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公开(公告)号：CN103733500B
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201180072862.X
申请日：2011-09-30
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H02M7/537 , H01L21/822 , H01L27/04
CPC classification number: H03K3/012 , H01L27/0629 , H02M1/08 , H02M1/38 , H02M3/33561 , H03K17/28 , H03K17/691 , Y02B70/1483
Abstract: 一种使用宽禁带半导体的开关元件的半导体驱动电路，其能够稳定地确保死区时间。桥臂中，上桥臂的开关元件的漏极端子与第一电源的正极连接，下桥臂的开关元件的源极端子与第一电源的负极连接，上桥臂的开关元件的源极端子与下桥臂的开关元件的漏极端子连接，按每个开关元件设置的栅极驱动电路包含：第一电阻和第一电容器并联连接且第一端子与开关元件的栅极端子连接的并联电路；和FET电路，其源极端子与并联电路的第二端子连接，其栅极端子与第二电容器的一端连接，在其漏极端子与栅极端子之间连接第二电阻，在其漏极端子与第二电容器的另一端子之间连接第二电源，第二电源为由零电位、正值和负值构成的三电平电源，为包含正值与负值之间为零电位的期间的交变电源，构成为在对一方的栅极驱动电路施加正值期间对另一方的栅极驱动电路施加负值，且与FET电路的栅极端子连接的第二电容器的另一端与上述开关元件的源极端子连接。
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公开(公告)号：CN104283448A
公开(公告)日：2015-01-14
申请号：CN201410290817.7
申请日：2014-06-25
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: H02M3/155
Abstract: 本发明提供电力变换装置。在具有半导体开关元件的电力变换装置中，迅速地实现谐振振动的收敛，降低成为其辐射噪声的谐波的功率电平。电力变换装置构成为：与直流电源并联地连接平滑电容器电路、基于开关元件的第1串联电路、以及基于缓冲电路的第2串联电路，并且对第1串联电路的开关元件的连接点与第2串联电路的缓冲电路的连接点之间进行连接，该电力变换装置中，与直流电源并联地连接补偿阻抗电路，该补偿阻抗电路是与由第1电容器和电抗组成的并联电路串联地连接第2电容器而构成的。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102054556B
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201010563539.X
申请日：2006-12-21
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: H01F1/0577 , H01F1/0572 , H01F1/0579 , H01F41/0293 , H02K1/02 , H02K1/246 , H02K1/276 , H02K1/2766 , H02K1/278
Abstract: 本发明提供了一种永久磁铁，是NdFeB系的母相的永久磁铁，其特征在于：在上述母相的表面形成有包含氟化合物的粒界相，在上述母相与上述粒界相的界面形成有Fe相。在NdFeB粉表面上混合氟化合物粉末制作了的磁粉和磁铁随氟化合物的混合量的增加残留磁通密度下降、能量积显著地下降。本发明的课题是抑制这样的磁特性的下降。为了解决上述课题，通过将其电阻与包含铁或钴的母相相比高10倍或10倍以上的高阻层形成为层状，将氧浓度控制在大于等于10ppm至小于等于10000ppm，可提高磁铁的可靠性或残留磁通密度。
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公开(公告)号：CN101043138B
公开(公告)日：2011-06-01
申请号：CN200710007218.X
申请日：2007-01-25
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H02H7/122
Abstract: 提供一种可靠性高的半导体装置的保护电路。本发明的半导体装置的保护电路具有：电流检测机构，其对半导体元件的主端子对的电位低的端子的电流进行检测，上述半导体元件具有一对主端子、和对流过该主端子对的电流进行控制的控制端子；电压检测机构，其对上述半导体的控制端子的电压进行检测；和输入上述电流检测机构的输出信号和电压检测机构的输出信号这两种信号，在电流检测机构的输出信号和电压检测机构的输出信号这两种信号表示预定的异常信号的情况下，输出异常信号的机构。
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公开(公告)号：CN102054556A
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN201010563539.X
申请日：2006-12-21
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: H01F1/0577 , H01F1/0572 , H01F1/0579 , H01F41/0293 , H02K1/02 , H02K1/246 , H02K1/276 , H02K1/2766 , H02K1/278
Abstract: 本发明提供了一种永久磁铁，是NdFeB系的母相的永久磁铁，其特征在于：在上述母相的表面形成有包含氟化合物的粒界相，在上述母相与上述粒界相的界面形成有Fe相。在NdFeB粉表面上混合氟化合物粉末制作了的磁粉和磁铁随氟化合物的混合量的增加残留磁通密度下降、能量积显著地下降。本发明的课题是抑制这样的磁特性的下降。为了解决上述课题，通过将其电阻与包含铁或钴的母相相比高10倍或10倍以上的高阻层形成为层状，将氧浓度控制在大于等于10ppm至小于等于10000ppm，可提高磁铁的可靠性或残留磁通密度。
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公开(公告)号：CN101043138A
公开(公告)日：2007-09-26
申请号：CN200710007218.X
申请日：2007-01-25
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H02H7/122
Abstract: 提供一种可靠性高的半导体装置的保护电路。本发明的半导体装置的保护电路具有：电流检测机构，其对半导体元件的主端子对的电位低的端子的电流进行检测，上述半导体元件具有一对主端子、和对流过该主端子对的电流进行控制的控制端子；电压检测机构，其对上述半导体的控制端子的电压进行检测；和输入上述电流检测机构的输出信号和电压检测机构的输出信号这两种信号，在电流检测机构的输出信号和电压检测机构的输出信号这两种信号表示预定的异常信号的情况下，输出异常信号的机构。
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公开(公告)号：CN1985760A
公开(公告)日：2007-06-27
申请号：CN200610165927.6
申请日：2006-12-11
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: A61B5/055 , G01R33/48 , G01R33/383
CPC classification number: G01R33/383 , G01R33/3806 , G01R33/3873 , Y10T428/12014
Abstract: 发生于MRI装置的磁路周边的涡流是理想的磁场梯度波形偏离产生的原因之一，成为图像畸变、强度损失、重影发生及信号损失、光谱畸变的原因。以抑制涡流的发生为课题。解决手段是采用以如下为特性的MRI装置的结构：在以含有铁或钴的母相为主的显示强磁性的粉末的表面的一部分或全部，沿着该表面的一部分层状形成比母相阻抗高10倍以上、且维氏硬度比母相小的高阻抗层，将成形了所述粉末的强磁性体使用于磁路的一部分。
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