一种实现真空容器内纳米光栅沉积基片位置操控的方法及其装置

    公开(公告)号:CN102796998B

    公开(公告)日:2013-11-27

    申请号:CN201210267363.2

    申请日:2012-07-31

    Abstract: 本发明公开了一种实现真空容器内纳米光栅沉积基片位置操控的方法及其装置,主要由电磁击打器、位移发生器、标准位移物件收集器、传动机构、基片位移部件构成,利用真空容器外的控制装置使容器内位移发生器输出步进动作的方式实现真空容器内纳米光栅沉积基片位置的移动是一种操控新方法,就该方法而设计的装置可以简单、方便、快捷的实现沉积基片的位置调整,能够避免真空容器内电磁干扰、电子元器件气体释放及爆炸等对纳米光栅沉积基片研究的影响,具有较强的实际应用价值。

    纳米光栅沉积特性三维分析方法

    公开(公告)号:CN102033996A

    公开(公告)日:2011-04-27

    申请号:CN201010578795.6

    申请日:2010-12-08

    Abstract: 本发明提供了一种纳米光栅沉积特性三维分析方法,(1)建立激光驻波场与中性原子相互作用的三维模型;(2)利用数值方法,通过设定适当步长的四阶Runge-Kutta算法,求解中性原子在三维空间的位置坐标,从而获得激光驻波场作用下中性原子的三维运动轨迹和沉积过程仿真;(3)利用累计算法,实现中性原子在激光驻波场作用下的三维沉积过程仿真,获得纳米光栅三维沉积条纹的对比度与半高宽特性,实现最优化的激光驻波场参数选择,得到最细化的纳米光栅沉积条纹三维仿真。该方法可用于分析沉积纳米光栅的基本特性。与一维、二维分析方法相比,该发明所采用的三维分析方法更细致、更本质、对实际应用更有指导意义。

    一种空间光路的光栅尺标定装置

    公开(公告)号:CN209485273U

    公开(公告)日:2019-10-11

    申请号:CN201821334574.2

    申请日:2018-08-17

    Abstract: 本实用新型提供一种空间光路的光栅尺标定装置,包括运动台和测量装置,所述测量装置设置于运动台上;测量装置包括一具有凹槽结构的承载台承载台,凹槽结构的底面上设置有4个平面光栅,在每个平面光栅的上方设置有一读头;承载台的相对的两侧面的外侧各设置有一个第二反射镜,由上区域边沿向所述第二平面延伸形成第四反射镜,承载台的另外两相对的侧面的其中一个侧面的外侧设置有第一反射镜;测量装置还包括第一干涉仪、第二干涉仪和第三干涉仪,第二干涉仪与第三干涉仪与第二反射镜同侧设置,第一干涉仪与第一反射镜同侧设置;测量装置还包括两第三反射镜,第二干涉仪与第三干涉仪发出的光线的一部分经第四反射镜反射进入到第三反射镜。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

    一种光栅尺标定装置
    45.
    实用新型

    公开(公告)号:CN209485272U

    公开(公告)日:2019-10-11

    申请号:CN201821328982.7

    申请日:2018-08-17

    Abstract: 本实用新型提供一种光栅尺标定装置,包括运动台和测量装置,运动台处于封闭的微环境区域内,测量装置设置于运动台上;测量装置包括承载台;承载台上设置有4个读头,每个读头分别处于一四边形的顶点处;在每个读头的上方设置有一平面光栅;承载台的相对的两侧面的外侧各设置有一个第二反射镜,由第二平面延伸形成第四反射镜,承载台的另外两相对的侧面的其中一个侧面的外侧设置有第一反射镜;测量装置还包括第一干涉仪、第二干涉仪和第三干涉仪,第二干涉仪与第三干涉仪与第二反射镜同侧设置,第一干涉仪与第一反射镜同侧设置;测量装置还包括两第三反射镜,第二干涉仪与第三干涉仪发出的光线的一部分经第四反射镜反射进入到第三反射镜。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

    一种真空容器内纳米光栅沉积基片位置操控装置

    公开(公告)号:CN202730229U

    公开(公告)日:2013-02-13

    申请号:CN201220375153.0

    申请日:2012-07-31

    Abstract: 本实用新型公开了一种真空容器内纳米光栅沉积基片位置操控装置,包含电磁击打器、位移发生器、标准位移物件收集器、传动机构和基片位移部件,电磁击打器和标准位移物件收集器分别置于位移发生器的槽管通孔两侧,位移发生器上的位移牵引器伸出槽管外部分通过传动机构与基片位移部件上的基片位移架或者配重平衡块连接,基片位移架和配重平衡块通过钢丝软线、滑轮相互连接。本装置可以简单、方便、快捷的实现沉积基片的位置调整,能够避免真空容器内电磁干扰、电子元器件气体释放及爆炸等对纳米光栅沉积基片研究的影响,具有较强的实际应用价值。

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