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公开(公告)号：CN205564759U
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201620407438.6
申请日：2016-05-06
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01L29/778 , H01L29/06 , H01L29/205
Abstract: 本实用新型提供一种新型增强型III‑V异质结场效应晶体管，在衬底材料层上形成第二半导体层，在第二半导体层上构造出漏电极和源电极，漏电极和源电极之间通过第一半导体层相连且与第一半导体层欧姆接触从而形成沟道；第一半导体层比第二半导体层具有更大的禁带宽度；第二半导体层和第一半导体层结合在一起构成异质结构；第一半导体层的厚度不大于在异质结构上形成二维电子气2DEG的临界厚度，使异质结构中天然的二维电子气2DEG被耗尽。相对于现有技术，本实用新型提供的新型增强型III‑V异质结场效应晶体管，利用薄势垒层方案获得耗尽的沟道，采用高栅电压重新诱导出2DEG，从而实现性能稳定的增强型器件。
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