na0.5TiO3‑xBa0.9Sr0.1BiO3+0.05ZnO；其中x表示摩尔分数，0.01≤x≤0.5。这种陶瓷用球磨混合添加分散剂以及等静压与微波烧结制备方法制备而成，该系列产品具有可调窄带隙Eg=2.0‑2.9eV，优良的铁电性能Pmax=15‑32μC/cm2，绿色环保。

公开(公告)号：CN107032786B

公开(公告)日：2020-07-17

申请号：CN201710330694.9

申请日：2017-05-11

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 周昌荣 ,  杨玲 ,  许积文 ,  黎清宁 ,  曾卫东 ,  袁昌来 ,  陈国华

IPC: C04B35/475 ,  C04B35/622 ,  C04B35/64 ,  C04B41/88

Abstract: 本发明公开了一种同时具有高压电性能与高机械品质因数的低烧无铅压电陶瓷，其特征在于，组成通式为：(1‑x)(Bi0.5Na0.5)1‑2y(LiAl0.5Y0.5)yTiO3‑xBa(Ti0.9Mn0.1)O3+z(0.6BiVO4‑0.4CuO)来表示，其中x、y、z表示摩尔分数，0

公开(公告)号：CN107032785B

公开(公告)日：2020-04-17

申请号：CN201710330701.5

申请日：2017-05-11

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 周昌荣 ,  黎清宁 ,  许积文 ,  曾卫东 ,  杨玲 ,  袁昌来 ,  陈国华

IPC: C04B35/468 ,  C04B35/622 ,  C04B35/64 ,  C04B41/88

Abstract: 本发明公开了一种可调窄带隙高极性无铅铁电陶瓷，组成通式为：(1‑x)Ba0.9Ca0.1TiO3‑xBaBiO3+0.06Bi2WO6；其中x表示摩尔分数，0.01≤x≤0.3。这种陶瓷用多步合成方法，结合球磨混合添加分散剂以及等静压与微波烧结制备方法制备而成，该系列产品具有可调窄带隙Eg=1.2‑2.2eV，高的稳定性，优良的铁电性能Pmax=21‑35μC/cm2，绿色环保。

公开(公告)号：CN108675786A

公开(公告)日：2018-10-19

申请号：CN201810669000.9

申请日：2018-06-26

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 周昌荣 ,  黎清宁 ,  许积文 ,  杨玲 ,  曾卫东 ,  袁昌来 ,  陈国华 ,  饶光辉

IPC: C04B35/475 ,  C04B35/622 ,  C04B35/626

CPC classification number: C04B35/475 ,  C04B35/622 ,  C04B35/62605 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3203 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/94 ,  C04B2235/96

Abstract: 本发明公开了一种无铅压电微‑纳米线及其制备方法，材料组成为：Bi0.5Na0.5TiO3+0.15wt%LiBiO3+0.02%wtCeO2。用固相烧结法，结合热处理技术，生长无铅压电微‑纳米线，长度在3‑8μm，直径为100‑500nm，工艺简单，成本低廉，适合大规模工业生产。

公开(公告)号：CN104944952B

公开(公告)日：2017-12-19

申请号：CN201510301633.0

申请日：2015-06-05

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 袁昌来 ,  周星星 ,  冯琴 ,  杨涛 ,  周昌荣 ,  许积文 ,  黎清宁 ,  陈国华

IPC: C04B35/50 ,  C04B35/475 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明涉及一种具有高储能密度的Rex/3(Ba0.06Bi0.47Na0.47)1‑xTi1‑xRxO3无铅反铁电陶瓷及其制备方法，其中0.02≤x≤0.2，Re为La，Sm，Nd，Gd，Dy，Er，Y中的一种，R为Nb、Ta中的一种。先采用传统粉体合成技术合成Rex/3(Ba0.06Bi0.47Na0.47)1‑xTi1‑xRxO3粉体，然后采用放电等离子烧结（SPS）技术制备Rex/3(Ba0.06Bi0.47Na0.47)1‑xTi1‑xRxO3无铅反铁电陶瓷。本发明制备的具有高储能密度的Rex/3(Ba0.06Bi0.47Na0.47)1‑xTi1‑xRxO3无铅反铁电陶瓷，基于电滞回线计算的储能密度介于0.5~1.5 J/cm3之间。

公开(公告)号：CN104891988B

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201510244660.9

申请日：2015-05-14

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 袁昌来 ,  周星星 ,  刘笑 ,  冯琴 ,  周昌荣 ,  杨涛 ,  许积文 ,  黎清宁 ,  陈国华

IPC: C04B35/475 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明涉及一种Bi0.5Na0.4Li0.1MxTi1‑xO3无铅反铁电高储能密度陶瓷及其制备方法，其中：0.03≤x≤0.3，M为(Me1/3Nb2/3)、(Mb1/2Nb1/2)、(Me1/3Ta2/3)、(Mb1/2Ta1/2)中的一种，(Me1/3Nb2/3)、(Mb1/2Nb1/2)、(Me1/3Ta2/3)、(Mb1/2Ta1/2)中的Me为 Mg、Zn、Ni中的一种，(Me1/3Nb2/3)、(Mb1/2Nb1/2)、(Me1/3Ta2/3)、(Mb1/2Ta1/2)中的Mb为Al、Co、Cr中的一种。方法采用高温高压烧结炉制备Bi0.5Na0.4Li0.1MxTi1‑xO3无铅反铁电高储能密度陶瓷，基于电滞回线计算的储能密度可达0.8~1.6 J/cm3。

公开(公告)号：CN107043253A

公开(公告)日：2017-08-15

申请号：CN201710331201.3

申请日：2017-05-11

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 周昌荣 ,  许积文 ,  黎清宁 ,  袁昌来 ,  曾卫东 ,  杨玲 ,  陈国华

IPC: C04B35/475 ,  C04B35/622 ,  C04B35/632 ,  C04B35/645

Abstract: 本发明公开了一种高极性无铅铁电半导体陶瓷，其特征在于，组成通式：(1‑x) Bi0.5Na0.5TO3‑xBa0.9Sr0.1BiO3+0.05ZnO；其中x表示摩尔分数，0.01≤x≤0.5。这种陶瓷用球磨混合添加分散剂以及等静压与微波烧结制备方法制备而成，该系列产品具有可调窄带隙Eg=2.0‑2.9eV，优良的铁电性能Pmax=15‑32μC/cm2，绿色环保。

公开(公告)号：CN107032785A

公开(公告)日：2017-08-11

申请号：CN201710330701.5

申请日：2017-05-11

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 周昌荣 ,  黎清宁 ,  许积文 ,  曾卫东 ,  杨玲 ,  袁昌来 ,  陈国华

IPC: C04B35/468 ,  C04B35/622 ,  C04B35/64 ,  C04B41/88

Abstract: 本发明公开了一种可调窄带隙高极性无铅铁电陶瓷，组成通式为：(1‑x)Ba0.9Ca0.1TO3‑xBaBiO3+0.06Bi2WO6；其中x表示摩尔分数，0.01≤x≤0.3。这种陶瓷用多步合成方法，结合球磨混合添加分散剂以及等静压与微波烧结制备方法制备而成，该系列产品具有可调窄带隙Eg=1.2‑2.2eV，高的稳定性，优良的铁电性能Pmax=21‑35μC/cm2，绿色环保。

公开(公告)号：CN104710172B

公开(公告)日：2017-03-29

申请号：CN201510103499.3

申请日：2015-03-10

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 周昌荣 ,  许积文 ,  黎清宁 ,  袁昌来 ,  曾卫东 ,  陈国华

IPC: C04B35/475 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种室温高压反铁电高储能密度无铅陶瓷介质材料及其制备方法，成分以通式(BixNay)AgzTi0.98-mO3-mBaTiO3-0.02SrZrO3+n(0.5MnO2-0.3La2O3-0.2Nb2O5)来表示，其中x、y、z、m、n表示摩尔分数，x=0.48，0.49；y=(0.46-z)，(0.44-z)，(0.46-z)，(0.42-z)；x与y分别取值：x/y=0.48/(0.46-z),0.48/(0.44-z),0.49/(0.46-z),0.49/(0.44-z),0.49/(0.42-z)；0.005≤z≤0.01；0.04≤m≤0.09；0.001≤n≤0.02。本发明采用纳米单晶颗粒BaTiO3粉体，通过两歩烧结，获得了多层芯壳结构，通过高场诱发反铁电相变，获得很高的储能密度及储能效率。本发明制备工艺简单、稳定，适合工业推广应用。本发明的陶瓷组成是一种绿色环保型储能陶瓷介质，耐压性好，损耗低，在脉冲高压电源领域具有很好的应用前景。

公开(公告)号：CN104671766B

公开(公告)日：2017-01-11

申请号：CN201510103536.0

申请日：2015-03-10

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 周昌荣 ,  黎清宁 ,  许积文 ,  袁昌来 ,  曾卫东 ,  陈国华

IPC: H01L41/187 ,  C04B35/26 ,  C04B35/468 ,  C04B35/622 ,  C04B35/64

Abstract: 本发明公开了一种高温压电性能、高储能密度无铅陶瓷介电材料，成分以通式(1-x-y)BiFeO3–xBaTiO3–yMeNbO3+0.005(0.5MnO2-0.3CuO-0.2CeO2)或(1-x-y)BiFeO3–xBaTiO3–yMeTaO3+0.005(0.5MnO2-0.3CuO-0.2CeO2)或(1-x-y)BiFeO3–xBaTiO3–yMeSbO3+0.005(0.5MnO2-0.3CuO-0.2CeO2)来表示，其中Me为碱金属元素Li、Na、K中的一种或两种，x、y表示摩尔分数，0.1≤x≤0.5，0.05≤y≤0.3。本发明采用分步合成结合两歩烧结，获得成分结构梯度可控的均匀致密陶瓷。本发明的高温压电、高储能密度陶瓷具有优异的储能密度、高压电常数及高居里温度，储能密度可达1.1J/cm3，压电常数d33可达282pm/V、应变可达0.22%，居里温度可达501oC，绿色环保，实用性好。