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公开(公告)号：CN110383683B
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN201880016604.1
申请日：2018-03-08
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 提供一种不易产生其他带通型滤波器中的由高阶模式引起的纹波的多工器。具备一端被公共连接的通带不同的N个(其中，N为2以上的整数)弹性波滤波器。至少一个弹性波滤波器(3)具有由欧拉角(的范围内，θLT，ψLT＝0°±15°的范围内)的钽酸锂构成的压电体(14)、支承基板(12)、和IDT电极(15)。在多个弹性波谐振器之中的至少一个弹性波谐振器中，第一高阶模式的频率fh1_t(n)，在通带比至少一个弹性波滤波器(n)高的所有的弹性波滤波器(m)(n＜m≤N)中，满足下述的式(3)或下述的式(4)。fh1_t(n)＞fu(m)式(3)fh1_t(n)＜fl(m)式(4)
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110402539B
公开(公告)日：2023-02-28
申请号：CN201880016922.8
申请日：2018-03-08
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 提供一种在其他弹性波滤波器中不易产生高阶模式所引起的纹波的弹性波装置。弹性波装置(1)在由硅构成的支承基板(2)上层叠有氧化硅膜(3)以及由钽酸锂构成的压电体(4)以及IDT电极(5)，关于由钽酸锂构成的压电体的波长标准化膜厚TLT、欧拉角的θLT、氧化硅膜(3)的波长标准化膜厚TS、换算为铝的厚度的IDT电极(5)的波长标准化膜厚TE、支承基板(2)的传播取向ψSi、支承基板(2)的波长标准化膜厚TSi的值，设定TLT、θLT、TS、TE、ψSi，使得关于第1、第2以及第3高阶模式的响应之中的至少一个响应由下述的式(1)表示的与高阶模式的响应的强度对应的Ih大于‑2.4，且TSi＞20。[数学式1]
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公开(公告)号：CN115191084A
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN202180017643.5
申请日：2021-03-08
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 提供一种弹性波装置，能够改善线性度且能够减小高次谐波的等级。弹性波装置具备层叠在压电基板(2)上且构成第一谐振器(12)的IDT电极、以及层叠在压电基板(2)上且构成第二谐振器(13)的IDT电极，第一谐振器(12)与第二谐振器(13)并联连接或串联连接，第一谐振器(12)的IDT电极具有由外延膜构成的电极层，第二谐振器(13)的IDT电极具有由非外延膜构成的电极层。
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公开(公告)号：CN112655150A
公开(公告)日：2021-04-13
申请号：CN201980058308.2
申请日：2019-09-06
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明提供一种不易产生其它带通型滤波器的通带中的纹波的弹性波装置。弹性波装置具备一端被公共连接的、通带不同的N个(其中，N为2以上的整数)带通型滤波器，其中，至少一个带通型滤波器具有多个弹性波谐振器，所述多个弹性波谐振器具有欧拉角为(的范围内，θLT，ψLT＝0°±15°的范围内)的钽酸锂膜(14)、硅支承基板(12)、层叠在钽酸锂膜(14)与硅支承基板(12)之间的氧化硅膜(13)、IDT电极(15)、以及保护膜(18)，在所述多个弹性波谐振器中的至少一个弹性波谐振器中，频率fh1_t(n)对于m＞n的全部的m满足下述的式(3)或下述的式(4)。式(3)：fh1_t(n)＞fu(m)。式(4)：fh1_t(n)＜fl(m)。其中在式(3)以及式(4)中，fu(m)以及fl(m)表示m个带通型滤波器中的通带的高频侧端部以及低频侧端部的频率。
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公开(公告)号：CN109560788A
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201810929093.4
申请日：2018-08-15
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 一种弹性波装置，包括：压电体层；叉指换能器(IDT)电极，设置在所述压电体层上；高声速构件；以及低声速膜，设置在所述高声速构件与所述压电体层之间。所述压电体层包含钽酸锂，所述IDT电极包含多个金属层，所述多个金属层包括Al金属层和密度比Al高的金属层。在λ表示由所述IDT电极的电极指间距规定的波长，TLT(％)表示利用所述波长λ得到的所述压电体层的归一化膜厚，TELE(％)表示利用所述波长λ得到的所述IDT电极的Al换算归一化膜厚时，满足以下的式1：301.74667-10.83029×TLT-3.52155×TELE+0.10788×TLT2+0.01003×TELE2+0.03989×TLT×TELE≥0…式1。
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公开(公告)号：CN107534429A
公开(公告)日：2018-01-02
申请号：CN201680026762.6
申请日：2016-06-01
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 提供一种能够减小激励弹性波时的IDT电极的形变、能够使得IMD特性良好的弹性波装置。弹性波装置(1)具备：具有电极形成面(3a)的压电基板(3)、和被设置在电极形成面(3a)上的IDT电极(2)。IDT电极(2)具有：被设置在电极形成面(3a)上的紧贴层(4)、和被设置在紧贴层(4)上的主电极层(6)。紧贴层4具有第1层(4A)、第2层(4B)。第1层(4A)、第2层(4B)具有第1侧面(4Ac)、第2侧面(4Bc)。第1侧面(4Ac)、第2侧面(4Bc)的至少一部分与电极形成面(3a)的法线方向Z形成第1侧面(4Ac)的倾斜角度(θ1)、第2侧面(4Bc)的倾斜角度(θ2)，以使得第2层(4B)紧贴于主电极层(6)的面的面积小于第1层(4A)紧贴于压电基板(3)的面的面积。第2侧面(4Bc)的倾斜角度(θ2)小于第1侧面(4Ac)的倾斜角度(θ1)。
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