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公开(公告)号：CN113614632A
公开(公告)日：2021-11-05
申请号：CN202080023953.3
申请日：2020-04-14
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
Abstract: 光设备具备：第1反射镜，具有第1反射面，沿着第1方向延伸；第2反射镜，具有与所述第1反射面对置的第2反射面，沿着所述第1方向延伸；以及光波导层，位于所述第1反射镜与所述第2反射镜之间，使光沿着所述第1方向传播；所述第1反射镜的透射率比所述第2反射镜的透射率高，所述第1反射镜及所述第2反射镜中的至少一方的与从反射面的法线方向入射的光对应的反射谱为：在反射率为90％以上的波段中包含极大点、以及比所述极大点靠长波长侧的第1拐点及第2拐点。
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公开(公告)号：CN112470068A
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN201980048982.2
申请日：2019-08-07
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
Abstract: 光设备具备：第1镜；第2镜，与上述第1镜对置；光波导层，位于上述第1镜与上述第2镜之间，包含在被施加电压时折射率变化的材料；第1电极及第2电极，直接或间接地夹着上述光波导层，上述第1电极包括在上述第1方向上排列的多个电极部；以及控制电路。从上述光波导层经由上述第1镜射出上述光，或者经由上述第1镜向上述光波导层取入上述光。
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公开(公告)号：CN105974576B
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：CN201610121687.3
申请日：2016-03-03
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
IPC: G02B23/24
Abstract: 本发明提供利用光致发光层的具有新型结构的发光装置和内窥镜。本发明的发光装置具备发光器件和光纤。上述发光器件具有：光致发光层，该光致发光层接受激发光而发出包括空气中的波长为λa的第一光在内的光；以及表面结构，该表面结构表面结构形成在上述光致发光层和透光层中的至少一者的表面上。上述表面结构包含多个凸部和多个凹部中的至少一者，对上述空气中的波长为λa的上述第一光的指向角进行限制。
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公开(公告)号：CN110537142A
公开(公告)日：2019-12-03
申请号：CN201980001639.2
申请日：2019-02-07
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
Abstract: 光设备具备：两个非波导区域，在与第1方向交叉的第2方向上隔开间隙地排列；光波导区域，位于上述两个非波导区域之间，包含液晶材料，使光沿着上述第1方向传输；以及取向膜，使上述液晶材料取向。上述两个非波导区域分别包含折射率低于上述液晶材料的低折射率部件，上述取向膜位于上述低折射率部件与上述液晶材料之间。
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公开(公告)号：CN110520771A
公开(公告)日：2019-11-29
申请号：CN201980001646.2
申请日：2019-01-29
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
IPC: G02B6/122 , G02B6/12 , G02B6/124 , G02B6/34 , G02B26/08 , G02F1/01 , G02F1/015 , G02F1/03 , G02F1/13 , G02F1/295 , G02B26/10
Abstract: 光设备具备：第1多层反射膜镜；与上述第1多层反射膜镜对置的第2多层反射膜镜；位于上述第1多层反射膜镜与上述第2多层反射膜镜之间且使真空中的波长为λ的光传输的光波导层；以及位于选自上述第1多层反射膜镜与上述光波导层之间、上述第2多层反射膜镜与上述光波导层之间、上述第1多层反射膜镜所含的相邻的两个层之间以及上述第2多层反射膜镜所含的相邻的两个层之间所构成的组的至少一个。上述第1多层反射膜镜中的上述光的透射率比上述第2多层反射膜镜中的上述光的透射率高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105974722A
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201610119834.3
申请日：2016-03-03
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
Abstract: 本发明提供利用光致发光材料的具有新型结构的显示装置和发光装置。本发明的显示装置具备激发光源、发光器件和光学快门或导光板。上述发光器件具有：光致发光层，该光致发光层接受激发光而发出包括空气中的波长为λa的第一光在内的光；以及表面结构，该表面结构形成在上述光致发光层和透光层中的至少一者上。上述表面结构包含多个凸部和多个凹部中的至少一者，对空气中的波长为λa的上述第一光的指向角进行限制。
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公开(公告)号：CN105940509A
公开(公告)日：2016-09-14
申请号：CN201580006448.7
申请日：2015-02-20
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
CPC classification number: G02B6/0003 , G02B5/1809 , G02B6/0025 , G02B6/0036 , G02B6/0038 , G02B6/0055 , G02B6/0056 , H01L33/508
Abstract: 本申请的发光元件具有：光致发光层，该光致发光层接受激发光而发光；透光层，该透光层以与光致发光层接近的方式配置；亚微米结构，该亚微米结构形成在光致发光层和透光层中的至少一者上，并向光致发光层或透光层的面内扩散；以及导光结构，该导光结构以将上述激发光导向光致发光层的方式配置，其中，亚微米结构包含多个凸部或多个凹部，光致发光层所发出的光包括空气中的波长为λa的第一光，当将相邻的凸部之间或凹部之间的距离设定为Dint、将光致发光层(110)对第一光的折射率设定为nwav‑a时，成立λa/nwav‑a＜Dint＜λa的关系。
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公开(公告)号：CN105917477A
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201580004556.0
申请日：2015-02-20
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
CPC classification number: G02B5/1809 , G02B5/1866 , G02B6/0003 , G02B6/0036 , G02B6/0038 , H01L27/156 , H01L33/04 , H01L33/505 , H01L33/507 , H01L33/508 , H01L33/58 , H01L2933/0041 , H01L2933/0058 , H01L2933/0083 , H01L2933/0091
Abstract: 本发明的发光器件具有光致发光层、透光层和向光致发光层或透光层的面内扩散的亚微米结构。亚微米结构包含至少两个周期结构，光致发光层所发出的光包括空气中的波长为λa的第一光和空气中的波长为λb的第二光，当将光致发光层对第一光和第二光的折射率分别设定为nwav?a和nwav?b、将第一周期设定为pa，将第二周期设定为pb时，至少两个周期结构包含成立λa/nwav?a＜pa＜λa的关系的第一周期结构和成立λb/nwav?b＜pb＜λb的关系的第二周期结构。
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公开(公告)号：CN105144846A
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201480013239.0
申请日：2014-02-27
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
IPC: H05B33/12 , H01L51/50 , H05B33/02 , F21Y105/00
CPC classification number: H01L51/5275 , H01L51/504 , H01L51/5206 , H01L51/5221 , H01L51/5265 , H01L51/5268 , H01L2251/558
Abstract: 本公开内容涉及有机电致发光元件，其包括：具有光透射属性的衬底；光漫射层；光透射电极；光反射电极；以及发光层。对于作为所述光反射电极的第一个最接近的发光层的第一发光层E1，满足下述表达式(2)所定义的关系，[公式1]其中，λm表示加权平均发射波长，φ(λm)表示相移，nm(λm)表示填充所述光反射电极与所述第一发光层之间的间隔的介质的平均折射率，dm表示从所述光反射电极到所述第一发光层的距离。m等于1。l是等于或大于0的整数。
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公开(公告)号：CN105027671A
公开(公告)日：2015-11-04
申请号：CN201480005446.1
申请日：2014-01-17
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
CPC classification number: H01L33/58 , G02B5/0221 , H01L33/22 , H01L51/5275 , H01L2251/5315 , H01L2251/5369
Abstract: 发光装置具备发光元件(110)和使从上述发光元件(110)产生的光透射的光取出片(120)。发光元件(110)具有：具有光透射性的第1电极(13)、第2电极(11)、和设在第1及第2电极之间的发光层(12)。光取出片(120)具有：透光性基板(14)，具有第1主面及第2主面；第1光取出构造(15)，设在透光性基板(14)的上述第1主面侧；第2光取出构造(16)，设在透光性基板(14)的上述第2主面侧。第1光取出构造(15)具有折射率比透光性基板(14)低的低折射率层(15a)及折射率比低折射率层(15a)高的高折射率层(15b)，高折射率层(15b)及低折射率层(15a)的界面具有凹凸形状。第2光取出构造(16)构成为，使得透射过透光性基板并以40度到60度的入射角入射的光的平均透射率为42％以上。
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