太阳能电池及其制造方法
    42.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102326262A

    公开(公告)日:2012-01-18

    申请号:CN201080008716.6

    申请日:2010-10-20

    Abstract: 本发明提供一种太阳能电池及其制造方法。在石墨基板上设置无定形碳层,在无定形碳层上通过MOCVD法使AlN的c轴取向膜生长之后,在AlN层上形成GaN的低温生长缓冲层,在低温生长缓冲层上形成n型GaN层,在n型GaN层上形成由InxGa1-xN构成的光吸收层,在光吸收层上形成p型GaN层,在p型GaN层上形成p型GaN接触层。

    等离子体显示装置
    46.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101727821A

    公开(公告)日:2010-06-09

    申请号:CN200910205493.1

    申请日:2002-06-11

    CPC classification number: G09G3/294 G09G3/2927 G09G2310/066 G09G2320/0204

    Abstract: 本发明目的在于提供一种即使在为应对高清晰度而缩短放电维持期间,也能可靠地进行清除放电的、且难以产生误放电的等离子体显示装置。为此,加大放电维持期间的后期施加的脉冲的脉宽,使它大于在放电维持期间的后期之前的、除了最初施加的脉冲外的脉冲的脉宽,同时在清除期间采用所谓窄脉冲进行清除放电。从而,能够使放电维持期间结束时的放电单元的壁电压高于传统的电压,因此,可靠地进行清除放电,且不易引起误放电。

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