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公开(公告)号：CN114336083B
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202111617356.6
申请日：2021-12-27
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明涉及基于二三维互嵌结构的双极化宽带吸波频率选择结构。以往的频率选择结构中，纯二维结构有着吸波频带难以展宽的弊病，并且滤波选择特性不高，而三维结构具有高选择特性，并且可通过在电磁波传播方向的空间设置谐振结构，有效拓宽吸波带，但是三维结构的单元结构相对复杂，复杂的三维结构使得其难以实现双极化特性。本发明将二维结构和三维结构相结合，采用二三维互嵌结构，取长补短，优势互补，既实现了三维结构的高选择性和宽带吸波性能，还利用二维平面结构简化了整体结构设计，设计出了双极化特性，使得结构实现更为简单，极大地拓展了其应用前景。
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公开(公告)号：CN110995163B
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN201911176462.8
申请日：2019-11-26
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H03D7/16
Abstract: 本发明公开了一种基波混频和谐波混频杂交型毫米波双频带无源混频器，其包括第一级环形混频核、第二级环形混频核、本振分配网络、准双工器、射频巴伦和负载电容；通过在两级环形混频核之间引入准双工器，得到了两条不同的变频路径，其中一条变频路径(路径一)为基波混频，适用于毫米波低频带，另一条变频路径(路径二)为谐波混频，适用于毫米波高频带；通过合理配置本振频率，该混频器不仅能在两个不同的毫米波频段之间切换使用，还能在两个频段同时工作。
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公开(公告)号：CN107799903B
公开(公告)日：2022-08-26
申请号：CN201710947962.1
申请日：2017-10-12
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明涉及三维新型带吸型宽带频率选择结构。传统的吸波性频率选择结构基于两个或多个二维阵列平面级联的方式，通带窄并且插入损耗大，吸波性能不够优异。本发明采用带阻通道结合吸波通道结构的方式，搭建出三维宽带吸波性频率选择结构，能够实现低频通带内低插入损耗，高频宽吸波带。此结构吸波效率高，并且有着极高的角度稳定性。
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公开(公告)号：CN114336083A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111617356.6
申请日：2021-12-27
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明涉及基于二三维互嵌结构的双极化宽带吸波频率选择结构。以往的频率选择结构中，纯二维结构有着吸波频带难以展宽的弊病，并且滤波选择特性不高，而三维结构具有高选择特性，并且可通过在电磁波传播方向的空间设置谐振结构，有效拓宽吸波带，但是三维结构的单元结构相对复杂，复杂的三维结构使得其难以实现双极化特性。本发明将二维结构和三维结构相结合，采用二三位互嵌结构，取长补短，优势互补，既实现了三维结构的高选择性和宽带吸波性能，还利用二维平面结构简化了整体结构设计，设计出了双极化特性，使得结构实现更为简单，极大地拓展了其应用前景。
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公开(公告)号：CN111817010B
公开(公告)日：2022-02-11
申请号：CN202010488314.6
申请日：2020-06-02
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01Q15/00
Abstract: 本发明涉及反射带可开关型三维宽带吸收式频率选择结构。以往的频率选择结构基本都为无源结构，功能单一，很难对不同环境做出不同的反应。并且少数报道的加载了电调控元件的反射型频率选择结构往往工作频带较窄，工作场合受限。本发明采用双谐振器结合的方式，并通过二极管控制其中一个谐振器的工作状态实现该频率选择结构的反射带的开启与关闭，从而实现工作模式的改变，这大大提升了该频率选择结构的灵活性，拓展了其应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108718005B
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN201810360783.2
申请日：2018-04-20
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01Q17/00
Abstract: 本发明公开了双谐振微波吸收器，包括介质基板以及附属在介质基板的一侧金属谐振层和另外一侧的金属地层组成。由第一贴片和多个第二贴片组成金属谐振层，而金属地层的尺寸与单元结构的尺寸相同。金属谐振层可以产生两种工作模式，从而将吸收器的工作带宽展宽。本发明可以在超过19％的工作带宽上，保持对入射电磁波超过90％的吸收率。本发明具有小型化、剖面低、结构简单、且性能稳定，易于集成等优点。
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公开(公告)号：CN110729532B
公开(公告)日：2020-12-22
申请号：CN201910823508.4
申请日：2019-09-02
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种吸波硅橡胶的双极化吸波/透波型频率选择结构。目前的诸多吸波/透波型频率选择结构，其吸波功能都是通过构造不同的有耗谐振器来实现的。但有耗谐振器的带宽都比较有限。虽然通过在一个周期单元内叠加多个具有相邻吸波频段的谐振器可以实现宽带吸波，但这样会使得结构过于复杂。本发明采用了具有宽带吸波特性且厚度很薄的吸波硅橡胶来实现宽带吸波。在吸波硅橡胶中挖出一个环形缝隙并且在内壁放置金属薄膜来构建通带，同时在吸波硅橡胶上方加入十字形金属片改善吸波硅橡胶与空气的阻抗匹配，其结构简单，且不需要使用任何集总元器件，故而也无需焊接，加工成本较低。该ATFSS实现了优异性能和简单结构的融合。
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公开(公告)号：CN110995163A
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201911176462.8
申请日：2019-11-26
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H03D7/16
Abstract: 本发明公开了一种基波混频和谐波混频杂交型毫米波双频带无源混频器，其包括第一级环形混频核、第二级环形混频核、本振分配网络、准双工器、射频巴伦和负载电容；通过在两级环形混频核之间引入准双工器，得到了两条不同的变频路径，其中一条变频路径(路径一)为基波混频，适用于毫米波低频带，另一条变频路径(路径二)为谐波混频，适用于毫米波高频带；通过合理配置本振频率，该混频器不仅能在两个不同的毫米波频段之间切换使用，还能在两个频段同时工作。
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公开(公告)号：CN109818153A
公开(公告)日：2019-05-28
申请号：CN201910150743.X
申请日：2019-02-28
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01Q17/00
Abstract: 本发明涉及新型单极化三维超宽带吸波体。传统的吸波结构采用二维吸波面的级联实现，虽然能够实现很宽的吸波带，但是一个单元内往往需要用到很多集总电阻，大大的增加了设计成本。本发明采用三维结构，用极少的电阻实现了单极化的超宽带吸波体。本发明包括并联设置的吸波腔A和吸波腔B；吸波腔A由第一、二、三金属面，第一、二介质基片，第一、二、三金属线以及焊接在第二金属线中心的第一电阻组成；吸波腔B由第一、二、三金属面，第一、二金属化过孔，第四金属线以及焊接在第四金属线中心的第二电阻组成。
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公开(公告)号：CN108718005A
公开(公告)日：2018-10-30
申请号：CN201810360783.2
申请日：2018-04-20
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01Q17/00
Abstract: 本发明公开了双谐振微波吸收器，包括介质基板以及附属在介质基板的一侧金属谐振层和另外一侧的金属地层组成。由第一贴片和多个第二贴片组成金属谐振层，而金属地层的尺寸与单元结构的尺寸相同。金属谐振层可以产生两种工作模式，从而将吸收器的工作带宽展宽。本发明可以在超过19％的工作带宽上，保持对入射电磁波超过90％的吸收率。本发明具有小型化、剖面低、结构简单、且性能稳定，易于集成等优点。
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