一种可变刚度仿生机器鱼及其控制方法

    公开(公告)号:CN117585126B

    公开(公告)日:2024-07-12

    申请号:CN202311741011.0

    申请日:2023-12-18

    Applicant: 扬州大学

    Abstract: 本发明涉及机器人控制领域及功能材料领域,尤其一种可变刚度仿生机器鱼及其控制方法。包括鱼头控制仓和可变刚度鱼尾,鱼头控制仓由鱼头刚性外壳与鱼身底面连接组成,可变刚度鱼尾连接于刚性转动面上,刚性转动面与鱼身底面铰接;可变刚度鱼尾由被鱼尾支撑骨架包裹的可变刚度材料以及柔性尾鳍连接而成,可变刚度材料的两侧安装有多段加热电路,多段加热电路和可变刚度材料之间设置有温度传感器;其中,每一段加热电路独立加热,使多段加热电路进行分段刚度变化,以对可变刚度鱼尾的形变进行调控。当形变恢复后,停止所有多段加热器,锁定可变刚度鱼尾形状,恢复仿生机器鱼的运动特性,进而使得仿生机器鱼的运行轨迹可控。

    一种轨迹可控的微型仿水母机器人及其控制方法

    公开(公告)号:CN115285322B

    公开(公告)日:2023-12-26

    申请号:CN202210694527.3

    申请日:2022-06-20

    Abstract: 本发明涉及软体机器人技术领域,尤其涉及一种轨迹可控的微型仿水母机器人及其控制方法,微型仿水母机器人由下到上依次包括电磁驱动推进器、电磁驱动重心调节盘和气室;电磁驱动推进器包括同轴设置的柔性翼和电磁驱动模块,电磁驱动模块设置在柔性翼和电磁驱动重心调节盘之间,电磁驱动模块沿轴向往复运动,并带动柔性翼往复摆动;电磁驱动重心调节盘包括刚性圆盘和设置在刚性圆盘上的四个电磁重心调节模块,四个电磁重心调节模块呈轴对称分布;控制电磁驱动重心调节盘的重心偏移;气室内部设置有控制模块,控制模块驱动电磁驱动模块和电磁重心调节模块,使得微型仿水母机器人轨迹可控,有望在水下资源勘查、环境监测等领域得到应用。

    一种钙钛矿/IBC三端叠层电池及其制备方法

    公开(公告)号:CN116761448A

    公开(公告)日:2023-09-15

    申请号:CN202310971584.6

    申请日:2023-08-03

    Applicant: 扬州大学

    Abstract: 本发明属于太阳能光伏行业领域,尤其涉及一种钙钛矿/IBC三端叠层电池及其制备方法。晶硅底电池的结构为:以N/P型高少子寿命的硅片作为基体,正面依次为前表面场和钝化层;背面依次为宽量子阱双势垒隧穿层、掺杂硼的纳米晶硅形成的p+层、隧穿氧化层、掺杂磷的多晶硅形成的n+层、钝化层、p+ finger、n+ finger和n/p之间的隧穿氧化层隔绝带;钙钛矿顶电池的结构从上到下依次为:n+ finger、透明导电层、缓冲层、电子传输层、钙钛矿层和空穴传输层,空穴传输层设置在晶硅底电池的正面。本发明将宽量子阱设置在了p型掺杂纳米晶硅下方,降低B的偏析系数进而抑制B的扩散,提供更好钝化效果。

    一种多孔单畴液晶弹性体及其制备方法以及基于它的电容式柔性传感器

    公开(公告)号:CN115716932B

    公开(公告)日:2023-07-18

    申请号:CN202211434781.6

    申请日:2022-11-16

    Abstract: 本发明属于电容式柔性传感器技术领域,具体涉及一种多孔单畴液晶弹性体及其制备方法以及基于它的电容式柔性传感器。其技术要点如下,电容式柔性传感器从上到下依次为上保护层、上导电层、介电层、下导电层和下保护层;其中,上导电层和下导电层为银层;介电层为多孔单畴液晶弹性体(P‑mLCEs),P‑mLCEs的分子链上带有双重氢键和金属配位键。本发明提供的多孔单畴液晶弹性体含有双重氢键和金属配位键,该液晶弹性体作为介电层,通过液晶弹性体分子链上羰基键与金属离子进行配位结合,大幅度提高了其介电常数,增加了柔性传感器介电层的响应/回复速度。

    一种多孔单畴液晶弹性体及其制备方法以及基于它的电容式柔性传感器

    公开(公告)号:CN115716932A

    公开(公告)日:2023-02-28

    申请号:CN202211434781.6

    申请日:2022-11-16

    Abstract: 本发明属于电容式柔性传感器技术领域,具体涉及一种多孔单畴液晶弹性体及其制备方法以及基于它的电容式柔性传感器。其技术要点如下,电容式柔性传感器从上到下依次为上保护层、上导电层、介电层、下导电层和下保护层;其中,上导电层和下导电层为银层;介电层为多孔单畴液晶弹性体(P‑mLCEs),P‑mLCEs的分子链上带有双重氢键和金属配位键。本发明提供的多孔单畴液晶弹性体含有双重氢键和金属配位键,该液晶弹性体作为介电层,通过液晶弹性体分子链上羰基键与金属离子进行配位结合,大幅度提高了其介电常数,增加了柔性传感器介电层的响应/回复速度。

    一种太阳电池光辅助金属化制造装置及方法

    公开(公告)号:CN115332391B

    公开(公告)日:2023-02-28

    申请号:CN202211000256.3

    申请日:2022-08-19

    Applicant: 扬州大学

    Abstract: 本发明涉及太阳电池制备技术领域,尤其涉及一种太阳电池光辅助金属化制造装置及方法,包括壳体、开槽单元、活化液单元、化学镀液单元、气体单元和传送单元;化学镀液单元包括静电镀液喷涂装置和光源部件,静电镀液喷涂装置在静电场下朝向太阳电池片喷洒镀液,光源部件为太阳电池片至少局部位置提供设定波长的光照;活化液单元对应设置于至少部分化学镀液单元前,向太阳电池片喷洒活化液;气体单元为内部空间提供氮气氛围环境。本发明中可利用金属化时每一层金属纳米粒子受到不同波长光源照射时产生表面等离子共振效应而导致表面局域升温,为下一层化学镀提供所需条件温度,从而降低化学镀反应温度提升要求中对于外部供能的需求。

    一种适用于高首效和超高比容量的钠离子电池硬碳负极制备方法

    公开(公告)号:CN119650599A

    公开(公告)日:2025-03-18

    申请号:CN202411563044.5

    申请日:2024-11-05

    Applicant: 扬州大学

    Abstract: 本发明公开了一种适用于高首效和超高比容量的钠离子电池硬碳负极制备方法。包括将含碳材料作为硬碳前驱体,通过马弗炉对硬碳前驱体进行预氧化处理;向硬碳前驱体中加入含氮掺杂源并置入含有保护气氛的真空管式炉内煅烧热解、自然冷却。本发明采用含碳材料作为前驱体,通过加入含氮掺杂源高温热解制备氮掺杂硬碳粉末,并与MXene复合获得自支撑结构电极材料,大大提升了电极的空间和质量能量密度。其表面的MXene不仅导电性和电化学稳定性优异,还可有效阻隔电解液对硬碳表面结构的破坏,大大提升了硬碳负极材料的首次充放电效率和可逆比容量。

    一种纯黑相甲脒基钙钛矿晶体的制备方法

    公开(公告)号:CN117418297B

    公开(公告)日:2024-05-28

    申请号:CN202311381403.0

    申请日:2023-10-24

    Applicant: 扬州大学

    Abstract: 本发明属于太阳电池技术领域,尤其涉及一种高产率、纯黑相甲脒基钙钛矿晶体的制备方法及装置。包括可耐高压的腔体,腔体内部有均匀分布的加热柱,腔体上盖通过胶圈和快拆结构密封,上盖上设置外置连接管路。制备方法包括:将粗制原料置于腔体内;腔体抽真空,通氮气反复3次;之后注入溶剂;注入氮气和还原性气体,维持腔体正压;加热至150度以上;待晶体不再析出,开启排液阀,自动排出上清液;降温后,注入洗涤剂反复清洗三次;抽真空,去除多余溶剂;收集钙钛矿晶体。采用该装置和方法可实现低纯原料的提纯,同时,晶体粉末作为原料,可获得更制备大尺寸晶粒、均匀结晶的高品质钙钛矿薄膜和高性能的钙钛矿太阳电池器件。

    一种透明无痕迹长余辉碳点图案制备方法及其应用

    公开(公告)号:CN118048150A

    公开(公告)日:2024-05-17

    申请号:CN202410182181.8

    申请日:2024-02-19

    Applicant: 扬州大学

    Abstract: 本发明公开了一种透明无痕迹长余辉碳点图案制备方法及其应用,制备时首先制备作为碳点前驱体的透明薄膜;然后采用跳跃式激光直写方法在透明薄膜上直写预设的碳点长余辉图案,碳点长余辉图案在日光灯下无痕迹且透明;其中,跳跃式激光直写方法是扫描完图案的当前一个点后,扫描与该点不相邻的下一个点。通过跳跃式激光直写方法有效性降低热影响区,避免基体受热不均匀,从而制备透明无痕迹且具有较高分辨率的碳点长余辉图案。通过调节激光参数和碳点前驱体种类,可以获得全色域、多模态发射的碳点图案。本发明制备的余辉碳点图案可应用于柔性光电器件的原位制造,包括防伪汽车薄膜、高分辨率代码和柔性显示器。

    一种新型全背电极钝化接触电池的制备方法及其产品

    公开(公告)号:CN116130558B

    公开(公告)日:2024-02-09

    申请号:CN202310127942.5

    申请日:2023-02-17

    Abstract: 本发明属于太阳能光伏行业领域,尤其涉及一种新型全背电极钝化接触电池的制备方法及其产品。通过在背面一步低温扩散沉积的方式形成超薄隧穿氧化层,通过低压气相化学沉积的方式形成本征微晶硅层,之后利用硼浆料及磷浆料印刷在本征微晶硅层上形成选择性的硼及磷掺杂区域,省去了多晶硅绕镀去除、掩膜层生长以及高温扩散的工艺流程,避免高温扩散过程中无法控制气流的单面性而导致的绕扩,之后利用高温退火将硼及磷同时掺杂进入本征微晶硅层中,其中硼掺杂细栅图形区域形成p+层,磷掺杂细栅图形区域形成n+层。通过硅基的异位元素激活,激活p+层及n+层中掺杂元素的活性;利于电流的输送,降低载流子输运导致的复合。

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