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公开(公告)号：CN101242027A
公开(公告)日：2008-08-13
申请号：CN200710156825.2
申请日：2007-11-12
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种定向耦合器馈电低轮廓背腔圆极化天线。普通背腔圆极化天线结构复杂、体积大、无法平面集成。本发明在介质基片的两面镀有金属层，上金属层蚀刻用于馈电的微带线、微带形式的分支线定向耦合器和共地共面波导传输线，贯穿上金属层、介质基片和下金属层开有排列为正方形的多个金属化通孔，形成腔体，共面波导传输线伸入腔体内。下金属层在对应腔体的区域内蚀刻有两条相互垂直的长条形辐射缝隙。与已有背腔圆极化天线相比，本发明采用90度相移的3dB定向耦合器作为馈电网络，在保留背腔圆极化天线高增益特性的基础上，显著地提高天线的3dB轴比带宽。整个结构可用PCB工艺制作，成本低，可与平面电路无缝集成，提高了集成度。
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公开(公告)号：CN101179150A
公开(公告)日：2008-05-14
申请号：CN200710156824.8
申请日：2007-11-12
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种基于金属化通孔微扰的低轮廓背腔圆极化天线。已有的背腔圆极化天线结构复杂、体积大、无法平面集成、成本高。本发明在介质基片的两面镀有金属层，上金属层蚀刻有用于馈电的微带线和共地共面波导传输线，共面波导传输线的中间金属条带向外延伸，作为微带线。贯穿上金属层、介质基片和下金属层开多个金属化通孔，形成圆形腔体，共面波导传输线伸入腔体内。下金属层在对应腔体的区域内蚀刻有两条相互垂直的长条形缝隙。在其中一条缝隙中心线两端贯穿整个介质基片打有两个微扰金属化通孔。与已有金属腔体构成的背腔圆极化天线相比，本发明采用普通的PCB工艺制作，制作成本低，可与微带电路无缝集成，提高了系统的集成度。
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公开(公告)号：CN101179149A
公开(公告)日：2008-05-14
申请号：CN200710156823.3
申请日：2007-11-12
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种单点同轴馈电低轮廓背腔圆极化天线。普通背腔圆极化天线结构复杂、体积大、制造成本高。本发明在介质基片的两面镀有金属层，上金属层蚀刻有用于辐射能量的两条相互垂直的长方形缝隙。贯穿上金属层、介质基片和下金属层开有排列为圆形的多个金属化通孔，形成圆形腔体。在腔体区域内两条相互垂直的长条形辐射缝隙的角平分线的合适位置，贯穿下金属层和介质基片接入同轴探针作为馈电结构。与已有金属腔体构成的背腔圆极化天线相比，本发明的腔体采用普通的PCB工艺制作使得天线轮廓小，制作成本低。
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公开(公告)号：CN101170212A
公开(公告)日：2008-04-30
申请号：CN200710156687.8
申请日：2007-11-12
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种共面波导单点馈电背腔圆极化天线。普通背腔圆极化天线结构复杂、体积大、无法平面集成、成本高。本发明在介质基片的两面镀有金属层，上金属层蚀刻有用于馈电的微带线和共地共面波导传输线，共面波导传输线的中间金属条带向外延伸，作为微带线。贯穿上金属层、介质基片和下金属层开有排列为正方形的多个金属化通孔，形成腔体，共面波导传输线伸入腔体内。下金属层在对应腔体的区域内蚀刻有两条相互垂直的长条形辐射缝隙。与已有金属腔体构成的背腔圆极化天线相比，本发明采用普通的PCB工艺制作，制作成本低，可与微带电路无缝集成，提高了系统的集成度。
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公开(公告)号：CN114639956B
公开(公告)日：2025-04-22
申请号：CN202210351263.1
申请日：2022-04-02
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开一种结合MIMO技术的微波与毫米波大频比共口径天线。在微波与毫米波大频比共口径天线上通过结构设计将四个基片集成波导背腔贴片天线与电磁偶极子的四个电偶极子共用，构成了一个2×2的MIMO天线阵列辐射毫米波信号，实现微波频段使用双极化电磁偶极子天线，毫米波频段则结合了MIMO技术，最终实现了具有高集成度，高隔离度等特性，在毫米波频段与MIMO技术结合，且能覆盖多个频段的大频比共口径天线。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119674554A
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202411771547.1
申请日：2024-12-04
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开一种基于磁性材料的低通高吸型能量选择表面，包括多个周期性分布的单元，每个单元从上到下包括紧贴的磁性材料层和能选层；其中，所述能选层包括介质基板，以及在介质基板上设有的第一至第七金属结构和第一至第八二极管。本发明通过多个二极管形成完整回路，通过磁性材料与能选层间的阻抗匹配，在低功率电磁波入射时，实现了低插入损耗的低频通带，并在高频处实现了超宽的吸收带；在高功率电磁波入射时，在工作频段内实现了具有较高的屏蔽效能，并在带外实现了超宽的吸收带。本发明整体设计结构简单，原理清晰，便于加工，成本低廉，应用前景十分广泛。
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公开(公告)号：CN114267958B
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202111588973.8
申请日：2021-12-23
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01Q17/00
Abstract: 本发明提出一种窄过渡带的低通吸收式频率选择结构。目前已报道的低通吸收式频率选择结构过渡带宽，选择性不够优异。本发明为周期结构。结构单元由两部分组成，一部分为损耗层，另一部分为三维带阻结构。损耗层采用射频电阻和等效电感值较大的弯折的金属线，三维带阻结构采用在垂直方向上的介质基片上印刷金属条。整个结构具有高频吸波低频透波，且过渡带窄的特性。本发明与应用于军事领域的工作在VHF/UHF频段的大量超宽带天线和频谱监测等系统的天线罩的性能指标完美匹配，具有很强的适用性。
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公开(公告)号：CN119209024A
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202411384374.8
申请日：2024-09-30
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开一种带高选择增益滤波特性的透射阵天线，包括作为透射面的平面透射阵列和作为馈源的喇叭天线；通过绕中轴线旋转平面透射阵列的发射磁电偶极子的馈电部分0°或180°来实现180度的透射相位差；平面透射阵列包括多个周期性无缝分布的透射单元，每个透射单元在受到y极化入射波的时候产生不同的补偿相位，以此形成所需要的波束方向；本发明方法基于加载分裂环谐振器的磁电偶极子天线，能够在平面结构下实现较高的选择性，避免了天线‑滤波器‑天线结构中需要复杂的滤波器部分的设计和三维结构较高的剖面，可以广泛的应用于远距离通信，同时能更充分的利用有限的电磁频谱。
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公开(公告)号：CN119009498A
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202411122993.X
申请日：2024-08-15
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01Q15/00
Abstract: 本发明涉及一种三阶带通型宽带高防护的能量选择表面，包括多个周期性分布的单元，每个单元从下到上依次包括第一能选层、第一介质层、第一频选层、第二介质层、第二能选层、第三介质层、第二频选层、第四介质层、第三能选层，所述第一能选层与第三能选层结构相同，其上设有多个金属结构。本发明通过将三层能量选择表面和两层频率选择表面进行多层级联及阻抗匹配，在低功率电磁波入射时，实现了低插入损耗、高选择性的通带，并在带外形成了超宽的抑制阻带；而在高功率电磁波入射时，实现了具有较高的屏蔽效能的反射带。此外，该结构在一个极化方向上具有较高的角度稳定性。本发明整体设计结构简单，加工容易，成本低廉，原理清晰，具备广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN117954869A
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202310407249.3
申请日：2023-04-17
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开一种基于超表面的高增益滤波天线，包括4×4超表面天线阵列F，基片集成波导馈电腔体阵列N，基片集成波导馈电网络G。所述4×4超表面天线阵列F包括16个中心对称的4×4超表面天线阵列单元；每个4×4超表面天线单元包括超表面天线单元P1、第一介质板S1、第二金属贴片P2；所述超表面天线单元P1包括两个天线单元；每个天线单元包括呈2×4周期性分布的8个贴片天线，每个贴片天线刻蚀有一个两臂部前端向内弯折的U型槽T1。在超表面天线上面增加两臂部前端向内弯折后的U型槽T1，利用超表面的特征模分析方法，使得超表面的工作在特定的模式状态下，从而使得在低频产生辐射零点。
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